本发明专利技术公开了一种消除薄膜场效应晶体管闪烁和关机残影现象的控制电路，主要解决现有TFT-LCD面板工作过程中闪烁和关机残影的问题。该控制电路包括比较模块、输入控制模块和输出控制模块；比较模块通过输入控制模块产生四个输出信号；第一输出信号连接到LCD数据驱动模块，第二、第三输出信号连接到输出控制模块，第四输出信号通过输出控制模块连接到LCD门驱动模块。通过控制输出控制模块中电容放电电流的大小可调整输出电压的下降斜率，补偿TFT-LCD工作过程中的共模误差，消除闪烁现象；通过控制LCD数据驱动模块和LCD门驱动模块的关断顺序释放TFT-LCD中的电荷，消除关机残影。本发明专利技术有效的提高了TFT-LCD的图像显示质量，可用于TFT-LCD显示设备中。
【技术实现步骤摘要】
消除薄膜场效应晶体管闪烁和关机残影现象的控制电路
本专利技术属于电子电路
，涉及模拟集成电路，特别是一种用于消除薄膜场效应晶体管液晶显示器闪烁现象和关机残影现象的控制电路。
技术介绍
薄膜场效应晶体管液晶显示器TFT-IXD是有源矩阵类型液晶显示器AM-IXD中的一种。由于其具有色彩饱和度高、色还原能力强、画质好和响应速度快等优点，TFT-IXD迅速成为新世纪的主流产品。随着液晶显示技术的飞速发展，关于液晶方面的研究也越来越受关注。其中由于Y校正技术能够大大改善TFT-IXD显示设备画面的质量，已成为液晶显示器LCD液晶显示设备校正技术的主流。TFT-IXD液晶显示设备的驱动控制器所控制的栅极电路的等效阻抗为一连串的串联RC网络，这样在采用共模电压固定的方式来驱动TFT-LCD液晶显示设备时，由于传统的 TFT-LCD驱动电路输出的是方波信号，会引起因共模电压波动产生的误差。此共模误差会使同一灰度级的电压产生误差，故在不停的切换画面，正负极性交替的情况下，会使人感觉到明显的闪烁现象。同时，在关闭TFT-LCD液晶显示设备时，由于内部储存部分电荷，还会引起另一个影响TFT-LCD性能的问题——关机残影。可见，如何解决TFT-LCD闪烁现象和关机残影，已经成为改善TFT-LCD性能，提高其市场竞争力的关键所在。图1给出了传统的TFT-LCD门宽调制控制电路，其输入信号为使能信号EN和开关信号CTR ；该输入信号经过一系列的非门和与非门产生两个频率相同极性相反的方波信号，一个方波信号通过高压晶体管HM1、HM2、HM3和HM4组成的电平移位电路输入到高压晶体管HM7的栅极，另一个方波信号输入到高压晶体管HM5的栅极，HM7与HM5的漏极相连作为该控制电路的输出端；当EN和CTR为高电平时，HM7导通，同时HM5截止，输出信号OUT为高电平；EN为高电平，CTR为低电平时，HM7截止，HM5导通；当EN为低电平时，通过三个非门控制高压晶体管HM6导通，输出OUT持续低电平。图2给出了传统的TFT-LCD控制电路的输入信号EN、CTR和输出信号OUT的波形图，可见其输出控制信号OUT为完整的方波，该方波信号经栅驱动电路驱动TFT-IXD，会产生共模误差，引起TFT-IXD的闪烁现象；同时，由于传统电路没有做任何消除关机残影的技术处理，故关机残影现象不可避免，导致TFT-LCD 的图像显示质量降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有的TFT-LCD门宽调制控制电路的不足，提出一种能消除薄膜场效应晶体管闪烁和关机残影现象的控制电路，提高TFT-LCD的图像显示质量。为实现上述目的，本专利技术包括比较模块1、输入控制模块2和输出控制模块3 ；所述输入控制模块2，设有两个输入端a、b和四个输出端c、d、e、f ；第一输入端a 与比较模块1的输出端相连，第二输入端b连接开关信号01;四个输出端(、(1、64分别输出信号ST、DH、DL和RSTl ；其中信号ST连接到外部LCD数据驱动模块5，用于控制LCD数据驱动模块5的工作与关断；信号DH和DL连接到控制输出控制模块3，用于控制输出控制模块3中电容的充放电；信号RSTl通过输出控制模块3连接到外部LCD门驱动模块4，用于控制IXD门驱动模块4的工作与关断；通过控制IXD门驱动模块4和IXD数据驱动模块 5的关断顺序释放TFT-LCD中的电荷，以消除关机残影；所述输出控制模块3，包括充电电路、放电电路、使能控制电路和电容C2 ；该充电电路一端接高电平VCCH，另一端通过放电电路连接到低电平VCCL ；充电电路与放电电路相连接并通过电容C2连接到零电平，用于控制C2的充放电电流；电容C2与充电电路和放电电路的公共端作为输出端OUT ；通过控制电容C2放电电流的大小可调整输出电压的下降斜率，补偿TFT-LCD工作过程中的共模误差，以消除闪烁现象；使能控制电路跨接于输出端 OUT与零电平之间，用于控制输出控制模块(3)的工作与关断。