研磨工具制造技术

本实用新型专利技术涉及一种研磨工具，所述研磨工具包含：一底盘；一基材，其支撑于底盘，所述基材具有一研磨侧及多个形成于所述研磨侧而朝外突出的凸起部，每一凸起部具有一基底端、一研磨端及一自所述基底端朝所述研磨端渐缩的截面；以及多个钻石碎粒，其埋设于每一凸起部，且往外突出于每一凸起部，所述钻石碎粒中至少一部分为片状且具有各自对应凸起部的研磨端朝外突出的锐角。本实用新型专利技术利用在每一凸起部的研磨端上形成多个突出的钻石碎粒的锐角，而可以增加与研磨垫接触的锐角接触密度；且利用多个钻石碎粒的锐角具有较立方八面体钻石磨粒的锐角更尖锐的粗糙角度，可以提高对研磨垫的切削率及穿透深度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种可用于化学机械抛光装置或其它精密研磨用的研磨工具。
技术介绍
随着半导体组件的微小化趋势，对于晶圆的平坦度及越少的缺陷的要求越高。目前半导体晶圆的平坦化主要是利用化学机械抛光平坦化技术进行。化学机械抛光平坦化技术是将待抛光研磨的晶圆及研磨液(abrasive slurry)置于一具有微小孔洞(为容纳研磨液之用)且表面粗化的研磨垫上，并轻压晶圆及使晶圆与研磨垫相对旋转以达到研磨效果。在晶圆被研磨的过程中，必须使用具有磨粒的研磨工具随时维持研磨垫所需的孔洞率及表面粗化度。研磨工具的设计需考虑几个主要的因素，包括切削率(cutting rate)，排屑率(切削所产生屑的排除)，穿透深度(磨粒刺入研磨垫的程度)，荷重(施加在研磨工具的下压力(down force)，及磨粒的切削应力，凸出高度及可能脱落的程度等。如图1所示，公开号为2002/018M01的美国专利揭示了一种研磨工具。该研磨工具包括一底盘11，一具有多个凹孔120的基材12及多个分别嵌设在凹孔120的立方八面体 (cuboctahedron)结晶形态的合成钻石碎粒13。上述已知的研磨工具利用凹孔120的形状与钻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：颜天渊，
申请(专利权)人：希力康科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：