一种改进的金属前介质层的构造方法技术

本发明专利技术提供了一种改进的金属前介质层的构造方法，包括如下步骤：制成一个包括硅衬底的硅片，硅衬底上表面具有多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧有源极区和漏极区；在该硅片上表面沉积接触蚀刻停止层；用紫外线对所述氮化硅层表面进行照射，进一步提高氮化硅层的拉伸应力；向硅片所在的反应室内通入富含氢元素的气体等离子体，持续时间为T1；向硅片所在的反应室内通入含有硅的先驱物气体，持续时间为T2；在所述氮化硅层的上表面淀积金属前介质层。本发明专利技术方案可以提高金属前介质层的平坦度以及沟槽填充能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造
，特别涉及。
技术介绍
高纵深比工艺(HARP，High Aspect Ratio Process)被广泛应用于小尺寸的前金属介质(PMD,Pre-Metal Dielectric)沟槽填充过程中。HARP形成的氧化物介质层具有良好的沟槽填充能力以及薄膜质量，但令人遗憾的是，该氧化物介质层对于生长衬底的敏感性很高。现有技术中对小尺寸的金属前介质的构造方法如图1所示，包括如下步骤步骤101 制成一个具有如下结构的硅片，该硅片包括一硅衬底，硅衬底上表面具有多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧有源极区和漏极区；步骤102 在该硅片上表面沉积氮化硅层作为接触蚀刻停止层(ESL，Etch Stop Layer)；步骤103 用紫外线对所述氮化硅层表面进行照射，用以提高氮化硅层的拉伸应力；步骤104:采用HARP工艺在所述氮化硅层的上表面淀积氧化硅膜作为PMD。这一步骤是采用化学气相沉积(CVD)的方法，在CVD反应室内通入四乙基原硅酸(TE0S， Tetraethyl Orthosilicate)气体和臭氧(O3)的混合气体，正常情况下，较低的淀积速度和较高的0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：