偏移量的生成方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种偏移量的生成方法和装置。该方法包括：根据第一实际位置和第一标准位置，生成顶点偏移量，第一实际位置为第一特征点的实际位置，第一标准位置为第一特征点的标准位置；根据第一实际位置、第二实际位置、第一标准位置和第二标准位置，生成整体偏转角度，第二实际位置为第二特征点的实际位置，第二标准位置为第二特征点的标准位置；根据摆放列数、第一实际位置、第二实际位置、第一标准位置和第二标准位置，生成横向偏移量；根据摆放行数、第一实际位置、第三实际位置、第一标准位置和第三标准位置，生成纵向偏移量，第三实际位置为第三特征点的实际位置，第三标准位置为第三特征点的标准位置。本发明专利技术提高了晶片的镀膜效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种偏移量的生成方法和装置。
技术介绍
目前，常用的晶硅太阳能电池制造设备为PECVD设备。PECVD设备多为线型 (In-line)的硬件结构形式，该线型PECVD设备通过采用在线型镀膜Qn-Iine PECVD)技术以达到高效率、高产量的目的。图1为一种线型PECVD设备的结构示意图，如图1所示， 该线型PECVD设备包括预热腔1、工艺腔2、冷却腔3、装片台7和卸片台8和载板传输装置9。其中，各腔室之间通过门阀G1、门阀G2、门阀G3和门阀G4连接。工艺腔2通过阀门 6与连接有真空泵(pump)。线型PECVD设备的工作流程是将晶片4放置于载板5上；将载板5搬运到预热腔1中，具体地，可以通过轮子或机械手等自动装置(图中未示出)将载板 5搬运到预热腔1中；预热腔1对载板5进行预热处理，以加热载板5和晶片4 ；将载板5搬运到工艺腔2中，对载板5上的晶片4进行镀膜处理。镀膜处理完成后将载板5搬运到冷却腔3中进行冷却处理，然后将载板5搬运到卸片台8上，将工艺处理完成的晶片4从载板 5上取走。载板5通过载板传输装置9返回装片台7。在载板5到达装片台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：易璨，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：