上述的控制电路，其中输出控制模块3中的充电电路，包括源、漏极之间耐压值大于12V的四个高压晶体管HM301、HM302、HM303、HM304,电流源1301和电阻R301、R302、 R303 ；第一高压晶体管HM301的栅极与输入控制模块2的第二输出端d相连，源极通过电流源1301连接到零电平，漏极与第三高压晶体管HM303的栅极相连；第二高压晶体管HM302 的漏极与零电平相连，源极通过电阻R303、R301接到高电平VCCH，栅极与R301与R303的公共端相连并连接到第三高压晶体管HM303的栅极；该第三高压晶体管HM303的漏极通过电阻R302与高电平VCCH相连，源极与第二高压晶体管HM302的源极相连并连接到第四高压晶体管HM304的栅极；该第四高压晶体管HM304的源极与高电平VCCH相连，漏极连接到电容C2与输出端OUT的公共端，为C2提供充电电流。上述的控制电路，其中输出控制模块3中的放电电路，包括五个高压晶体管 HM305、HM306、HM307、HM308、HM309，电流源 1302 和电阻 R304、R305、R306 ；第一高压晶体管 HM306的栅极与输入控制模块2的第三输出端e相连，源极通过电流源1302连接到零电平， 漏极与第三高压晶体管HM307的栅极相连；第二高压晶体管HM308的漏极与零电平相连，源极串联电阻R306、R304接到高电平VCCH，栅极与R304和R306的公共端相连并连接到第三高压晶体管HM307的栅极，用于为HM307提供偏置电压；该第三高压晶体管HM307的漏极通过电阻R305与高电平VCCH相连，源极与第二高压晶体管HM308的源极相连并连接到第四高压晶体管HM309和第五高压晶体管HM305的栅极；该第四高压晶体管HM309的漏极与低电平VCCL相连，源极连接到第五高压晶体管HM305的源极；该第五高压晶体管HM305的漏极连接到电容C2与输出端OUT的公共端，为C2提供放电电流。上述的控制电路，其中输出控制模块3中的使能控制电路，包括高压晶体管HM310 和电阻R307 ；该高压晶体管HM310的源极与零电平相连，漏极通过电阻R307连接到输出端 OUT,栅极与输入控制模块2的输出端f相连；当输出端f输出的信号为低电平时，输出控制模块3正常工作；反之，该模块关断。上述的控制电路，其中输入控制模块2，包括分压比较电路21、第一组合逻辑电路 22和第二组合逻辑电路23 ；该分压比较电路21输出信号RST1、RST2 ；其中信号RSTl同时连接到第一组合逻辑电路22的输入端和控制输出控制模块3的第三输入端；该第一组合逻辑电路22的输出信号DH、DL分别连接到输出控制模块3的第一输入端和第二输入端，用于控制输出控制模块3中电容C2的充电和放电；信号RST2连接到第二组合逻辑电路23 ；该第二组合逻辑电路23的输出信号ST连接到外部IXD数据驱动模块5，用于控制IXD数据驱动模块5的工作与关断。上述的控制电路，其中输入控制模块2中的分压比较电路21，包括两个比较器 C0M201、C0M202 和电阻 R201、R202、R203 ；电阻 R201、R202、R203 串联跨接于本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：来新泉，叶强，王明兴，邵丽丽，张家祯，
申请(专利权)人：西安启芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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