半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，降低寄生电感且变换效率高的非绝缘型DC-DC变换器。在该半导体装置中，高侧驱动器(4a)位于比高侧开关(2)更靠近半导体衬底(1)的周边的区域，且低侧驱动器(4b)位于比低侧开关(3)更靠近半导体衬底(1)的周边的区域。由此，从输入电容器的正端子经由高侧开关(2)和低侧开关(3)到达输入电容器的负端子的路径变短，且从驱动器电容器的正端子经由低侧驱动器(4b)到达驱动器电容器的负端子的路径变短，且从自举电容器的正端子经由高侧驱动器(4a)到达自举电容器的负端子的路径变短，所以能够降低寄生电感，提高变换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在电源等的电力变换器中用的半导体装置，尤其涉及在非绝缘型 DC-DC变换器中适用的有效技术。
技术介绍
本专利技术人针对例如电源等的电力变换器进行了研究，发现随着计算机等的 CPU(中央处理单元)中使用的电源的低电压化，大多使用利用同步整流方式的电源。另外， 为了进一步增大CPU用的电源所要求的电流变化率(di/dt)，并抑制电源的输出电压的脉动(ripple)，电源的高速化变得重要起来。图1示出一般的把直流电压变压的非绝缘型DC-DC变换器的电路图。输入电容器 Cin与输入电源Vin并联配置。与驱动高侧开关Ql和低侧开关Q2的驱动器电源Vdrive并联地插入驱动器电容器Cdrive，向低侧驱动器33供给电力。高侧开关Ql的驱动电路是自举 (bootstrap)的结构，高侧开关Ql截止时从驱动器电源Vdrive通过自举二极管(bootstrap diode)Dboot向自举电容器(bootstrapcondenser)Cboot供给电流，作为高侧驱动器32的电源。通过接收来自电源控制器31的PWM信号，并使高侧开关Ql和低侧开关Q2交互地接通和截止，向端子Vx输出方形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：桥本贵之，平尾高志，秋山登，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：