免抛瓷砖的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种在砖体烧结后不需打磨抛光即可显现纹理的免抛瓷砖的制造方法。其要点是在烧结前，采用气体切割或磨削其表面，在切割面或磨削面形成纹理，这样在瓷砖烧成后，就不需打磨抛光，克服了抛光瓷砖防污性差和防滑性差的缺点。

Method for manufacturing non throwing tile

The invention relates to a manufacturing method of a free throwing tile which can show texture without burning and polishing after the brick body is sintered. The key point is that before sintering, using gas cutting or grinding the surface in the cutting surface or grinding surface to form texture, so in tile firing, without polishing, overcomes the shortcomings of poor antifouling and anti slip polishing tile.

【技术实现步骤摘要】
所属
专利技术涉及一种瓷砖的制造方法，尤其是一种在砖体烧结后不需打磨抛光即可显现纹理的。
技术介绍
目前，瓷砖已是大量使用的建材，其中有一类是抛光瓷砖，由于有多样的接近天然石材的纹理变化，人们都乐于采用。其制作方法是，砖体烧结后，经过打磨抛光后，其抛光面显现出类似与天然石材的纹理。然而抛光砖抛光后表面存在大量的开口气孔，容易藏匿污垢，造成防污差，而且表面光滑，造成防滑性差。这都伴随现有的制作方法而生产，难以解决。
技术实现思路
为了克服现有的抛光瓷砖的不足，本专利技术提供一种，使用该方法制造的瓷砖烧结后不需打磨抛光即可显现纹理。本专利技术所提供的，包括以下步骤(1)原料配料，混和；配料的配比为粘土20±10％石粉 40±10％中温沙 25±10％高温沙15±10％化工色料0～5％(2)料球磨；(3)除铁；(4)造粒；(5)陈腐；(6)布料；(7)使用气切割布料层表面；(8)砖胚压制成型； (9)干燥；(10)上釉；(11)烧成；(12)磨边；(13)检验，分级入库。本专利技术所提供的，也可包括以下步骤(1)料配料，混和；配料的配比为粘土 20±10％ 石粉 40±10％中温沙25±10％ 高温沙 15±10％化工色料 0～5％(2)原料球磨；(3)除铁；(4)造粒；(5)陈腐；(6)布料，(7)砖胚压制成型；(8)干燥；(9)磨削砖胚表面；(10)上釉；(11)烧成；(12)磨边；(13)检验，分级入库。上述两种制造方法的步骤(6)采用二次布料，所投放的原料包括形成瓷砖基底的基料和作为色彩图案载体的色料，色料投放在基料上。上釉步骤在釉线上施一层釉或不施釉。使用气体割除面料的厚度为1～2mm。使用磨削去除砖坯表面的厚度为0.2～1mm。专利技术的有益效果是，在烧结前，采用气体切割其表面或采用磨削其表面，在切割面或磨削面形成纹理，这样在瓷砖烧成后，就不需打磨抛光，克服了抛光瓷砖防污性差和防滑性差的缺点。具体实施例方式下面结合实施例对专利技术进一步说明。实施例1专利技术所提供的，包括以下步骤(1)配料，混和；配料的配比为粘土20±10％ 石粉 40±10％中温沙 25±10％ 高温沙 15±10％化工色料0～5％(2)原料球磨；把原料装到球磨机，其水份控制在33±3％，粒度为1.2±1％(250目筛)；(3)除铁；(4)造粒；采用气体干燥，其水份控制在6.5±2％，粒子级配35目筛余 30±20％ 50目筛余 63±30％ 100目以下＜7±6％(5)陈腐；(6)布料；采用二次布料，所投放的原料包括形成瓷砖基底的基料和作为色彩图案载体的色料，色料投放在基料上。