用于磁记录的写入部件包括主磁极和屏蔽物。主磁极具有相对于下磁道方向的第一和第二侧。该屏蔽物用连续地凹入的内侧壁来至少部分地围绕该主磁极。该屏蔽物的内侧壁和该写入部件的移动方向之间的角度大于该主磁极的侧面和该移动方向之间的角度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁头的屏蔽物。
技术介绍
磁头一般含有写入部件和读取部件。读取部件含有用于从记录介质(如，磁盘) 的记录层中读取信息的磁阻(Ml )、巨磁阻(GMR)、隧穿磁阻(TMR)部件。写入部件被设置为产生能使磁矩在记录层上对齐从而表示数据位的磁场。写入部件包括主磁极和返回磁极，每一个均具有磁极尖端。在空气轴承表面 (ABS)，磁极尖端被间隙层分隔开，面向记录介质。导线线圈围绕着由两个磁极形成的磁路的一部分。线圈中的电流在两个磁极中感应出磁信号，被用于将数据写入记录介质中。
技术实现思路
具有内壁的屏蔽物围绕着主磁极。该屏蔽物的内壁相对于下磁道方向的壁角超过了主磁极相对于下磁道方向的壁角。该屏蔽物的一个实施例类似于一个酒杯状的腔体。附图说明图1是根据实施例的垂直记录磁头的剖面视图。图2是根据实施例的写入磁极和“酒杯”状的后屏蔽物(trailing shield)的空气轴承表面视图。图3是对于带有梯形腔体的写入磁极后屏蔽物而言以及对于图2的写入磁极酒杯状后屏蔽物而言有效的磁写入场与磁写入宽度之间的函数关系图。图4是根据实施例的写入磁极和酒杯状后屏蔽腔体的空气轴承表面视图。图5是根据实施例的带有酒杯状后屏蔽腔体的写入磁极的空气轴承表面视图。图6是根据实施例的带有更大的壁角的后屏蔽腔体的写入磁极的空气轴承表面视图。图7根据各种实施例提供了能在绝缘层中产生磁极的示例例程。 具体实施例方式图1是根据各实施例的示例性垂直写入器10的横截面图，其包括主磁极12、返回磁极14和写入线圈16。导电的写入线圈16围绕着后间隙封闭物17，该后间隙封闭物将主磁极12磁性地耦合至返回磁极14。垂直写入器10使磁介质18面向着主磁极12和返回磁极14的空气轴承表面(ABQ。主磁极12包括主磁极本体20、磁轭21和主磁极尖端22。磁轭21耦合至主磁极本体20的上表面。主磁极尖端22具有前沿M和后沿26。在ABS处， 由绝缘材料观使主磁极尖端22与返回磁极14分隔开。写入间隙35是由前沿M和返回磁极14之间的间距所定义的。磁介质18可包括磁性软底层32和磁性硬记录层34。应该注意的是，垂直写入器410的配置仅是说明性的，且根据本专利技术可以替换地采用很多其他配置。例如，垂直写入器 10可包括后屏蔽物、侧屏蔽物或围绕屏蔽物，在记录过程中这些屏蔽物吸收来自主磁极尖端22、记录层34上的磁性侧轨道以及其他来源(诸如返回磁极14的后沿)的杂散磁场。 后屏蔽物36被图示为靠近绝缘层观，该绝缘层观围绕着垂直写入器10的主磁极尖端22。磁介质18相对于垂直写入器10在如箭头A所示方向上移动或转动。为了将数据写入磁介质18，使电流流过导电的写入线圈16，这些写入线圈16穿过位于主磁极12和返回磁极14之间的写入间隙35。这感应出了横跨写入间隙35的磁场。通过使流过导电线圈16的电流的方向发生逆转，被写入磁介质18的数据的极性也被逆转。主磁极12作为后磁极进行操作，且被用于物理地将数据写入磁介质18。相应地，主磁极12定义了被写入的数据的轨道宽度。更具体地，由主磁极尖端22的后沿沈在ABS处的宽度来定义轨道宽度。 主磁极12可由具有高饱和磁矩的材料(诸如附狗或&)!^或其合金)构造。更具体地，在各实施例中，主磁极12被构造为多层磁性材料的层叠，所述多层磁性材料被非磁性绝缘材料观(诸如氧化铝)的多个薄层所分隔开。一个实施例被示于图2中，这是垂直写入器110的ABS视图的示意性表示。如图 2中所示，写入器110包括返回磁极114、主磁极122、绝缘体1 和后屏蔽物136。