一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器制造技术

一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器，属于辐射成像领域。该成像探测器包括密闭气室（１）、漂移电极（２）、２～３层ＧＥＭ膜（３）等。漂移电极（２）、２～３层ＧＥＭ膜（３）等都置于密闭气室（１）中；ＧＥＭ膜上下表面电位差为３００～４００伏；射线入射到漂移区电离，产生电子经过ＧＥＭ的雪崩放大收集到读出电极（５）上，由数据获取系统（８）进行放大、甄别、并输入到数据处理及显示计算机（９）中进行处理。所述数据获取系统（８）包括多能量阈甄别电路等。本发明专利技术选用ＧＥＭ膜作为电子倍增器件，增加了动态范围，在保证图象质量的前提下，可以大大降低射线源剂量，降低了成本，同时可以实现双能或多能成像。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于辐射成像领域，特别涉及一种基于GEM (Gas Electron Multiplier,气体电 子倍增器)膜的计数式线阵成像探测器。
技术介绍
线阵成像探测器在以DR、 CT等为代表的安检、医学、无损检测等领域有着广泛的应用， 目前普遍采取的探测器大都是闪烁晶体耦合光电二极管阵列或气体电离室阵列，由于探测器 时间分辨能力、电子学噪声等的限制， 一般采用积分模式，系统动态范围较小且所需射线源 剂量大。GEM等新型微单元结构气体探测器的出现为研制新型气体线阵探测器提供了可能。GEM的 单元尺度都在100pni左右，既有良好的位置分辨率，也有较高的计数率上限(可以达到106mnT 2.s '以上)。GEM膜本身可以设计加工成许多不同形状和大小；探测器的高压电极与读出电极 相互独立，结构坚固；读出电极可以采用任意形状和排列；通过多层叠加，可以降低单层的 工作电压，使探测器既安全又具有较高增益。本专利技术选用GEM膜作为电子倍增器件，利用其高增益，将射线初始电离产生的极少量的 电子放大几个量级，由读出电极条收集读出。电路工作在计数方式，大大增加了动态范围， 在保证图象质量的前提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器，其特征在于，该成像探测器包括密闭气室（１）、漂移电极（２）、２～３层ＧＥＭ膜（３）、读出ＰＣＢ板（４）、读出电极（５）、高压输入（６）、高压分压电阻串（７）、数据获取系统（８）、数据处理及显示计算机（９）；　　　　漂移电极（２）、２～３层ＧＥＭ膜（３）、读出ＰＣＢ板（４）、读出电极（５）、高压分压电阻串（７）都置于密闭气室（１）中；密闭气室（１）中最上方一层是漂移电极（２），加有高压输入（６），以下是２～３层ＧＥＭ膜（３），层叠在读出ＰＣＢ板（４）上；漂移电极（２）、２～３层ＧＥＭ膜（３）的上下表面通过高压分压电阻串（７）依此施加上不同的负高压；　...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉兰，李元景，程建平，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]