用于核聚变装置块体穿管结构高热负荷部件连接质量的涡流无损检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种测试块体穿管结构高热负荷部件连接质量的涡流无损检测方法。采用管道内置式涡流阵列探头，检测细长铬锆铜管与无氧铜适配层之间的各种缺陷。主要内容为：首先通过磁饱和化技术消除部件中材料磁导率不均匀性给检测结果带来的误差；再通过推拔器将径向固定、轴向可滑动的涡流阵列探头沿管道内运动；该过程中通过计算机控制涡流探头上集成的线圈实现探头的周向扫查，通过探伤仪上的探头磁场激发频率来控制涡流的渗透深度，进而实现1~1.5mm厚的铬锆铜管与1mm厚的无氧铜之间的缺陷检测。该检测方法设备简单，检测效率较高，为该类结构部件的批量验收提供了可行的无损检测方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及聚变装置用高热负荷部件的涡流无损检测方法，具体内容是，块体穿管结构的制备工艺中引入了三种不同金属的复合，形成了双层界面。为了有效地控制其中的无氧铜适配层和铬锆铜水管结合界面的质量，采用内穿过式涡流阵列探头系统检测法。 该方法是将经磁饱和化后的部件，采用内插式涡流阵列探头沿铬锆铜合金水管，通过推拔器使探头在管道内轴向运动，此时计算机控制线圈使其对管道内周向进行扫查，再通过探伤仪的探头激发频率的调整，进而实现该结合位置缺陷的准确定位和定量检测。
技术介绍
ITER氘-氚反应的第一阶段，Be、C和W将作为面向等离子体材料(Plasma facing material,即PFM)与Cu热沉材料结合成为面向等离子体部件(Plasma facing component, 即PFC)。Be形成的PFC将被放置于第一壁位置(低热负荷区域)，C和W形成的PFC则被放置于偏滤器位置(高热负荷区域)。W或C与Cu热沉的连接包括单块类型(Monoblock Type)和平板类型(Flat Type)。 单块类型的特征是在W或C的块体中心区域开孔，然后把Cu冷却水管穿过开孔与块体连接起来。单块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：祁攀，李强，王万景，罗广南，
申请(专利权)人：中国科学院等离子体物理研究所，
类型：发明
国别省市：