一种基于信息系统的低功耗电源检测装置，包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管。本发明专利技术提供的基于信息系统的低功耗电源检测装置，不受直流供电电压影响、功耗小、正向电源毛刺电压的频率采集范围宽。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及嵌入式系统
，特别涉及一种基于信息系统的低功耗电源检测目.0
技术介绍
信息系统是由计算机硬件、网络和通讯设备、计算机软件、信息资源、信息用户和规章制度组成的以处理信息流为目的的人机一体化系统，其主要任务是最大限度地利用现代计算机及网络通讯技术加强企业的信息管理，通过对企业拥有的人力、物力、财力、设备、技术等资源的调查了解建立正确的数据，加工处理并编制成各种信息资料及时提供给管理人员，以便进行正确的决策，不断提高企业的管理水平和经济效益。信息系统处理的各种数据(用户数据、系统数据、业务数据等)在维持系统正常运行上起着至关重要的作用，一旦数据遭到破坏(泄漏、修改、毁坏)，都会在不同程度上造成影响，从而危害到整个信息系统的正常运行。目前针对数据安全的攻击方式有很多，电源毛刺电压攻击就是一种常用的攻击方式。电源毛刺电压攻击是通过快速改变系统供电电压的一种缺陷注入攻击方式，为了保证信息交互系统的安全，系统的供电电压检测电路要能够适应供电电压的变化和能够检测毛刺电压信号。申请号为“200910088706.7”的中国专利技术专利公开了一种防电源毛刺攻击的检测电路，该检测电路采用电阻网络来采集电源毛刺电压。采用电阻网络采集电源毛刺电压不仅存在直流功耗，且电阻网络只能采集电源上的低频信号，对于电源上的高频信号无法实现同比例采集，受到毛刺攻击电压幅度和频率的限制，而该结构的检测电路正常工作时还会受到被检测的电压的直流值影响。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题是提供一种基于信息系统的低功耗电源检测装置，提高正向电源毛刺电压的频率采集范围，减小系统静态功耗。为解决上述问题，本专利技术提供一种基于信息系统的低功耗电源检测装置，包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管； 所述第一电容的一端连接电源负极，所述第一电容的另一端连接所述第一电阻的一端、所述第三电阻的一端以及所述第二 NMOS管的栅极，所述第二电容的一端连接电源正极，所述第二电容的另一端连接所述第二电阻的一端、所述第三电阻的另一端以及所述第一 NMOS管的栅极，所述第一电阻的另一端适于接收第一偏置电流，所述第二电阻的另一端、所述第四NMOS管的源极、所述第五NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极以及所述第七NMOS管的源极接地； 所述第一 NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极、所述第一 PMOS管的漏极、所述第一 PMOS管的栅极以及所述第三PMOS管的栅极，所述第一 NMOS管的源极连接所述第二 NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极连接所述第五NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极并适于接收第二偏置电流，所述第二 NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极、所述第二 PMOS管的漏极、所述第二 PMOS管的栅极以及所述第四PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极连接所述第六NMOS管的漏极、所述第六NMOS管的栅极以及所述第七NMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极连接所述第七NMOS管的漏极并适于输出第一检测信号，所述第一 PMOS管的源极、所述第二 PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极以及所述第四PMOS管的源极适于接收工作电压。可选的，所述第三电阻为可调电阻。可选的，所述基于信息系统的低功耗电源检测装置还包括缓冲器；所述缓冲器适于对所述第一检测信号进行放大处理以产生第二检测信号 可选的，所述缓冲器包括第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及第七PMOS管； 所述第八NMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的栅极并适于接收所述第一检测信号，所述第八NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极、所述第九NMOS管的栅极以及所述第六PMOS管的栅极，所述第九NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极、所述第十NMOS管的栅极以及所述第七PMOS管的栅极，所述第十NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极并适于输出所述第二检测信号，所述第八NMOS管的源极、所述第九NMOS管的源极以及所述第十NMOS管的源极接地，所述第五PMOS管的源极、所述第六PMOS管的源极以及所述第七PMOS管的源极适于接收工作电压。