主磁极 122具有梯形的磁极尖端，该梯形的磁极尖端带有前沿124、后沿126以及侧面140和142。 在这个实施例中，屏蔽物136包括内侧壁150和152、前沿154、后沿156、喉侧壁162和164、 以及出口侧壁166和168。与主磁极122的前沿IM相比，前沿巧4优选地更靠近返回磁极 114，其中可有效地防止任何杂散场到达磁介质。屏蔽物136的内侧壁150和152可以不平行于主磁极122的壁140和142。作为一个可能的结果，屏蔽物136的壁角θ 2可能大于主磁极122的壁角θ 1。该梯形在前沿1 处比在后沿1 处更窄一些，以有助于当磁头位于磁盘的内部和外部时在写入过程中防止歪斜的相关的相邻轨道干扰。在写入器110中，喉侧壁162和164以及出口侧壁166和168都与前沿154相邻， 藉此有可能在写入过程中使这附近的磁场密度最小化。增加壁角以及引入喉侧壁162和 164的重要性在于当响应于更高的面密度记录这一需求而使主磁极122的尺寸减小的时候，磁写入器110的有效写入磁场可显著地超过具有同样尺寸的主磁极且其屏蔽壁平行于主磁极壁142的写入器的有效写入磁场。围绕着写入器110中的主磁极122的屏蔽物136 中的腔体的形状类似于酒杯。主磁极122的长度Ll可能小于屏蔽腔体的长度L2，朝着该腔体的前部的间距Sl可能小于在该腔体的后部的间距S2。为了评估屏蔽物形状如何影响写入性能，对与具有梯形腔体且多个壁平行于壁 140和142的写入器以及具有酒杯状腔体的屏蔽物的写入器110，做出了一系列关于其性能的计算。所测量的变量是主磁极写入宽度、写入磁极壁角θ 1、侧屏蔽间距以及侧屏蔽壁角 θ 2。在梯形腔体中，Θ1= θ 2。主磁极的尺寸在上述两种写入器配置中是一样的。这些计算的示例性结果在图3中示出。在图3中，绘出了最大有效写入磁场 Heff(max)与磁写入器宽度。该数据呈现了具有相同的写入电流、主磁极壁角和主磁极写入器宽度的两种写入器配置的一系列Hrff(Hiax)。Θ1= θ 2的梯形腔体的磁写入器设计的平均结果是由曲线A给出。酒杯状写入器设计110的平均结果是由曲线B给出。对于模拟中所研究的每一种情况，酒杯设计给出了在给定磁写入宽度处始终较高的有效写入磁场以及在相同的写入磁场处较窄的磁写入宽度。图4示出示例性垂直写入器IlOA的ABS视图的示意性表示，其特征也是带有酒杯状腔体的屏蔽物。在图4中，写入器IlOA的各部件类似于写入器110的各部件，且被标记为同样的标号但加了字母“A”。因此，写入器IlOA的主磁极122A类似于写入器110的主磁极122。在这个实施例中，屏蔽物136A的内侧壁150A和152A、喉侧壁162A和164A以及出口侧壁166A和168A是凹入的，从而进一步使侧壁162A和164A所定义的喉区域附近的磁场密度达到最小。侧壁150A和152A的壁角θ 2可以大于主磁极122Α的壁角θ 1。主磁极 122Α的长度LlA可能小于屏蔽腔体的长度L2A，朝着该腔体的前部的间距S IA可能小于在该腔体的后部的间距S2。这个设计可导致在写入过程中有效磁场更大，这是由于在ABS处磁极122Α的磁性覆盖区域更窄。图5是垂直写入器IlOB的ABS视图的示意性图示，示出了本专利技术另一个实施例， 其特征是具有酒杯状腔体的屏蔽物。垂直写入器IlOB类似于写入器110和110Α，且类似的部件被标记为相同的标号但加了字母“B”。在这个实施例中，屏蔽物136Β完全地围绕着写入器磁极122Β。在图5中，该腔体没有延伸到屏蔽物136Β的前沿154Β。该腔体的前端壁170Β位于屏蔽前沿本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高凯中，M·班纳可利，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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