本发明专利技术的目的在于抑制因密闭型容器内部的氛围气体引起的反应物的生成。半导体制造装置(1)具有作为被处理物的晶片(10)、收纳晶片(10)的密闭型容器的FOUP(20)、作为半导体处理装置的蚀刻装置(30)以及以密闭状态在FOUP(20)和蚀刻装置(30)之间进行晶片(10)的传送的EFEM(40)。FOUP(20)具有前门(20a)、在内侧检测温度、湿度和气体浓度的至少一个的传感器部(21)以及发送该传感器部检测到的信息的发送装置(25)。接收装置(31)接收来自发送装置(25)的信息，将该信息提供给净化部(43)。净化部直到FOUP(20)内的温度等满足预先确定的基准值为止进行净化处理。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及收纳晶片等半导体衬底在传送中使用的密闭型容器以及包含它的半导体制造装置。
技术介绍
以往，在半导体处理装置等的处理过程中存在以下的问题。在晶片等的被处理物上残留例如包含卤素原子的生成物和吸附物等，它们与真空处理室外的大气中的水分等接触后反应，发生微小的粒子、缺陷。在明显精密化的半导体上，这些微小的异物对半导体器件的成品率影响很大。为了消除这些微小的异物，例如，在处理后从半导体衬底上除去包含卤素原子的生成物或吸附物。但是，为此需要被处理物的加热机构和水洗机构等的设备。例如，在专利文献1中公开了将堆积在处理后的晶片上的卤素类硅、物理吸附在晶片上的C12、HBr等转化为卤化铵的技术。这些卤化铵因为是水溶性物质，所以能够容易通过液体洗净步骤除去。在专利文献2中公开了向在向处理室传送晶片时通过的真空准备室中不断连续流入惰性气体的技术。在该技术中，能够防止从真空准备室向处理室传送晶片时的带电，和从处理室向真空准备室传送时的晶片上的自然氧化膜成长。另一方面，作为用设置在晶片传送用的盒内的传感器检测放置在盒内的槽上的晶片的有无的技术，已知有专利文献3。在该技术中，将来自传感器的信息存储在存储部中，把存储着的槽信息向盒的外部的设备机器发送。特开2006-1四40号公报特开平5-36618号公报特开2009-158600号公报专利文献1所述的专利技术是设置液体洗净步骤除去晶片上的卤化铵。专利文献2所述的专利技术是通过在预备室中的惰性气体来防止自然氧化膜成长。但是，在这些技术中，当将处理后的晶片收纳在收纳容器中的情况下，该容器内部的温度、湿度、气体浓度等没有得到控制。因此，不能解决因容器内部的气体氛围引起的粒子和缺陷发生的问题。另一方面，专利文献3所述的专利技术是在盒内设置传感器，以无线方式发送信息，但该信息是表示晶片的有无的槽信息，并未考虑温度等的环境信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于抑制因密闭型容器内部的气体氛围引起的反应物的生成。本专利技术的密闭型容器以及半导体制造装置具有以下的特征(1) 一种密闭型容器，是收纳半导体衬底并在传送中使用的密闭型容器，包括传感器部，设置在该容器主体内侧，检测该容器内的温度、湿度和气体浓度中的至少一个；以及3外部输出部，输出由该传感器检测到的信息。(2)根据上述特征(1)所述的密闭型容器，其特征在于上述外部输出部是发送装置。(3) 一种半导体制造装置，包括特征⑵所述的密闭型容器；处理上述半导体衬底的处理装置；以及传送装置，以密闭状态连接上述密闭型容器和上述处理装置，将上述半导体衬底从上述密闭型容器传送到上述处理装置，所述半导体制造装置的其特征在于上述处理装置具有接收部，接收从上述发送装置输出的信息；存储部，存储接收到的信息；以及输出部，输出所存储的信息，上述传送装置具有净化部，调整上述密闭型容器内部的气体氛围，该净化部基于来自输出部的信息，在上述密闭型容器的内部的温度、湿度、气体浓度的至少一个满足预先确定的基准值为止进行净化。如果采用本专利技术，则能够抑制因密闭型容器内部的气体氛围引起的反应物的生成。附图说明图1是表示实施方式的半导体制造装置构成的侧面图。图2是表示实施方式的半导体制造装置构成的功能方框图。图3是表示实施方式的净化输出部的平面图。图4是表示实施方式的半导体制造装置的作用的流程图。图5是另一实施方式的密闭型容器的立体图。