本实用新型专利技术公开一种低功耗消除浪涌的电路及开关电源，该低功耗消除浪涌的电路包括可控硅电路、浪涌抑制电路及延时电路；所述浪涌抑制电路包括第一分压电路及第二分压电路，其中，所述第一分压电路、第二分压电路、延时电路及可控硅电路彼此相互并联连接，所述延时电路在浪涌电流产生时控制所述可控硅电路的闭合，在所述第一分压电路控制所述第二分压电路导通后导通所述可控硅电路。本实用新型专利技术通过简单的元件组成的电路，解决了电源中浪涌保护的问题，而且该浪涌抑制电路的损耗小，尤其适用于大功率电源。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电源
，尤其涉及一种低功耗消除浪涌的电路及开关电源。
技术介绍
浪涌主要指电源接通瞬间产生的强力脉冲，该强力脉冲将形成浪涌电流流入电源设备，对电源设备的电路造成极大的影响。因此，为了消除电源接通瞬间产生的浪涌，人们利用非线性元器件吸收浪涌电流， 例如通过并联电容或者串联电感。如图1所示，通过在变压器TXl的负载端串联热敏电阻 Rl来消除浪涌。上述电路仅能针对小功率电源，而对于大功率电源则需要多个热敏电阻并联。例如300W的电源大约需要3个热敏电阻Rl来维持工作时温升在安规范围内，则其并联的电阻值为1/3R1。随着功率的增大，该并联的热敏电阻将会失去其浪涌保护的作用。
技术实现思路
本技术的主要目的是解决现有技术中大功率电源中热敏电阻的防浪涌效果低而提供一种低功耗消除浪涌的电路，旨在使得该电路结构简单，且有效地消除浪涌。本技术提供了一种低功耗消除浪涌的电路，包括可控硅电路、浪涌抑制电路及延时电路；所述浪涌抑制电路包括第一分压电路及第二分压电路，其中，所述第一分压电路、第二分压电路、延时电路及可控硅电路彼此相互并联连接，所述延时电路在浪涌电流产生时控制所述可控硅电路的闭合，在所述第一分压电路控制所述第二分压电路导通后导通所述可控硅电路。优选地，所述可控硅电路包括可控硅整流器，所述可控硅整流器的阳极与变压器的整流电路连接，阴极与负载电路连接，门极与延时电路连接。优选地，所述第一分压电路包括第一电阻，所述第一电阻与可控硅整流器并联。优选地，所述延时电路包括第三电阻及与其串联的电容，所述电容的与第三电阻连接的结点分别与所述可控硅整流器的门极连接。优选地，所述第二分压电路包括稳压管、第二电阻及三极管，所述稳压管的一端与第一电阻的连接，另一端通过第二电阻与三极管的基极连接；所述三极管的集电极与所述电容的一端连接，发射极与所述电容的另一端连接。优选地，所述可控硅整流器的阻抗比第一电阻的阻抗小。本技术还提供了一种开关电源，包括变压器、负载电路和连接在变压器及负载电路之间的消除浪涌的电路，所述消除浪涌的电路包括可控硅电路、浪涌抑制电路及延时电路；所述浪涌抑制电路包括第一分压电路及第二分压电路，其中，所述第一分压电路、 第二分压电路、延时电路及可控硅电路彼此相互并联连接，所述延时电路在浪涌电流产生时控制所述可控硅电路的闭合，在所述第一分压电路控制所述第二分压电路导通后导通所述可控硅电路。优选地，所述可控硅电路包括可控硅整流器，所述可控硅整流器的阳极与变压器的整流电路连接，阴极与负载电路连接，门极与延时电路连接。优选地，所述第一分压电路包括第一电阻，所述第一电阻与可控硅整流器并联。优选地，所述延时电路包括第三电阻及与第三电阻串联的电容，所述电容的与第三电阻连接的一端分别与三极管及可控硅整流器的门极连接。优选地，所述第二分压电路包括稳压管、第二电阻及三极管，所述稳压管的一端与第一电阻的连接，另一端通过第二电阻与三极管的基极连接；所述三极管的两端分别连接延时电路及负载电路。优选地，所述可控硅整流器的阻抗比第一电阻的阻抗小。本技术通过简单的元件组成的电路，解决了电源中浪涌保护的问题，而且该浪涌抑制电路的损耗小，尤其适用于大功率电源。附图说明图1是现有技术中消除浪涌电路的电路的结构示意图；图2是本技术低功耗消除浪涌的电路优选实施例的结构示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式以下结合说明书附图及具体实施例进一步说明本技术的技术方案。