高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高温一次烧全抛釉瓷质砖的制备方法，包括压机成型坯体、施底釉、布熔块干粒、喷固定剂、高温烧成以及抛光分选等步骤。本发明专利技术制备全抛釉瓷质砖只需一次烧成工艺，可以大幅度降低生产成本，节省能源，减少了废气的排放量，符合国家目前的绿色产业政策。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种全抛釉瓷质砖的制备方法，具体是涉及一种。
技术介绍
目前生产微晶复合砖和全抛釉砖都采用两次烧成工艺。首先，将坯体素烧或在坯体上施底釉和印花后素烧，使坯体瓷化、吸水率< 0. ；其次，在坯体上布30 80目的微晶熔块或透明干粒，再进行釉烧；最后进行抛光与分选。该生产过程由于先经过素烧，后釉烧，通常简称为二次烧成。由于二次烧成工艺多一次烧成过程，因此能耗高、人工工时多、生产用地和厂房占地大，生成成本高；同时也增加了产品的破损和由此而产生的产品缺陷。此外，由于素烧后的坯体已经完全瓷化，在釉烧时，瓷坯不能承受快速升温，否则坯体会因快速升温而开裂，一般釉烧时间在2. 5小时左右，而一次烧成只需1. 5小时左右，从这方面来讲，一次烧成可以进一步降低生产成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种降低生产成本、减少废气排放量的。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是，包括下列顺序的步骤步骤1 利用压机成型坯体，所述坯体的烧成收缩率< 11%，坯体烧成温度在 1180 1220 ；步骤2 在坯体上施底釉，底釉的厚度为0. 15 0. 25mm,所述底釉的开始烧结的温度彡 IlOO0C ；步骤3 在施好底釉的坯体上布30 80目的呈球形的熔块干粒，数量为3. 0 4. Og/cm2，所述熔块的熔点彡1170°C，熔块的流动点彡1210°C ；步骤4:喷上固定剂；步骤5 送入陶瓷窑中进行烧结，烧成时间为室温 1000°C为35 40分钟， 1000 1180°C为7 10分钟，1180 1220°C为6 8分钟，1220 200°C为；34 36分钟；步骤6:进行抛光与分选。作为上述技术方案的改进，所述熔块的组分及重量比例为Si&55 68， Al20313 19. 5，KNaO 3 — 8, CaO 2 15，MgO 0 2，ZnO 0 4，B2033 7，BaO 0 4。作为上述技术方案的另一改进，所述熔块的组分及重量比例为Si&55 71， Al2033 4. 3，KNaO 6 — 7, CaO 4 15，MgO 0 6，Zn02 6，B2O3I 10，BaO 0 8。本专利技术的有益效果是利用本专利技术制备全抛釉瓷质砖只需一次烧成工艺，可以大幅度降低生产成本，节省能源，且减少了废气的排放量，减轻了对环境的污染，符合国家目前的绿色产业政策。 具体实施例方式下面通过实施例对本专利技术进一步说明。实施例1 首先，按重量百分比取23%的新会泥、25%的江门砂、8%的清远铝砂、25%的河源钠石粉、10%的惠州砂、8%的新丰石粉、的黑石粉制成坯体原料，用压机成型 600mmX600mm的坯体。该坯体的烧成温度为1220°C，烧成后的收缩率为11%，烧成后坯体的膨胀系数在8. 0 9. 2 X IO"6 (20 600°C )之间，烧成后坯体的吸水率彡0. 1%。其次，在坯体上施底釉，底釉的厚度为0. 15 0. 25mm。所施底釉是按重量百分比取35%的钠长石、15%的方解石、10%的烧滑石、2%的烧&ι0、7%硅酸锆、13%的氧化铝、3%的石英、5%的烧高岭土、5%的气刀土、5%的透明熔块制成的，其开始烧结的温度为 1160°C，烧成后底釉的膨胀系数在7. 8 9. 4X 10_6 OO 600°C )之间。