一种MOSFET器件雪崩能量测试系统技术方案

本实用新型专利技术实施例公开了一种MOSFET器件雪崩能量测试系统，采用可程序控制电感器，逐步增加待测器件的电感负载，同时信号发生器向驱动电路提供驱动信号，驱动电路控制待测器件的开通或截止，再通过测量电路测量所述待测器件在相应的测量电压和/或测量电流下的反馈电压和/或反馈电流，并将测量结果提供给控制模块，控制模块根据所提供的结果判断待测器件是否被雪崩击穿，如果否则控制可程序控制电感器，根据设置的测试初始值及测试步长值，增加待测器件的测试电流或电感负载，直至待测器件被雪崩击穿，同时计算并显示雪崩能量。因此，所述系统能够实现器件雪崩能量的自动程序化测试，使得测试方便简单，且测试结果精确。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种MOSFET器件雪崩能量测试系统
本技术涉及半导体测试
，尤其涉及一种MOSFET器件雪崩能量测试系统。
技术介绍
功率 MOSi7ET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)器件由于其制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、反应速度快、功耗低、价格便宜等优点，被广泛应用于芯片集成领域。所以，功率MOSFET器件在电子通讯方面有着重要的应用，对集成芯片的集成度、功能特性及使用寿命有着重要的影响。近年来，各种便携式终端的出现，给人们的生产、生活带来了巨大的便利。随着科学技术的飞速发展，在不断缩小便携式终端体积的前提下，对其的安全性、可靠性、使用寿命及体积的要求越来越高，进而对功率MOSFET器件的性能要求越来越高。功率MOSFET 器件的 UIS (Undamped Inductive Switching,非钳位感应开关)特性是判定功率MOSFET器件的性能的一个重要因素。UIS特性通常是用来描述功率MOSFET 器件的在非钳制电感电路中能够承受电流大小的能力，即描述功率MOSFET器件的在雪崩击穿下负载能量的能力。最大雪崩能量通常在非钳位感性开关UIS条件下测量，UIS特性的好坏直接决定了功率MOSFET器件的性能及使用寿命。对功率MOSFET器件的来说，UIS失效带来的损伤是不可修复的，因此对功率MOSFET器件雪崩能量的测试也显得尤为重要。现有测试装置在测试功率MOSFET器件的雪崩能量时是以手动调节设置为主，通过手动调节常规电感器、设置测试电流，观察示波器来进而记录能量值。而手动调节测试时，往往在器件被雪崩击穿后不能及时的准确记录最大雪崩能量或是记录错误的最大雪崩能量值，造成测试的失败。因此，研制新的功率MOSFET器件最大雪崩能量测试装置，在半导体测试领域有着重要的意义。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种功率MOSFET器件雪崩能量测试系统，该系统通过可程序控制电感器实现MOSFET器件雪崩能量的自动程序化测试，测试方便且测试结果精确。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案一种MOSFET器件雪崩能量测试系统，其特征在于，包括待测MOSFET 器件；可程序控制电感器，与所述待测MOSFET器件相连接，用于根据设置的测试初始值及测试步长值，逐步增加待测MOSFET器件的电感负载来增大测试能量； 驱动电路，与所述待测MOSFET器件相连接，用于控制所述待测MOSFET器件开通或截止； 信号发生器，与所述驱动电路相连接，用于为所述驱动电路提供驱动信号；测量电路，与待测MOSFET器件相连接，用于测量所述待测MOSFET器件在相应的测量电压和/或测量电流下的反馈电压和/或反馈电流；控制模块，与所述信号发生器、可程序控制电感器以及测量电路相连接，用于计算所述信号发生器的信号脉宽，控制所述信号发生器工作方式，并控制所述可程序控制电感器电感值按照设定测试步长值增加，同时，根据所述测试电路测量的反馈电压和/或反馈电流，判断该待测MOSFET器件是否被击穿，并计算该待测MOSFET器件的雪崩能量。