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图2是本技术低功耗消除浪涌的电路结构示意图。参照图2，本技术低功耗消除浪涌的电路包括可控硅电路10、浪涌抑制电路 20及延时电路30。可控硅电路10用于快速导通或切断负载电路2，包括可控硅整流器 SCR1，该可控硅整流器SCRl的阳极与变压器3的整流电路4连接，阴极与负载电路2连接， 门极与延时电路30连接，通过延时电路30，可以控制可控硅整流器SCRl导通或截止。浪涌抑制电路20包括第一分压电路21及第二分压电路22。该第一分压电路21包括第一电阻 Rl ；第二分压电路22包括第二电阻R2、稳压管Dl及三极管Q1。延时电路30包括第三电阻 R3及与第三电阻R3串联的电容C，电容C与第三电阻R3连接的结点与所述可控硅的门极连接。第一电阻Rl与可控硅整流器SCRl并联。稳压管Dl的负极与变压器3的整流电路4 连接，正极与第二电阻R2的一端连接，第二电阻R2的另一端与三极管Ql的基极连接。第三电阻R3的一端与变压器3的整流电路4连接，另一端分别与电容C及三极管Ql的集电极连接，三极管Ql的发射极与负载电路2连接。该低功耗消除浪涌的电路的工作过程如下当浪涌产生时，变压器3通过整流电路4整流后产生浪涌电流。可控硅整流器SCRl 由于第三电阻R3的电阻很大而使得电容Cl两端的电压无法达到可控硅整流器SCRl的门限电压，处于截止状态，因此该浪涌电流全部流经第一电阻Rl至负载电路2。当第一电阻Rl两端的电压增大而使稳压管Dl击穿时，浪涌电流分成两部分一部分流经第一电阻Rl至负载电路2，另一部分流经稳压管Dl及第二电阻R2至三极管Ql的基极，从而使得三极管Ql导通。当三极管Ql导通时，浪涌电流分成三部分第一部分流经第一电阻Rl至负载电路 2，第二部分流经稳压管Dl及第二电阻R2至三极管Ql的基极，第三部分流经第三电阻R3 及三极管Ql至负载电路2。因此，在浪涌产生时，可以依次通过浪涌抑制电路中的第一电阻R1、第二电阻R2 及第三电阻R3来消除浪涌电流。上述延时电路30在浪涌电流产生时控制所述可控硅电路10的闭合，在所述第一分压电路21控制所述第二分压电路22导通后导通所述可控硅电路10。具体地，在浪涌产生时，电容Cl两端的电压无法达到可控硅整流器SCRl的门极电压，因此可控硅整流器SCRl 为断开状态。待第一电阻Rl电压增大，从而控制第二分压电路22的稳压管Dl导通，进而导通三极管Q1。由于电容Cl的两端分别与三极管Ql的发射极与集电极连接，故在浪涌电流流经三极管Ql的同时，电容Cl两端的电压也逐步增大，从而达到可控硅整流器SCRl的门极电压，使得可控硅整流器SCRl导通。而变压器3的整流电路4的电流流经可控硅整流器SCRl至负载电路2。由于可控硅整流器SCRl的阻抗比第一电阻Rl的阻抗小得多，因此在可控硅整流器SCRl导通后，第一电阻Rl处于短路的状态，从而可以解决现有技术中热敏电阻损耗大、发热大的问题。本技术通过简单的元件组成的电路，解决了电源中浪涌保护的问题，而且该浪涌抑制电路的损耗小，尤其适用于大功率电源。本技术还提出了一种开关电源，该开关电源包括变压器3、负载电路2及消除浪涌的电路，所述消除浪涌的电路连接在变压器3的整流电路4与负载电路2之间，如图2 所示。其结构与上述实施例的低功耗消除浪涌的电路的结构一致，在此就不再赘述。该开关电源通过上述结构的消除浪涌的电路，不但通过简单的元件组合有效地消除浪涌，而且使得其消除浪涌的损耗减小，尤其适用于大功率电源。以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制其专利范本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明敏，王坚，
申请(专利权)人：深圳TCL新技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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