不间断的突入电流保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了不间断的突入电流保护电路，包括负载（40）和电源（45），负载（40）前并联有电容（51），在电源（45）和电容（51）及负载（40）回路中串联有非线性电阻MOSFET（63），非线性电阻MOSFET（63）的另一管脚连接有控制电路（62）、（44）；在控制电路（44）、（62）的前端再设有取样电阻（21）、电容（22），取样电阻（21）、电容（22）的另两端并联至电源（45）。采用一个非线性可控电阻串联中到回路中，通过检测电源处于不同状态下，主动改变非线性电阻的阻值，在电源上电初，突入电流比较大的时候，非线性电阻处于阻值较高状态，随之，非线性阻值逐渐变小,最后该非线性电阻处于低阻值，系统处于稳定工作状态。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电流保护电路，具体是具有持续保护功能不间断的突入电流保护电路。
技术介绍
一般来说，电源转换器是将一种电压的电源转化成另外一种电压的输出，以满足设计需求，但是，由于电源转换器刚上电时，有很大的输入电流产生，即突入电流，其电流远大于正常工作的电流，这个非正常的电流在每次上电时都产生，长期使用会导致电源转换器，滤波电容以及桥式整流管损坏；同时有些前级电源具有输出过电流保护功能，在这种情况下，突入电流大于前级电源保护电流会造成前级电源的重启或关闭。对于突入电流保护，可以采用电阻类器件作为保护电路，在美国专利 US6, 297，979B1采用此种保护电路，在此专利中提到，采用一个负温度系数电路串联在回路中，在系统上电前此电阻阻值很大，达到突然电流保护，然后电流经过电阻，电阻发热，阻值变小，完成通路设计，但此种设计有个缺陷就是当电源工作后断电后再立即上电，此时温度系数电阻处于低电阻阻值，这样就不能达到突然电流保护。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有不间断的突入电流保护电路。不仅能够常态启动下达到突入电流保护功能，同时在短暂断电重启动的状态下，也能达到突入电流保护功能。为了达到上述目的，本技术的技术方案为，不间断的突入电流保护电路，包括负载(40)和电源(45)，负载(40)前并联有滤波电容(51)，其特征在于在电源(45)和电容 (51)及负载(40)回路中串联有非线性电阻(63)，非线性电阻(63)的另一管脚连接有控制电路(62)、(44)。对上述方案的改进在于在控制电路(44)、(62)的前端再设有取样电阻(21)、电容(22)，取样电阻(21)、电容(22)的另两端并联至电源(45)。对上述方案的改进在于所述的非线性电阻(63)采用MOSFET电路。对上述方案的改进在于在取样电阻(21)、电容(22)外再并联有稳压电阻(37) 和稳压管(38)，中间的连接端再连接有滤波发生器(84)和放大电路(73)至非线性电阻 MOSFET (63)。有益效果本技术采用一个非线性可控电阻串联中到回路中，通过检测电源处于不同状态下，主动改变非线性电阻的阻值，在电源上电初，突入电流比较大的时候，非线性电阻处于阻值较高状态，随之，非线性阻值逐渐变小，最后该非线性电阻处于低阻值，系统处于稳定工作状态。附图说明3图1是本技术的电路示意图。图2是本技术的图1的更精确的电路示意图。45电源，51电容，40负载，63非线性电阻M0SFET，62、44控制电路，21取样电阻， 22电容，37稳压电阻，38稳压管，84滤波发生器，73放大电路。具体实施方式本技术如图1、2所示。根据本技术的保护电路，其设计原理是采用一个非线性可控电阻串联在回路里，在不同阶段，控制其电阻值，以达到系统平稳启动，控制突入电流。在系统上电时，非线性可控电阻，处于阻值较高状态，可以抑制突入电流，通过外部控制，调节非线性可控电阻阻值至低阻值，处于正常工作状态。图1所示，在电源45和电容51及负载40回路中串联有非线性电阻M0SFET63，非线性电阻M0SFET63的另一管脚连接有控制电路62、44 ；在控制电路44、62的前端再设有取样电阻21、电容22，取样电阻21、电容22的另两端并联至电源45。