【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种镝(Dy)掺杂Bii^eO3多铁性块体陶瓷及其制备方法,具体地说,涉及一种在A位掺杂Dy的Bii^eO3多铁性块体陶瓷及其制备方法;属于功能陶瓷领域。
技术介绍
随着科学技术的进步,对器件小型化的要求越来越高,这就需要发展同时具有两种或两种以上功能的新材料,以研制能同时实现多种功能的新型器件。Bii^eO3是唯一一种在室温同时表现出铁电性和反铁磁性的多铁性材料,其铁电居里温度Tc约为830°C,反铁磁奈尔温度Tn约为370°C。然而由于Bii^eO3具有空间调制自旋结构,螺旋周期为约为62nm, 这一调制结构导致离子磁矩相互抵消,使Bii^eO3难以表现出宏观磁矩,目前,利用现有技术制备得到的BWeO3块体陶瓷均具有反铁磁性,这在很大程度上限制了 BWeO3块体陶瓷的应用;另一方面由于Bi3+的挥发以及!^3+价态波动(Fe3+ —狗2+)导致BWeO3的漏电流大,从而限制了其应用。在Bii^eO3中掺杂稀土元素可破坏Bii^eO3的螺旋状自旋磁结构,使Bii^eO3 产生宏观磁化,并可有效抑制Bi3+的挥发及!^3+价态波动,从而提高BWeO ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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