本发明专利技术公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO4及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为BiZn2VO4。(1)将纯度为99.9％以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO4的组成配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在780～820℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总量的3％。本发明专利技术制备的陶瓷在780-820℃烧结良好，其介电常数达到33～37，品质因数Qf值高达55000-104000GHz，谐振频率温度系数小。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及介电陶瓷材料，特别是涉及在微波频率使用的介质谐振器、滤波器等微波元器件，以及陶瓷电容器或温度补偿电容器的介电陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
微波介电陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片、介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料，已在便携式移动电话、汽车电话、 无绳电话、电视卫星接受器、军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。应用于微波频段的介电陶瓷，应满足如下介电特性的要求(I)高的相对介电常数％以利于器件的小型化，一般要求％>20;(2)高的品质因数Q值或介质损耗tan δ 以降低噪音，一般要求Qf彡3000GHz ; (3)谐振频率的温度系数^尽可能小以保证器件具有好的热稳定性，一般要求_10/°C彡τ f ( +10ppm/°C。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术。根据相对介电常数ε r的大小与使用频段的不同，通常可将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为3类。(I)低ε r和高Q值的微波介电陶瓷，主要是BaO-MgO-Ta2O5, BaO-ZnO-Ta2O5或 BaO-MgO-Nb2O5, BaO-ZnO-Nb2O5系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其ε r = 25 30， Q= (I 2) X IO4 (在f 彡IOGHz下)，xf ^ O0主要应用于f彡8GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。(2)中等ε r和Q值的微波介电陶瓷，主要是以BaTi4O9, Ba2Ti9O20和(Zr、Sn) TiO4 等为基的 MWDC 材料，其 = 35 40，Q = (6 9) X103(在 f = 3 _4GHz 下)， τ f ( 5ppm/°C。主要用于4 8GHz频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器件。(3)高4而0值较低的微波介电陶瓷，主要用于O. 8 4GHz频率范围内民用移动通讯系统，这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来，Kolar, Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO-Ln2O3-TiO2系列(Ln = La，Sm, Nd，Pr等，简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系列、铅基系列材料、Ca1^xLn2x73TiO3系等高ε r微波介电陶瓷，其中BLT体系的BaO-Nd2O3-TiO2材料介电常数达到90，铅基系列(Pb，Ca)ZrO3介电常数达到105。以上这些材料体系的烧结温度一般高于1300°C，不能直接与Ag、Cu等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。近年来，随着低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC)的发展和微波多层器件发展的要求，国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究，主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷复合材料体系，因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗，玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的低烧微波介质陶瓷材料是当前研究的重点。但是，对于用于低烧微波介质陶瓷的体系仍然比较有限，这在很大程度上限制了低温共烧技术及微波多层器件的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有低损耗与良好的热稳定性，同时具有高频介电常数的介电陶瓷材料及其制备方法。本专利技术的介电陶瓷材料的组成为BiZn2V04。本介电陶瓷材料的制备方法步骤为(I)将纯度为99. 9%以上的Zn0、Bi203和V2O5的原始粉末按BiZn2VO4的组成配料；(2)将步骤(I)原料湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在700°C大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在780 820°C大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总量的3%。本专利技术制备的陶瓷在780_820°C烧结良好，其介电常数达到33 37，品质因数Qf 值高达55000-104000GHZ，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。具体实施例方式实施例表I示出了构成本专利技术的不同烧结温度的4个具体实施例及其微波介电性能。其制备方法如上所述，用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。本陶瓷可广泛用于各种介质谐振起器、滤波器等微波器件的制造，可满足移动通信、卫星通信等系统的技术需要。本专利技术决不限于以上实施例，具有与Bi等相似结构与化学性质的元素如La、Eu、 Y、Ce、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb和Lu等也可以做出与本专利技术类似晶体结构与性能的的介电陶瓷。表I :权利要求1. 一种复合氧化物作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用，其特征在于所述复合氧化物的组成为=BiZn2VO4 ；所述复合氧化物的制备方法步骤为(1)将纯度为99.9%以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO4的组成配料；(2)将步骤(I)原料湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在700°C大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在780 820°C 大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总量的3%。全文摘要本专利技术公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO4及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为BiZn2VO4。(1)将纯度为99.9％以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO4的组成配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在780～820℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总量的3％。本专利技术制备的陶瓷在780-820℃烧结良好，其介电常数达到33～37，品质因数Qf值高达55000-104000GHz，谐振频率温度系数小。文档编号C04B35/622GK102584208SQ201210037480公开日2012年7月18日 申请日期2012年2月18日 优先权日2012年2月18日专利技术者向飞, 方亮, 胡长征, 郑少英, 郭汝丽 申请人:桂林理工大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡长征，方亮，郭汝丽，郑少英，向飞，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。