【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及供在数码相机及其它类型的图像捕获装置中使用的图像传感器,且更特定来说,涉及电荷耦合装置(CCD)图像传感器。又更特定来说,本专利技术涉及CCD图像传感器中的电荷倍增。
技术介绍
图1描绘根据现有技术执行电荷倍增的第一 CCD图像传感器的简化框图。像素阵列100包含垂直电荷耦合装置(CXD)移位寄存器(未展示),其一次一行地将来自一行像素102的电荷包移位到低电压水平CXD(HCXD)移位寄存器105中。低电压HCXD移位寄存器105将所述电荷包串行地移位到高电压电荷倍增HCCD移位寄存器110中。经由在电荷传送期间将大的电场施加到上覆HCCD移位寄存器110的栅极电极(未展示)而在电荷倍增HCCD移位寄存器110中发生电荷倍增。大的电场产生比原本在像素阵列100中的像素中收集的信号大的信号。大的电场是通过用充分较大的电压过驱动经扩展HCCD移位寄存器 402上方的栅极电极来产生。通常,电荷倍增HCXD移位寄存器110可将每一电荷包中的电荷载子的数目倍增2到1000的倍数。输出放大器120感测电荷倍增HCCD移位寄存器110 的端处输出的经倍增电荷包 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2010.12.20 US 12/973,1081.一种用于处理由图像传感器中的像素阵列捕获的图像的方法,所述方法包括将电荷包从所述像素阵列传送到水平移位寄存器;将每一电荷包移位到非破坏性电荷感测输出通道;非破坏性地感测每一电荷包且产生表示所述电荷包中的电荷载子的数目的信号;当表示每一电荷包中的电荷载子的所述数目的所述信号指示所述电荷包将不使所述电荷倍增水平移位寄存器饱和时,将相应电荷包引导到电荷倍增输出通道;及当表示每一电荷包中的电荷载子的所述数目的所述信号指示所述电荷包将使所述电荷倍增水平移位寄存器饱和时,将相应电荷包引导到放电元件。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述电荷倍增输出通道具有相关联的电荷/电压转换增益值G2,且所述电荷感测输出通道具有相关联的电荷/电压转换增益值Gl。3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括将增益比G2/G1应用于由所述电荷感测输出通道产生的每一像素信号。4.根据权利要求1所述的方法,其中当表示每一电荷包中的电荷载子的所述数目的所述信号指示所述电荷包将不使所述电荷倍...
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