触控面板的制造方法技术

本发明专利技术公开一种触控面板的制造方法。此制造方法包括下列步骤。形成金属层于基板上。形成图案化光阻层于金属层上，图案化光阻层具有第一区及第二区，第一区的图案化光阻层的厚度大于第二区的图案化光阻层的厚度。移除露出的金属层以形成金属导线。薄化图案化光阻层，以移除第二区的图案化光阻层。形成绝缘层于金属导线、基板及第一区的图案化光阻层上。移除第一区的图案化光阻层及其上方的绝缘层，以于绝缘层中形成接触窗。形成图案化透明导电层于接触窗中及绝缘层上。形成保护层于图案化透明导电层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种触控面板及其制造方法。
技术介绍
触控接口由于可让使用者轻松输入数据及点选功能，因此相关的触控技术也越来越多元化。触控面板依照感应原理的不同，可分为电阻式(Resistive)、电容式 (Capacitive)、超音波式(Surface Acoustic Wave)及光学式(Optics)。上述电容式触控面板又可分为表面电容式(Surface Capacitive)及投射电容式(Projected Capacitive)。 近年来，以具有多点触控(Multi-Touch)功能的投射电容式触控技术最为受到瞩目。一般的投射电容式技术是利用电极与触控物间的产生电容耦合，并量测电极的电容变化来确定触控位置。这是因为投射式电容触控面板中可采用单层或多层图案化的透明电极来作为感测单元，因此可得到精确的触控位置。上述投射式电容面板若采用单层图案化的透明电极，其制造流程通常需要四道光罩制程。四道光罩制程分别用以形成图案化的金属线、绝缘层、透明电极以及保护层。若采用双层图案化的透明电极，则需要五道光罩制程。若制程所需光罩越多，则制造时间越长。因此，需要一种新颖的制造方法，期能减少制程步骤，以降低制程时间及降低制程成本。
技术实现思路
本专利技术的一态样是在提供一种，其包含下列步骤。形成金属层于基板上。形成图案化光阻层于金属层上，并露出一部分的金属层。上述图案化光阻层具有第一区及第二区，且第一区的图案化光阻层的厚度大于第二区的图案化光阻层的厚度。 移除露出部分的金属层，以形成金属导线并露出一部分的基板。薄化图案化光阻层，以移除第二区的图案化光阻层，使其下方的金属导线露出。形成绝缘层于露出的金属导线、露出部分的基板及第一区的图案化光阻层上。移除第一区的图案化光阻层及位于其上的绝缘层， 以于绝缘层中形成接触窗。形成图案化透明导电层于接触窗中及绝缘层上。形成保护层于图案化透明导电层上。在一实施方式中，形成图案化光阻层步骤包含使用一灰阶光罩。在一实施方式中，图案化光阻层用以定义金属导线。在一实施方式中，第一区的图案化光阻层用以定义接触窗。在一实施方式中，在薄化图案化光阻层后，第一区的图案化光阻层的厚度大于绝缘层的厚度。在一实施方式中，第一区的图案化光阻层的厚度对绝缘层的厚度的比为约3 1至 5 :1。在一实施方式中，移除第一区的图案化光阻层及位于其上的绝缘层步骤包含使用一溶液溶解第一区的图案化光阻层。在一实施方式中，上述透明导电层包含氧化铟锡。在一实施方式中，薄化图案化光阻层的步骤包含以氧气等离子处理图案化光阻层。在一实施方式中，形成保护层的步骤包含于保护层形成一开口，以露出图案化透明导电层。由上述可知，本制造方法可利用三道光罩制程制作触控面板，因此可缩短制程时间及减少生产成本。上述
技术实现思路
旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的理解。此
技术实现思路
并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本专利技术实施例的重要/关键组件或界定本专利技术的范围。在参阅下文实施方式后，本专利技术所属