非线性电阻采用MOSFET 63，串联在回路中，通过改变非线性电阻M0SFET63的导通电阻来实现抑制突入电流，如果在没有非线性电阻M0SFET63的情况下，系统上电时，电源45和电容51形成瞬时回路，就会有个很大的突入电流，但是当回路中串入可控非线性电阻M0SFET63时，系统上电时，电源45，电容51以及非线性电阻M0SFET63形成一个瞬时回路，此时控制电路44和62使非线性电阻M0SFET63处以一个阻值较高的状态，这样就能有效的抑制突入电流；随着电容51充电到一定程度时，控制电路44和62控制非线性电阻 M0SFET63，使之阻值逐渐变小，电容51也充电完成，最后非线性电阻M0SFET63处于低导通电阻状态，电源45，负载40以及非线性电阻M0SFET63形成一个工作回路。取样电阻21和电容22用于监控上电状态，当系统上电时，取样电阻21和电容22 将上电状态传递给控制电路44和62，控制电路以此为依据，形成一控制波形去驱动非线性电阻M0SFET63，以达到需要限制突入电流时，非线性电阻M0SFET63处于高阻值状态。同时， 为了实现持续地达到不间断突入电流保护，需要对电容22及时复位，控制电路44中集成了放电电路，这样在短暂断电再上电，电容22能够及时复位。取样电阻21和电容22和电源45是一个RC充电电路，其时间常数为τ ，突入电流回路电源45，电容51以及非线性电阻M0SFET63也同样是一个RC冲电路，其时间常数为 τ 2，对于两个RC电路时间常数，设计成如下关系Ig τ l=k*lg τ 2这样可以通过取样电路的时间常数τ 1得出突入电流回路的充电时间常数，因此以采样电路的时间常数τ 1反映突入电流的充电时间常数，以此为控制非线性电阻的依据，产生控制相应的波形，以此达到控制突入电流的目的。图2是在取样电阻21、电容22外再并联有稳压电阻37和稳压管38，中间的连接端再连接有滤波发生器84和放大电路73至非线性电阻M0SFET63。滤波发生器84和放大电路73可以实现控制电路输出电压可控的复杂的波形，以达到更精确的控制，其产生控制波形的依据是对取样电阻21和电容22充电电路的取样；放大电路37和滤波发生器38是用来给控制电路提供工作电源。权利要求1.不间断的突入电流保护电路，包括负载(40)和电源(45)，负载(40)前并联有滤波电容(51)，其特征在于在电源(45)和滤波电容(51)及负载(40)回路中串联有非线性电阻 (63)，非线性电阻(63)的另一管脚连接有控制电路(62、44)。2.如权利要求1所述的不间断的突入电流保护电路，其特征在于在控制电路(44、 62)的前端再设有取样电阻(21)、电容(22)，取样电阻(21)、电容(22)的另两端并联至电源 (45)。3.如权利要求1所述的不间断的突入电流保护电路，其特征在于所述的非线性电阻 (63)采用MOSFET电路。4.如权利要求1或3所述的不间断的突入电流保护电路，其特征在于在取样电阻 (21)、电容(22)外再并联有稳压电阻(37)和稳压管(38)，中间的连接端再连接有滤波发生器(84 )和放大电路(73 )至非线性电阻MOSFET (63 )。专利摘要本技术提供了不间断的突入电流保护电路，包括负载(40)和电源(45)，负载(40)前并联有电容(51)，在电源(45)和电容(51)及负载(40)回路中串联有非线性电阻MOSFET(63)，非线性电阻MOSFET(63)的另一管脚连接有控制电路(62)、(44)；在控制电路(44)、(62)的前端再设有取样电阻(21)、电容(22)，取样电阻(21)、电容(22)的另两端并联至电源(45)。采用一个非线性可控电阻串联中到回路中，通过检测电源处于不同状态下，主动改变非线性电阻的阻值，在电源上电初，突入电流比较大的时候，非线性电阻处于阻值较高状态，随之，非线性阻值逐渐变小,最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明茂，薛礼强，黄连丽，殷旅江，
申请(专利权)人：湖北汽车工业学院，
类型：实用新型
国别省市：