然后，利用丝网印花或滚筒印花或喷墨打印进行装饰。接着，在坯体上布30 80目的熔块干粒，数量为3.0 4. Og/cm2，所取熔块由按重量百分比取26. 88%的普通长石、5. 44%的滑石、7. 22%的方解石、26. 75%的石英、2. 30% 的碳酸钡、3. 59%的氧化锌、7. 90%的硼酸、6. 47%的纯碱、13. 45 %的氧化铝制成的，生产采用池炉，在1500 1560°C的温度下熔制，后采用撞击式的粉碎方法得到。其组分及重量比例为Si0255，Al20319. 5，KNaO 8, CaO 4. 5, MgO 2，Zn04，B2035，BaO 2。其熔点为 1200°C， 流动点为1240°C。再接着，送入陶瓷窑中进行烧结，烧成时间为室温 1000°C为35 40分钟， 1000 1180°C为7 10分钟，1180 1220°C为6 8分钟，1220 200°C为；34 36分钟。最后，进行抛光与分选，得到透明全抛釉瓷质砖。实施例2 首先，按重量百分比取8%的新会泥、15%的清远泥、8%的清远铝砂、5%的清新铝砂、沈％的新丰钠砂、18%的清远石粉、20%的信宜砂、5. 5%的银盏砂、2. 5%的黑石粉制成坯体原料，用压机成型600mmX600mm的坯体。该坯体的烧成温度为1180°C，烧成后的收缩率为10%，烧成后坯体的膨胀系数在8. O 9. 2X 10_6(20 600°C )之间，烧成后坯体的吸水率彡0. 1%。。其次，在坯体上施底釉，底釉的厚度为0. 15 0. 25mm。所施底釉是按重量百分比取35%的钠长石、15%的方解石、10%的烧滑石、2%的烧&ι0、7%硅酸锆、10%的氧化铝、3%的石英、5%的烧高岭土、5%的气刀土、8%的透明熔块制成的，其开始烧结的温度为 1100°C，烧成后底釉的膨胀系数在7. 8 9. 4X 10^(20 600°C )之间。然后，利用丝网印花或滚筒印花或喷墨打印进行装饰。接着，在坯体上布30 80目的熔块干粒，数量为3. O 4. Og/cm2，所取熔块由按重量百分比取26. 80%的普通长石、5. 43%的滑石、7. 19%的方解石、29. 38 %的石英、4. 01 % 的碳酸钡、3. 58%的氧化锌、7. 88%的硼酸、6. 45%的纯碱、9.观％的氧化铝制成的，生产采用池炉，在1500 1560°C的温度下熔制，后采用撞击式的粉碎方法得到。其组分及重量比例为Si0258，Al20315. 0，KNaO 8, CaO 4. 5, MgO 2，Zn04，B2035，BaO 3.5。其熔点为 1170°C， 流动点为1210°C。再接着，送入陶瓷窑中进行烧结，烧成时间为室温 1000°C为35 40分钟， 1000 1180°C为7 10分钟，1180 1220°C为6 8分钟，1220 200°C为；34 36分钟。最后，进行抛光与分选，得到透明全抛釉瓷质砖。实施例3 首先，按重量百分比取23%的新会泥、25%的江门砂、8%的清远铝砂、25%的河源钠石粉、10%的惠州砂、8%的新丰石粉、的黑石粉制成坯体原料，用压机成型 600mmX600mm的坯体。该坯体的烧成温度为1220°C，烧成后的收缩率为11%，烧成后坯体的膨胀系数在8. 0 9. 2 X IO"6 (20 600°C )之间，烧成后坯体的吸水率彡0. 1%。其次，在坯体上施底釉，底釉的厚度为0. 15 0.25mm。所施底釉是按重量百分比取35%的钠长石、15%的方解石、10%的烧滑石、2%的烧&ι0、7%硅酸锆、13%的氧化铝、3%的石英、5%的烧高岭土、5%的气刀土、5%的透明熔块制成的，其开始烧结的温度为 1160°C，烧成后底釉的膨胀系数在7. 8 9. 4X 10_6 OO 6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵达峰，詹长春，柯美云，张伟，
申请(专利权)人：佛山市科捷制釉有限公司，
类型：发明
国别省市：