优选的，所述控制模块包括程序控制电路，用于控制所述可程序控制电感器的电感值按照设定测试步长值增加；判断单元，用于判断待测MOSFET器件是否发生雪崩击穿；计算单元，用于计算所述信号发生器的信号脉宽及雪崩能量；显示单元，用于显示所测待测MOSFET器件的雪崩能量。优选的，所述系统还包括电压可调节的高压直流电源，所述高压电源分别与可程序控制电感器和待测 MOSFET器件相连。从上述技术方案可以看出，本技术采用可程序控制电感器，根据设置的测试初始值及测试步长值，逐步增加待测MOSFET器件的测试电流或电感负载，同时信号发生器向驱动电路提供驱动信号，驱动电路控制待测MOSFET器件的开通或截止，再通过测量电路测量所述待测MOSFET器件在相应的测量电压和/或测量电流下的反馈电压和/或反馈电流，并将测量结果提供给控制模块，控制模块根据测量电路所提供的结果判断待测MOSFET 器件是否被雪崩击穿，如果否则控制可程序控制电感器，根据设置的测试初始值及测试步长值，增加待测MOSFET器件的测试电流或电感负载，直至待测MOSFET器件被雪崩击穿，同时计算并显示器件雪崩能量。可见本技术能够实现MOSFET器件雪崩能量的自动程序化测试，使得测试方便简单，且测试结果精确。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例所述功率MOSFET器件雪崩能量测试系统结构示意图；图2为本技术实施例中所述可程序控制电感器的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
中所述，现有的MOSFET器件测试装置是以手动调节设置为主，通过手动调节常规电感器、设置测试电流，观察示波器来进而记录能量值。而手动调节测试时， 往往在器件被雪崩击穿后不能及时、准确的记录最大雪崩能量或是记录错误的最大雪崩能量值，造成测试的失败。针对上述问题，本技术通过控制模块控制可程序控制电感器，根据设置的测试初始值及测试步长值，逐步增加待测MOSFET器件的测试电流或电感负载，同时信号发生器向驱动电路提供驱动信号，驱动电路控制待测MOSFET器件的开通或截止，再通过测量电路测量所述待测MOSFET器件在相应的测量电压和/或测量电流下的反馈电压和/或反馈电流，并将测量结果提供给控制模块，控制模块根据测量电路所提供的结果判断待测 MOSFET器件是否被雪崩击穿，如果否则控制可程序控制电感器，根据设置的测试初始值及测试步长值，增加待测MOSFET器件的测试电流或电感负载，直至待测MOSFET器件被雪崩击穿，同时计算并显示器件雪崩能量。实现了 MOSFET器件雪崩能量的自动化测量，同时使得测试结果更加精确。下面具体介绍本技术实施例所述功率MOSFET器件雪崩能量测试系统的具体结构和工作过程。参考图1，图1为本技术实施例所述功率MOSFET器件雪崩能量测试系统结构示意图。所述MOSFET器件雪崩能量测试系统，包括待测MOSFET 器件， 正如
技术介绍
所述MOSFET器件的UIS特性是判定功率MOSFET器件的性能的一个重要因素，是MOSFET器件的在雪崩击穿下负载能量的能力，所以精确的测试MOSFET器件的雪崩能量，无论是在半导体测试领域，还是在集成电路领域都有着重要的意义。可程序控制电感器，与所述待测MOSFET器件相连接，用于根据设置的测试初始值及测试步长值，逐步增加待测MOSFET器件的电感负载以增加测试能量。驱动电路，与所述待测MOSFET器件相连接，用于控制所述待测MOSFET器件开通或截止。信号发生器，与所述驱动电路相连接，用于为所述驱动电路提供驱动信号。测量电路，与待测MOSFET器件相连接，用于测量所述待测MOSFET器件在相应的测量电压和/或测量电流下的反馈电压和/或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫稳玉，肖乾，
申请(专利权)人：科达半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：