【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体地说，本专利技术涉及一种减少半导体铝金属层刻蚀后清洗过程中流电腐蚀的方法。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，通过在晶圆上的介质层，如二氧化硅、氮化硅及低k 材料等或导电层如Al (铝)，Cu (铜)等表面上涂光刻胶，曝光显影后，然后利用等离子体干法刻蚀把电路图案转移到相应的导电层或介质层上。刻蚀及灰化完成后的光刻胶残余和刻蚀时产生的侧壁钝化保护层，利用有机清洗液来除去。目前生产上采用的刻蚀后清洗液主要有两类，一种是以羟胺为主要活性成份的清洗液，如EKU65，EKC270，EKC270T，ACT935， ACT940等，另一类主要是以F离子为活性成分的清洗液如IDEAL Clean960, IDEAL Clean 815，ST-250, EKC520, SST-A2 等。为了减轻铝线的电迁移，半导体晶圆中用的金属铝中一般含有1 3wt%的铜。如果铜在物理气象淀积过程中分布不均勻的话，会形成铜富集的核。这些核很容易在清洗过程中对周围的铝形成流电腐蚀。对于两类清洗液清洗后的铝线都有可能发生流电腐蚀。下面是为了减轻流电腐蚀所采取的方法。US55...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王胜利，彭洪修，刘兵，孙广胜，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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