符号说明1 半导体制造装置；10 晶片；20 =FOUP ；20a 前门；21 传感器部；22 温度传感器；23 湿度传感器；24 气体浓度传感器；25 发送装置；26 控制部；27 输入部；28 存储部；29 发送部；30 蚀刻装置；31 接收装置；32 控制部；33 接收部；34 存储部；35 输出部；40 =EFEM ；41 输入口 ；42 传送机器人；43 净化部；44 气体切换部；47 气体输出部；48 排气部；50a、50b 气体注入部；51a、51b 气体排出部；52 密闭盖；53 密闭盖导轨；54 螺旋弹簧；55 塞柱。具体实施例方式图1所示的实施方式的半导体制造装置1基本上具有以下的构成。(1)收纳作为被处理物的一个或者多个晶片10的密闭型容器的一个例子的 FOUP (Front Opening Unified Pod)20。(2)作为加工晶片10的处理装置的一个例子的蚀刻装置30。(3)在F0UP20和蚀刻装置30之间，作为在密闭状态下传送晶片10的传送装置的一个例子的 EFEM(Equipment Front End Module 设备前端模块)40。用图2说明半导体制造装置1的构成。F0UP20是以SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International :半导体装置和材料国际标准)为标准的300毫米晶片用的传送装置，从一道工序到另一道工序维持密闭状态传送晶片10。F0UP20具有前门20 ；传感器部21 ；作为外部输出部的发送装置25。传感器部21在FOUP主体20b (容器主体)的内侧具有热电偶、IC温度传感器、 放射温度计等的温度传感器22 ； IC湿度传感器等的湿度传感器23 ；气体浓度传感器M。用传感器部21的各传感器检测到的各个信息(例如，传感器的测量值、根据测量值的异常有无等的信息)被提供给发送装置25。在FOUP主体(容器主体)内，在俯视FOUP主体时，在和收纳在该FOUP主体内的晶片的存在区域重合的位置上，并且在晶片的保持方向(图1中上下方向)上能够将传感器部21设置在上方。这样的话，则特别在检测气体浓度时，检测从处理后的晶片10的表面发生的毒气浓度变得容易。这是因为毒气比空气轻，在发生后从晶片的表面移动到上方的缘故。另外，传感器部21即使不具有全部的检测温度、湿度、气体浓度的3个传感器，也可以至少具有其中的一个传感器，检测温度、湿度、气体浓度之一。发送装置25作为一例具有控制部沈、输入部27、存储部28和发送部29。控制部沈控制发送装置25的各部。在输入部27上输入来自传感器部21的各信息。存储部观存储输入到输入部27的信息。发送部四将存储在存储部观中的信息，即来自传感器21的发送到蚀刻装置30。蚀刻装置30例如是干蚀刻装置。该干蚀刻装置通过反应性气体的低温等离子中的活化原子和试料的化学反应制作挥发性化合物来对晶片进行加工。该蚀刻装置30具备接收来自上述F0UP20的发送装置25的信息的接收装置31。接收装置31作为一个例子具有控制部32、接收部33、存储部34和输出部35。 控制部32控制接收装置31的各部。接收部33接收从发送部四发送的信息(各传感器的测量值)。存储部34存储由接收部33接收到的信息，和以后说明的基准值进行比较，并存储其结果。输出部35将存储在存储部34上的信息输出到EFEM40中。而且，发送装置25 和接收装置31的通信可以是有线方式也可以是无线方式，而特别是在无线方式时，由于取消了单元间配线连接，因而能够得到防止配线的麻烦、配线间错误、消减配线材料成本的效果。作为无线通信的例子能够使用无线LAN方式、高速PHS方式、CDMA方式、W-CDMA方式、 红外线方式等。EFEM40与F0UP20和蚀刻装置30以密闭状态连接，是将晶片本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎克弘，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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