具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元制造技术

本发明专利技术涉及具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元，其包括：铁磁自由层；具有至少约厚度的增强层；氧化物阻挡层；以及铁磁基准层，其中所述增强层和所述氧化物阻挡层位于所述铁磁基准层和铁磁自由层之间，且所述氧化物阻挡层相邻于所述铁磁基准层，且其中所述铁磁自由层、所述铁磁基准层和所述增强层均具有平面外的磁化方向。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁性自旋扭矩存储单元，尤其涉及具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元。
技术介绍
新型存储器已展现出与常用形式的存储器相匹敌的显著可能性。例如，非易失性自旋转移(spin-transfer)扭矩随机存取存储器(在这里被称为ST-RAM)已被讨论作为 “通用”存储器。磁性隧穿结(MTJ)单元由于其高速、相对高的密度和低功耗而在ST-RAM的应用中引起了很多注意。多数活动已侧重于具有面内磁各向异性的磁性隧穿结单元。然而，对得到足够的温度稳定性需要多低的切换电流存在限制，这进一步限制了 CMOS晶体管尺寸，其最终限制存储器阵列密度。另外，存在非常低的单元形状公差和边缘粗糙度，这些因素可能对照相平版印刷技术形成挑战。设计成提高磁性隧穿结单元结构和材料的技术、设计和修正仍是重要的领先领域以使ST-RAM的优势最大化。
技术实现思路
本公开涉及磁性自旋扭矩存储单元，经常被称为磁性隧穿结单元，其具有与晶片平面垂直对准的(或“面外的”)关联铁磁体层的磁各向异性(即磁化方向)。本专利技术的一个特定实施例是磁性隧穿结单元，包括铁磁自由层；具有至少约15A 厚度的增强层；氧化物阻挡层；以及铁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁元俊，Y·郑，Z·高，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：