(7)使用气体切割砖胚表面；面料的切除量为1～2mm，这样在切割面形成纹理。(8)砖胚压制成型；(9)干燥；最高温度130℃±50℃。(10)上釉；上釉步骤在釉线上施一层釉也可根据需要不施釉。(11)烧成；最高烧结温度1200℃±40℃。(12)磨边；(13)检验，分级入库。实施例2专利技术所提供的，包括以下步骤(1)原料配料，混和；配料的配比为粘土 20±10％ 石粉 40±10％中温沙 25±10％ 高温沙 15±10％化工色料 0～5％(2)原料球磨；把原料装到球磨机，其水份控制在33±3％，粒度为1.2±1％(250目筛)；(3)除铁；(4)造粒；采用气体干燥，其水份控制在6.5±2％，粒子级配35目筛余30±20％ 50目筛余63±30％ 100目以下＜7±6％(5)陈腐；(6)布料；采用二次布料，所投放的原料包括形成瓷砖基底的基料和作为色彩图案载体的色料，色料投放在基料上。(7)砖胚压制成型；(8)干燥；最高温度130℃±50℃。(9)磨削砖胚表面；面料的切除量为0.2～1mm，这样在切割面形成纹理。(10)上釉；上釉步骤在釉线上施一层釉也可根据需要不施釉。(11)烧成；最高烧结温度1200℃±40℃。(12)磨边；(13)检验，分级入库。专利技术所提供的，在烧结前，采用气体切割其表面或采用磨削其表面，在切割面或磨削面形成纹理，这样在瓷砖烧成后，就不需打磨抛光，克服了抛光瓷砖防污性差和防滑性差的缺点。以上所述的具体实施例，仅为本专利技术较佳的实施例而已，举凡依本专利技术申请专利范围所做的等同设计，均应为本专利技术的技术所涵盖。权利要求1.，包括以下步骤(1)原料配料，混和；配料的配比为粘土 20±10％石粉 40±10％中温沙25±10％高温沙 15±10％化工色料 0～5％(2)原料球磨；(3)除铁；(4)造粒；(5)陈腐；(6)布料，(7)使用气切割布料层表面；(8)砖胚压制成型；(9)干燥；(10)上釉；(11)烧成；(12)磨边；(13)检验，分级入库。2.，包括以下步骤(1)原料配料，混和；配料的配比为粘土 20±10％石粉 40±10％中温沙25±10％高温沙 15±10％化工色料 0～5％(2)原料球磨；(3)除铁；(4)造粒；(5)陈腐；(6)布料，(7)砖胚压制成型；(8)干燥；(9)磨削砖胚表面；(10)上釉；(11)烧成；(12)磨边；(13)检验，分级入库。3.根据权利要求1或2所述的，其特征是所述步骤(6)采用二次布料，所投放的原料包括形成瓷砖基底的基料和作为色彩图案载体的色料，色料投放在基料上。4.根据权利要求1或2所述的，其特征是上釉步骤在釉线上施一层釉或不施釉。5.根据权利要求1所述的，其特征是使用气体割除面料的厚度为1～2mm。6.根据权利要求2所述的，其特征是使用磨削去除面料的厚度为0.2～1mm。全文摘要本专利技术涉及一种在砖体烧结后不需打磨抛光即可显现纹理的。其要点是在烧结前，采用气体切割或磨削其表面，在切割面或磨削面形成纹理，这样在瓷砖烧成后，就不需打磨抛光，克服了抛光瓷砖防污性差和防滑性差的缺点。文档编号C04B33/04GK1810708SQ20051003293公开日2006年8月2日 申请日期2005年1月28日 优先权日2005年1月28日专利技术者关锦华 申请人:关锦华本文档来自技高网...

【技术保护点】
免抛瓷砖的制造方法，包括以下步骤：（１）原料配料，混和；配料的配比为：粘土２０±１０％石粉４０±１０％中温沙２５±１０％高温沙１５±１０％化工色料０～５％（２）原料 球磨；（３）除铁；（４）造粒；（５）陈腐；（６）布料，（７）使用气切割布料层表面；（８）砖胚压制成型；（９）干燥；（１０）上釉；（１１）烧成；（１２）磨边； （１３）检验，分级入库。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：关锦华，
申请(专利权)人：关锦华，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]