【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压敏粘合带。
技术介绍
将由硅、镓或砷形成的半导体晶片生产为大直径产品，并在其正面形成图案。然后，研磨背面以减少晶片的厚度至通常约100至600 μ m，并将晶片切断并分成元件片(切割)，随后进行安装步骤。在研磨半导体晶片背面的步骤中(背面研磨步骤)，使用压敏粘合带以保护半导体晶片的图案表面。在背面研磨步骤后通常剥离所述压敏粘合带。用于此目的的压敏粘合带需要具有足够的粘着力以便在背面研磨步骤期间不剥离，但也需要具有低粘着力以便所述带在背面研磨步骤后易剥离而不使半导体晶片破损。通常，作为此类压敏粘合带，已使用包括涂布有压敏粘合剂的基材的压敏粘合带。 例如，已提出包括压敏粘合剂层的压敏粘合带，该压敏粘合剂层通过在包含聚乙烯类树脂的基材上施涂丙烯酸类压敏粘合剂获得(W02007/116856)。然而，此类压敏粘合带的生产需要许多步骤，如使基材形成膜的步骤和施涂压敏粘合剂溶液的步骤，因此生产所述带是昂贵的。此外，还有排出大量CO2的问题。另外，在上述生产方法中，有必要在施涂压敏粘合剂溶液后通过干燥来去除有机溶剂，因此存在由于有机溶剂的挥发导致的环境负担的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：生岛伸祐，土生刚志，浅井文辉，大山高辉，鸟居忠雄，龟井胜利，加藤有树，高桥智一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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