双金线芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双金线芯片封装结构，属芯片封装结构技术领域。它包括芯片、芯片表面金属层、金线和封装引脚，所述芯片通过欧姆接触与芯片表面金属层连接，所述芯片表面金属层与金线的一端电连接，所述金线的另一端与封装引脚电连接，所述芯片表面金属层与封装引脚之间通过两根金线连接，金线的直径为20-30微米，所述两根金线在芯片表面金属层上的压焊点相距8-12微米，压焊点的直径为55-65微米。本实用新型专利技术双金线芯片封装结构通过两根金线封装结构代替了传统的一根金线封装结构，从而加大了产品的电流导通能力，提供更大的功耗；另外通过两根金线将芯片与封装引脚连接，降低了单根金线上的流通电流，减少发热量，避免芯片过热。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片封装结构，尤其涉及一种双金线芯片封装结构，属芯片封装结构

技术介绍
所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。以CPU 为例，实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌，而是CPU内核等元件经过封装后的产品。对于芯片而言，封装是必须的，也是至关重要的。一方面因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降；另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB (印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。随着大功率设备越来越广泛的应用，对芯片的通流能力也有了越来越高的要求， 目前传统的封装工艺均采用单金线结构封装，即在芯片的表面金属层上通过压焊的方式， 仅用单根金线压焊在金属层表面和封装引脚之间。经检测，采用单金线结构封装的芯片仅可以承受40A的浪涌电流冲击，浪涌电流为IEC61000-4-5定义的8/20us电流波+1. 2/50us 电压波的组合波形，这一通流能力已无法满足一些大功率设备的需求。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中的不足，提供一种双金线芯片封装结构，使得器件在不改变芯片尺寸情况下，提高器件承受浪涌电流冲击的能力，提供更大的功耗。本技术的目的是通过下述技术方案予以实现的双金线芯片封装结构，包括芯片、芯片表面金属层、金线和封装引脚，所述芯片通过欧姆接触与芯片表面金属层连接， 所述芯片表面金属层与金线的一端电连接，所述金线的另一端与封装引脚电连接，所述芯片表面金属层与封装引脚之间通过两根所述金线连接，金线的直径为20-30微米，两根所述金线在芯片表面金属层上的压焊点相距8-12微米，压焊点的直径为55-65微米。本技术相对于现有技术取得了如下有益效果将芯片表面金属层与封装引脚通过两根金线进行连接，代替了传统的单金线封装结构，运用电学中并联分流的原理，在总流通电流不变的情况下，使得单根金线的流通电流减半，加大了芯片的电流导通能力，提高了芯片功率使用范围。另外，在金线电阻值不变的情况下，流过金线的电流减少，那么金线上的能量损耗也减少，从而减少了金线的发热量，避免造成芯片过热。作为本技术的优选方案，所述金线的直径为25微米。作为本技术的优选方案，所述金线的压焊点直径为60微米。作为本技术的优选方案，两根所述金线在芯片表面金属层的压焊点相距10 微米。附图说明图1为本技术的主视图。图2为本技术的俯视图。图中1.芯片；2.芯片表面金属层；3a、3b.金线；4.封装引脚；5a、5b.压焊点。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细描述。如图1、图2所示，一种双金线芯片封装结构，包括芯片1、芯片表面金属层2、金线 3a,3b和封装引脚4，芯片1通过欧姆接触与芯片表面金属层2连接，芯片表面金属层2与金线的一端电连接，金线的另一端与封装引脚4电连接，芯片表面金属层2与封装引脚4之间通过两根金线3a、!3b连接，作为本技术的优选方案，金线3a、!3b的直径均为25微米， 金线3a、3b的在芯片表面金属层2上的压焊点fe、5b的直径均为60微米，两根金线3a、;3b 在芯片表面金属层2上的压焊点5ajb相距10微米。由于电流在传输过程中，是由电子移动形成的，而电子在移动过程中存在边缘效应，即在金线表面的电子的活跃度远远超过金线内部的电子的活跃度。因此，同样长度的金线，金线截面的周长越大，则通流能力越强。传统的单金线芯片封装结构采用一根直径Dl=37. 5um的金线，金线截面的周长为 Cl=Ji XD1=3. 14X37. 5um=117. 75um。本技术双金线芯片封装结构采用两根直径D2=25um的金线，两根金线截面的总周长为 C2=2X π XD2=2X3. 14X 25um=157um。根据公式C1/C2=I1/I2=0.75 (其中，II、12为芯片所能承受的浪涌冲击电流)，传统工艺生产的器件可以通过的电流为I1=40A，则本技术专利所述的器件可以通过电流为I2=53A，达到了预期目的使得器件在不改变芯片尺寸情况下，仅在原有封装结构上增加一根金线即可提高芯片的通流能力，使其可以承受50A以上的浪涌冲击电流，提供更大的功耗。另外，通过两根金线将芯片与封装引脚连接，在流通总电流不变的情况下，降低了单根金线上的流通电流，减少了金线发热量，避免造成芯片过热。虽然本技术己以较佳实施例披露如上，但本技术并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。权利要求1.一种双金线芯片封装结构，包括芯片、芯片表面金属层、金线和封装引脚，其特征在于，所述芯片通过欧姆接触与芯片表面金属层连接，所述芯片表面金属层与金线的一端电连接，所述金线的另一端与封装引脚电连接，所述芯片表面金属层与封装引脚之间通过两根所述金线连接，金线的直径为20-30微米，两根所述金线在芯片表面金属层上的压焊点相距8-12微米，压焊点的直径为55-65微米。2.根据权利要求1所述的双金线芯片封装结构，其特征在于，所述金线的直径为25微米。3.根据权利要求1所述的双金线芯片封装结构，其特征在于，所述金线的压焊点直径为60微米。4.根据权利要求1所述的双金线芯片封装结构，其特征在于，两根所述金线在芯片表面金属层的压焊点相距10微米。专利摘要本技术涉及一种双金线芯片封装结构，属芯片封装结构
它包括芯片、芯片表面金属层、金线和封装引脚，所述芯片通过欧姆接触与芯片表面金属层连接，所述芯片表面金属层与金线的一端电连接，所述金线的另一端与封装引脚电连接，所述芯片表面金属层与封装引脚之间通过两根金线连接，金线的直径为20-30微米，所述两根金线在芯片表面金属层上的压焊点相距8-12微米，压焊点的直径为55-65微米。本技术双金线芯片封装结构通过两根金线封装结构代替了传统的一根金线封装结构，从而加大了产品的电流导通能力，提供更大的功耗；另外通过两根金线将芯片与封装引脚连接，降低了单根金线上的流通电流，减少发热量，避免芯片过热。文档编号H01L23/488GK202205735SQ20112030844公开日2012年4月25日 申请日期2011年8月23日 优先权日2011年8月23日专利技术者黄素娟 申请人:扬州江新电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄素娟，
申请(专利权)人：扬州江新电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：