太阳能硅片绒面结构及其制绒方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能硅片绒面结构及其制绒方法，包括硅片体，其特征是硅片体的表面均匀排列布有四棱锥绒面，四棱锥绒面的棱锥高度在底边长的三分之二至三分之一之间。这种太阳能硅片绒面结构的制绒方法，是先在清洗后的硅片体表面印刷聚氯乙烯掩膜层，再对所涂的掩膜层硅片进行刻蚀形成所需的绒面结构；这种呈四棱锥的绒面，增加了太阳光的入射角，由此降低了表面反射强度，易于长期使用后的清洁；并且这种生产制绒方法，对环境没有污染，绒面结构的成形容易控制，可以方便实现所需绒面的形状结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池
，特别是太阳能硅片绒面结构。
技术介绍
能源是人类社会向前发展的基础，环境是人类可持续发展的必要条件。太阳能光伏发电作为一种重要的清洁能源，越来越引起人们的关注。近年来，太阳能电池的产量以前所未有的速度增长，其中多晶硅太阳能电池占据了大多数的份额。现有的太阳能硅晶片绒面结构其形式多样，反射率通常在4 6%，反射强度较小，并且绒面结构形状较复杂，对生产工艺要求高，且不易清洁。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种能最大限度降低表面光反射且易于清洁、制绒方便的太阳能硅片绒面结构。为了实现上述目的，本专利技术所设计的太阳能硅片绒面结构，包括硅片体，其特征是硅片体的表面均勻排列布有四棱锥绒面，四棱锥绒面的棱锥高度在底边长的三分之二至三分之一之间。这种呈四棱锥的绒面，增加了太阳光的入射角，由此降低了表面反射强度，并且由于其棱锥高度低，易于长期使用后的清洁。一种太阳能硅片绒面结构的制绒方法，其特征是先在清洗后的硅片体表面印刷聚氯乙烯掩膜层，再对所涂的掩膜层硅片进行刻蚀形成所需的绒面结构；然后去除硅片表面剩余的掩膜层物质。本专利技术得到的太阳能硅片绒面结构形状简单，生产工艺相对较低，且易于清洁。并且这种生产制绒方法，对环境没有污染，绒面结构的成形容易控制，可以方便实现所需绒面的形状结构。附图说明图1是实施例的整体结构示意图。图中硅片体1、四棱锥绒面2。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。实施例1 如图1所示，本实施列提供的太阳能硅片绒面结构，包括硅片体1，硅片体1的表面均勻排列布有四棱锥绒面2，四棱锥绒面2的棱锥高度是底边长的三分之二。本专利技术提供的太阳能硅片绒面结构的制绒方法是先在清洗后的硅片体表面印刷聚氯乙烯掩膜层，再进行等离子刻蚀方法对已有掩膜层的硅片进行刻蚀，形成所需结构的绒面，然后将其余掩膜层清除。实施例2:本实施列提供的太阳能硅片绒面结构，包括硅片体1，硅片体1的表面均勻排列布有四棱锥绒面2，四棱锥绒面2的棱锥高度是底边长的三分之一。其实现方法如实施例1， 通过对等离子刻蚀的控制，实现具体绒面结构。权利要求1.一种太阳能硅片绒面结构，包括硅片体(1)，其特征是硅片体(1)的表面均勻排列布有四棱锥绒面O)，四棱锥绒面O)的棱锥高度在底边长的三分之二至三分之一之间。2.一种根据权利要求1所述的太阳能硅片绒面结构的制绒方法，其特征是先在清洗后的硅片体(1)表面印刷聚氯乙烯掩膜层，再对所涂的掩膜层硅片进行刻蚀形成所述的绒面结构；然后去除硅片表面剩余的掩膜层物质。全文摘要本专利技术公开了一种，包括硅片体，其特征是硅片体的表面均匀排列布有四棱锥绒面，四棱锥绒面的棱锥高度在底边长的三分之二至三分之一之间。这种太阳能硅片绒面结构的制绒方法，是先在清洗后的硅片体表面印刷聚氯乙烯掩膜层，再对所涂的掩膜层硅片进行刻蚀形成所需的绒面结构；这种呈四棱锥的绒面，增加了太阳光的入射角，由此降低了表面反射强度，易于长期使用后的清洁；并且这种生产制绒方法，对环境没有污染，绒面结构的成形容易控制，可以方便实现所需绒面的形状结构。文档编号H01L31/18GK102403375SQ20111033939公开日2012年4月4日 申请日期2011年11月1日 优先权日2011年11月1日专利技术者俞英芸, 庞井明, 张云国, 张立波, 石义洋 申请人:宁波市鑫友光伏有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庞井明，张云国，俞英芸，张立波，石义洋，
申请(专利权)人：宁波市鑫友光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：