降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案制造技术

本发明专利技术公开了一种降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，对一化学气象淀积设备的工艺腔室进行高流动性清洗，然后进行底流动清洗；对工艺腔室进行H2钝化；在工艺腔室内壁进行预敷层工艺，其中，在H2钝化工艺与预敷层工艺之间还包括：对工艺腔室进行O2钝化工艺。本发明专利技术降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案通过在H2钝化工艺与预敷层工艺之间加入O2钝化工艺，以对工艺腔室的内壁起到钝化保护和修复的作用，从而有效解决HDP工艺中的颗粒问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案。
技术介绍
针对诺法半导体公司的SPEEDTM HDP设备，提出了一种新的工艺清洗(ShutDown Clean)方法，可以有效的降低高密度等离子体化学气象淀积(HDP)工艺的颗粒(particle) 问题。所谓清洗(ShutDown Clean),是当工艺腔室(chamber)积累淀积了一定厚度的薄膜后，需要利用F离子去除淀积在chamber壁上的反应物质，从而减少工艺过程中的颗粒问题，同时提供可持续地工艺条件。HDP工艺由于其自身工艺特点通过SIH4+02的淀积，同时Ar、He或H2的溅射开口作用，从而达到gapfill的功能。particle —直是HDP工艺的最大问题，而且HDP又应用于STI，PMD, ILD等关键工艺步骤。所以HDP的颗粒水平直接影响器件的良率高低。
技术实现思路
本专利技术公开了一种降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，用以防止在化学反应的环境下反应物从工艺腔室壁上剥落掉下落在硅片上造成颗粒从而影响良产率的问题。本专利技术的上述目的是通过以下技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾梅梅，陈建维，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：