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本发明提供了一种改进的金属前介质层的构造方法，包括如下步骤：制成一个包括硅衬底的硅片，硅衬底上表面具有多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧有源极区和漏极区；在该硅片上表面沉积接触蚀刻停止层；用紫外线对所述氮化硅层表面进行照射，进一步提高氮化硅层的拉伸...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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