中具有通常知识者当可轻易了解本专利技术的基本精神及其它专利技术目的，以及本专利技术所采用的技术手段与实施态样。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下图1是绘示依照本专利技术一实施方式的触控面板的俯视示意图。图2A-图2F是绘示依照本专利技术一实施方式的的各制程阶段剖面示意图。具体实施例方式以下将以图式公开本专利技术的复数个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见， 一些公知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式绘示之。图1是绘示依照本专利技术一实施方式的触控面板的俯视示意图。图2A-2F图绘示本专利技术一实施方式的中各制程阶段的剖面示意图，其为沿着图1中A-A’ 的剖面线段。以下将详细说明各个制程步骤。首先，形成金属层120于基板110上，如图2A所示。基板的材质例如可为玻璃。 金属层 120 的材质可为铝(Aluminum)、铬(Chromium)、镍(Nickel)、· (Molybdenum)或钕 (Neodymium)。例如可使用溅镀制程来制作金属层120。然后，形成图案化光阻层130于金属层120上，并露出一部分的金属层120，如图 2A所示。上述图案化光阻层130可分为第一区130a及第二区130b，且第一区130a的图案化光阻层130的厚度大于第二区130b的图案化光阻层130的厚度。在一实施方式中，可使用灰阶光罩来形成图案化光阻层130的第一区130a及第二区130b。举例来说，可先形成一层光阻层，然后藉由灰阶光罩来定义光阻层的的第一区130a及第二区130b的图案。随后，经过显影制程，而可得到不同位置具有不同厚度的图案化光阻层130。上述光阻层可为正型光阻或负型光阻。这是因为在灰阶光罩上各位置的光穿透率不同，使得微影后的图案化光阻层130具有不同的厚度。可使用高对比的光阻剂来制作，而可在显影制程后得到较陡侧壁的图案化光阻层130。然后，根据图案化光阻层130来移除露出部分的金属层120，以形成金属导线122 并露出一部分的基板110，如图2B所示。例如可使用湿式蚀刻制程来移除露出的金属层 120。因此，图案化光阻层130的第一区130a及第二区130b可用以定义金属导线122的图案。接着，薄化图案化光阻层130而移除第二区130b的图案化光阻层，以露出原本第二区130b的图案化光阻层130下方的金属导线122，如图2B所示。例如可使用氧气等离子来去除一定厚度的图案化光阻层130，直至完全去除第二区130b的图案化光阻层130。因此，可暴露出第二区130b的图案化光阻层130下方的金属导线122。并且，第一区130a的图案化光阻层130的厚度也会变薄。留下的第一区130a的图案化光阻层130的厚度可例如为1. 0至1. 5m。接下来，可根据剩余的第一区130a的图案化光阻层130来设计相关制程以制造其它层的结构。随后，形成绝缘层140于露出的金属导线122、露出部分的基板110及第一区130a 的图案化光阻层130上，如图2C所示。绝缘层140的材质可为氧化硅。例如可使用化学气相沉积法来形成绝缘层140。在沉积绝缘层140的制程中，第一区130a的图案化光阻层130 侧边沉积的绝缘层140的厚度可能偏薄或露出部分图案化光阻层130。在一实施方式中，第一区130a的图案化光阻层130的厚度大于绝缘层140的厚度。举例来说，在第一区130a的图案化光阻层130上方的绝缘层140的厚度可例如为0. 2 至 0. 3 m。在一实施方式中，第一区130a的图案化光阻层130的厚度对绝缘层140的厚度之比为约3 :1至5 :1。若上述厚度比越大，则可能露出的图案化光阻层130的面积越大。然后，移除第一区130a的图案化光阻层130及位于其上的绝缘层140，以于绝缘层 140中形成接触窗140a，如图2D所示。移除的方法可利用剥离法(lift-off method)。详细来说，可先使用溶液来溶解光阻层。溶液例如可为碱性溶液。藉由溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佑立，邱维彦，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：