尤其是在集成电路中用于产生金属结晶区域的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于将晶体(8)的薄片固定在与所述薄片具有相同性质的但是无定形或细小晶粒尺寸的金属(6)上，所述金属沉积在基板(1)的沟槽中以形成例如互连线的方法。逐步退火将薄片的晶体结构施加于线上。当除去晶体(8)时，由于其晶粒已大大扩展，可获得高度导电的晶体线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】说明书本专利技术涉及尤其是在集成电路中用于产生(形成)金属结晶区域的方法。金属的导电性(导电率)取决于其晶体结构，这就是试图控制其形成以用于其材料沉积在基板的沟槽中的电路的互连线的原因单晶体线(single-crystalline lines) 或至少大晶粒的晶体线的形成可以提供特别良好的导电性，其伴随较低的发热和提高的电力传输(electricity transmission)，电子传输的缺陷特别集中在晶界处；然而随着对更窄的互连日益增长的需求，这些缺陷变得越来越明显。因此本专利技术的目的是控制元件如集成电路的互连线的晶体微结构，以获得已消除晶界的所述单晶结构或大晶粒结构。当金属结构不是无定形(非晶态)时，在制造时所获得的晶粒通常具有约1至IOOnm量级的尺寸。阐述了本专利技术以获得晶粒约100倍更大量级的晶体结构，从而在沿互连线的长度(1至10 μ m或更大)仅具有一个晶粒或少数晶粒。晶粒的大小可以定义为其平均尺寸。本领域的状态包括以下知识通过金属介质所产生的连续性，当进行热处理如退火时，由在基板的沟槽中形成的互连线以及覆盖在基板的整个表面之上延伸的线且在与线相同的沉积步骤期间形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西里尔·凯龙，西尔万·迈特雷让，
申请(专利权)人：法国原子能及替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：