用于构形半导体基板的表面的方法和用于实施该方法的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种用于构形半导体基板的表面的方法。其中，用蚀刻半导体基板材料的蚀刻溶液蚀刻上述表面，其中将润湿剂添加到蚀刻溶液，该润湿剂含有水溶性聚合物，特别是以聚乙烯醇的形式。其中，与常规构形方法相比可增加蚀刻溶液的工艺温度，其结果是减少了工艺时间。简化了工艺指导并增加了工艺稳定性。用于实施该方法的合适的构形装置除了具有用于容纳蚀刻溶液(7)的水槽(6)和用于将蚀刻溶液(7)加热到至少85℃的加热器(9)之外，还具有用于排空水槽(6)的蚀刻溶液的可选择性地加热的排空装置(12)、用于从蚀刻溶液(7)去除结晶的水溶性聚合物的去除装置(14，15)以及用于循环蚀刻溶液的循环装置(18)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于构形半导体基板特别是硅基板的表面的方法。该构形方法可便利地用于制造太阳能电池。本专利技术还涉及到用于实施该方法的装置。
技术介绍
特别是在太阳能电池的制造中，可便利地选择性地构形半导体基板诸如硅晶片的表面，以赋予该表面不平坦、粗糙形状并以该方式减少撞击该表面的光发生反射。结果，较多光子穿透到太阳能电池基板中且在那里被吸收，这有助于增加太阳能电池的效率。目前，所制造的全部太阳能电池中的85% -90%是基于结晶硅制造的。其中一半左右使用单晶硅晶片作为基板。为了构形这种太阳能电池的基板的表面，通常通过湿法化学方法粗糙化该基板。对于湿法化学粗糙化硅基板，通常用于工业制造太阳能电池的方法使用氢氧化钾溶液或者氢氧化钠溶液作为局部蚀刻基板表面的蚀刻手段。在这种情况下各向异性地实施该蚀刻，即以不同速度蚀刻硅基板内各晶向。由于在整个基板表面上方不同时开始蚀刻工艺，而是首先始于基板表面上分布的结晶晶核处这一事实，因此遍及基板表面分布的小型锥体(pyramid)开始形成。在适当选择工艺参数的情况下，整个基板表面都覆盖有尺寸为几微米的锥体且由此具有利于基板吸收特性的微观粗糙度。这种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉绍·黑恩，黑尔格·哈弗坎普，乔斯·内斯特·希梅劳基耶夫拉斯，
申请(专利权)人：康斯坦茨大学，
类型：发明
国别省市：