气体分配装置制造方法及图纸

技术编号:7274124 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-18 12:20
本实用新型专利技术涉及一种气体分配装置。采用的技术方案是:支架Ⅰ固定挡板,挡板上端至少安装三层隔板,每层隔板上设有若干通气孔,隔板用支架Ⅱ固定。设在不同层的隔板上的通气孔的直径相同或不同。采用本实用新型专利技术,可以降低进入CVD法沉降室内的气体流速,并保证沉降室内反应气体的均匀分布,从而保证镀层质量。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种主要用于化学气相沉积法中,反应室内的气体分配装置
技术介绍
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术, 是在相当高的温度下,混合气体与基体表面相互作用,使混合气体中的某些成分分解,并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。因此混合气体的流速及在沉降室中的均勻分散度,直接影响着镀层的质量。而现有技术中,进入沉降室的混合气体流速难以控制, 气体在沉降室中分配不均,因此易出现次品,造成浪费。
技术实现思路
为了解决以上问题,本技术提供一种可以降低气体流速,使混合气体均勻进入沉降室,从而保证镀层质量的气体分配装置。本技术采用的技术方案是一种气体分配装置,支架I固定挡板,挡板上端至少安装三层隔板,每层隔板上设有若干通气孔,隔板用支架II固定。上述的气体分配装置,设在不同层的隔板上的通气孔的直径相同或不同。优选的,上述的气体分配装置,从最下层隔板向最上层隔板,每层隔板上的通气孔的直径依次增加。本技术的有益效果是由于设置了挡板,通过挡板首先分散混合气体,使混合气体从挡板的两侧向上流动,避免了混合气体中部密度大,四周密度小下进入沉降室。由于设置了多层隔板,隔板上设有通气孔,使得气体在向上流动过程中,从通气孔中穿插流动, 混合气体被再次分配,进一步使混合气体分布均勻。通气孔的直径从最下层向最上层,其直径依次增加,使气体在充分混合的同时,降低流速,降低气体压力,使得沉降室的压力达到常压。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是图1的俯视图。图3是本技术工作状态简图。具体实施方式如图1和图2所示,一种气体分配装置支架I (1)固定挡板(2),挡板(2)上端至少安装三层隔板(3)(本实施例安装四层隔板),每层隔板(3)上设有若干通气孔(4),隔板 (3)用支架11(5)固定。上述的气体分配装置,设在不同层的隔板(3)上的通气孔(4)的直径相同或不同。本实施例采用同一隔板(3)上的通气孔(4)的直径相同,而不同层隔板(3)上的通气孔(4)的直径不同。具体为从最下层隔板向最上层隔板,每层隔板(3)上的通气孔(4) 的直径依次增加。即最下层隔板上的通气孔的直径最小,向上依次增加,最上层隔板上的通气孔的直径最大。 如图3所示,本技术工作时将本技术置于CVD反应装置(10)的气体室 (20)内。混合气体经进气管(30)和预热室(40)进入气体室(20),首先经挡板(2)阻挡,第一次分散,然后经过多层隔板(3)上的通气孔(4),第二次分散,达到进入沉降室(50)前的混合气体降低了流速和压力,气体在气体室内分散均勻,保证了沉降室内为常压和反应气体分布均勻。权利要求1.一种气体分配装置,其特征在于支架I (1)固定挡板(2),挡板(2)上端至少安装三层隔板(3),每层隔板(3)上设有若干通气孔(4),隔板(3)用支架II (5)固定。2.按照权利要求1所述的气体分配装置,其特征在于设在不同层的隔板(3)上的通气孔(4)的直径相同或不同。3.按照权利要求2所述的气体分配装置,其特征在于从最下层隔板向最上层隔板,每层隔板(3)上的通气孔(4)的直径依次增加。专利摘要本技术涉及一种气体分配装置。采用的技术方案是支架Ⅰ固定挡板,挡板上端至少安装三层隔板,每层隔板上设有若干通气孔,隔板用支架Ⅱ固定。设在不同层的隔板上的通气孔的直径相同或不同。采用本技术,可以降低进入CVD法沉降室内的气体流速,并保证沉降室内反应气体的均匀分布,从而保证镀层质量。文档编号C23C16/455GK202193843SQ201120300858公开日2012年4月18日 申请日期2011年8月18日 优先权日2011年8月18日专利技术者朴万成, 李成哲, 李权星, 梁旭光, 王宏刚, 王树才, 申光哲, 金上万, 金哲男, 黄宇哲 申请人:沈阳金研机床工具有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朴万成黄宇哲李成哲金哲男金上万李权星王宏刚王树才申光哲梁旭光
申请(专利权)人:沈阳金研机床工具有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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