【技术实现步骤摘要】
高精度数字式温控器
本技术涉及温控器，特别是一种高精度数字式温控器，主要用于半导体激光器的精确温度控制，如激光二极管(LD)、恒温晶体、恒温激光腔等。技术背景在半导体激光器中，激光二极管、激光腔体和晶体等的许多关键参数都与温度有着密切的关系，如激光二极管输出的中心波长、阈值电流和效率等；激光腔体受温度不同而引起的变形直接影响激光腔的稳定性，严重的会引起激光腔失调，导致功率衰减；晶体的吸收效率与其温度更是有直接的关系，温度不同，晶体的匹配角度就会发生变化，导致激光输出功率不稳定。因此，在实际应用中，总是期望激光二极管、激光腔体和晶体有尽可能稳定的温度。目前应用于半导体激光器中的温控器，都是基于专用的温控集成芯片，如 MAX1968，这种温控器无法对温度进行非线性校正，稳定性不高，温度漂移大。也有数字式温度控制器，如欧姆龙E5系列温控器，该控制器对热敏电阻采用电阻网络进行放大和模数转换，采样信号容易因采样电路的噪声导致存在误差；通过调整半导体制冷片(TE)的电流大小调整目标温度，温度调整滞后性大；接口基本采用RS232或 RS485，而且仅用于参数设置，无...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精度数字式温控器，特征在于其构成包括嵌入式处理器O)，该嵌入式处理器( 包含1个数据处理模块和多个PWM脉宽调制发生器，具有CAN总线，多个IO接口、和多个捕捉端口和多个PWM输出端口，该嵌入式处理器( 接有一个以上的第一类控制回路或/和第二类控制回路。2.根据权利要求1所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的第一类控制回路由温度测量电路(3)、半导体制冷片驱动电路0)、半导体制冷片( 和直流风机(1 构成， 所述的温度测量电路(3)、半导体制冷片驱动电路⑷和第一直流风机(12)都与所述的嵌入式处理器( 相连接，所述的半导体制冷片驱动电路的另一端与所述的半导体制冷片(5)的控制端相连接，所述的温度测量电路(3)与第一直流风机(12)相连，所述的半导体制冷片(5)的一端与控制对象(1 连接。3.根据权利要求2所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的第二类控制回路由温度测量电路、半导体制冷片驱动电路和半导体制冷片构成，所述的温度测量电路和半导体制冷片驱动电路都与所述的嵌入式处理器相连接，所述的半导体制冷片驱动电路的另一端与所述的半导体制冷片相连接，所述的半导体制冷片的另一端与控制对象连接。4.根据权利要求2或3所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的温度测量电路 (3)的构成和连接关系如下第一电容(Cl)的一端和所述的控制对象(1 内部的热敏电阻(Rl)的一端连接后与运算放大器㈧的反相端相连；所述的控制对象(13)的热敏电阻(Rl)的另一端、第四电阻 (R4)的一端、第二电容(以)的一端、运算放大器(A)的输出端的节点与所述的嵌入式处理器O)的CCPO相连接；第四电阻(R4)的另一端、第二电阻(R2)的一端、第三电阻(R3)的一端组成节点与所述的运算放大器(A)的同相输入端相连接，运算放大器(A)的电源端与 3. 3V电源相连接，运算放大器(A)接地端接地；第三电容(O)接在3. 3V电源和地之间，所述的第二电阻(R2)的另一端接3. 3V电源；所述的第一电容(Cl)、第二电容(C2)、第三电容 (C3)和第三电阻(R3)的另一端接地。5.根据权利要求2或3所述的高精度数字式温控器，其特征在于所述的半导体制冷片驱动电路(4)包括一个芯片(U3)，该电路的构成和连接关系如下所述的芯片(U； )的RESET端和第二十九电阻(似9)的一端相连后与所述的嵌入式处理器的PB4端相连接；芯片(U3)的PWMH端、第三十电阻(R30)的一端连接组成节点与所述的嵌入式处理器的PWMO端相连接；芯片(U3)的PHASE、第三i^一电阻(R31) 的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB5相连接；芯片(U3)的FF1、第二十五电阻(R25)的一端组成节点与所述的嵌入式处理器的PB6相连接；芯片(U3)的FF2、第二十...
【专利技术属性】
技术研发人员：田怀勇，施伟，沈宏华，金英杰，
申请(专利权)人：上海致凯捷激光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。