可选的，所述基于信息系统的低功耗电源检测装置还包括锁存器；所述锁存器适于对所述第二检测信号进行锁存处理以产生报警信号。可选的，所述锁存器包括延时电路、二选一数据选择器、第一反相器以及第二反相器; 所述延时电路的输入端连接所述二选一数据选择器的第一输入端并适于接收所述第二检测信号，所述延时电路的输出端连接所述二选一数据选择器的控制端，所述二选一数据选择器的输出端连接所述第一反相器的输入端并适于输出所述报警信号，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述二选一数据选择器的第二输入端。可选的，所述的基于信息系统的低功耗电源检测装置还包括偏置电流产生电路；所述偏置电流产生电路适于提供所述第一偏置电流和所述第二偏置电流。可选的，所述偏置电流产生电路包括第^^一 NMOS管、第十二 NMOS管、第十三NMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第^^一 PMOS管、第十二 PMOS管、第十三PMOS管以及第四电阻； 所述第十一 NMOS管的栅极连接所述第十一 NMOS管的漏极、所述第八PMOS管的漏极以及所述第九PMOS管的栅极，所述第十一 NMOS管的源极、所述第十二 NMOS管的源极以及所述第四电阻的一端接地，所述第八PMOS管的栅极适于接收启动信号，所述第八PMOS管的源极、所述第九PMOS管的源极、所述第十PMOS管的源极、所述第十一 PMOS管的源极、所述第十二 PMOS管的源极以及所述第十三PMOS管的源极适于接收工作电压； 所述第十二 NMOS管的栅极连接所述第十二 NMOS管的漏极、所述第九PMOS管的漏极、所述第十PMOS管的漏极以及所述第十三NMOS管的栅极，所述第十三NMOS管的源极连接所述第四电阻的另一端，所述第十三NMOS管的漏极连接所述第十PMOS管的栅极、所述第十一PMOS管的栅极、所述第十一 PMOS管的漏极、所述第十二 PMOS管的栅极以及所述第十三PMOS管的漏极，所述第十二 PMOS管的漏极适于输出所述第一偏置电压，所述第十三PMOS管的漏极适于输出所述第二偏置电压。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点: 本专利技术提供的基于信息系统的低功耗电源检测装置，采用电容来采集电源上的正向毛刺信号，能够隔离直流供电电压，因而不存在直流功耗。并且，电容能够无失真地采集高频交流信号，使得被检测的毛刺电压信号的范围变宽。通过电容的隔直作用，电源提供的直流供电电压发生变化不会对本检测电路产生影响，因而本检测电路使用灵活。【附图说明】图1是本专利技术实施例的基于信息系统的低功耗电源检测装置的电路图； 图2是本专利技术实施例的缓冲器的电路图； 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于信息系统的低功耗电源检测装置，其特征在于，包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管；所述第一电容的一端连接电源负极，所述第一电容的另一端连接所述第一电阻的一端、所述第三电阻的一端以及所述第二NMOS管的栅极，所述第二电容的一端连接电源正极，所述第二电容的另一端连接所述第二电阻的一端、所述第三电阻的另一端以及所述第一NMOS管的栅极，所述第一电阻的另一端适于接收第一偏置电流，所述第二电阻的另一端、所述第四NMOS管的源极、所述第五NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极以及所述第七NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极以及所述第三PMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极连接所述第五NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极并适于接收第二偏置电流，所述第二NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极、所述第二PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极以及所述第四PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极连接所述第六NMOS管的漏极、所述第六NMOS管的栅极以及所述第七NMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极连接所述第七NMOS管的漏极并适于输出第一检测信号，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极以及所述第四PMOS管的源极适于接收工作电压。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔崇明，
申请(专利权)人：成都贝发信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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