【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种主要用于化学气相沉积法中,反应室内的气体分配装置。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术, 是在相当高的温度下,混合气体与基体表面相互作用,使混合气体中的某些成分分解,并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。因此混合气体的流速及在沉降室中的均勻分散度,直接影响着镀层的质量。而现有技术中,进入沉降室的混合气体流速难以控制, 气体在沉降室中分配不均,因此易出现次品,造成浪费。
技术实现思路
为了解决以上问题,本技术提供一种可以降低气体流速,使混合气体均勻进入沉降室,从而保证镀层质量的气体分配装置。本技术采用的技术方案是一种气体分配装置,支架I固定挡板,挡板上端至少安装三层隔板,每层隔板上设有若干通气孔,隔板用支架II固定。上述的气体分配装置,设在不同层的隔板上的通气孔的直径相同或不同。优选的,上述的气体分配装置,从最下层隔板向最上层隔板,每层隔板上的通气孔的直径依次增加。本技术的有益效果是由于设置了挡板,通过挡板首先分散混合气体,使混合气体从挡板的两侧向上流动,避免了混合气体中部密度大,四周密度小下进入沉降室。由于设置了多层隔板,隔板上设有通气孔,使得气体在向上流动过程中,从通气孔中穿插流动, 混合气体被再次分配,进一步使混合气体分布均勻。通气孔的直径从最下层向最上层,其直径依次增加,使气体在充分混合的同时,降低流速,降低气体压力,使得沉降室的压力达到常压。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是图1的俯视图。图3是本技术工作状态简图。具体实施方式如图1和图2所示,一种气体分配装置支架I (1 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:朴万成,黄宇哲,李成哲,金哲男,金上万,李权星,王宏刚,王树才,申光哲,梁旭光,
申请(专利权)人:沈阳金研机床工具有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。