一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法技术

本发明专利技术属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法。首先在衬底上沉积金属层作为下电极，然后使用磁控溅射设备在金属层上生长氮化铜薄膜，靶材采用高纯铜靶或氮化铜靶；溅射过程中通入高纯氮气（亦可同时通入氩气）作为反应气体；在靶材上施加直流负高压或13.56MHz的射频电压产生辉光放电，电离出氮离子或氩离子轰击靶表面，使靶原子被溅出并在氮离子气氛下化合成铜的氮化物，在磁场诱导下沉积到基片上，形成氮化铜薄层；溅射功率范围为10~200瓦；衬底温度范围为10~200?C。本发明专利技术制备的铜的氮化物可以作为阻变层材料用于高密度阻变式随机存储器中，其制备工艺成熟稳定，阻变薄层电学均匀性好，适合于规模化工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于阻变式随机存储器
，具体涉及一种具有阻变性质的铜的氮化物的制备方法。
技术介绍
非挥发性阻变存储器(Resistance RAM ；简称RRAM)的核心部分是具有两种电阻状态的阻变层，对该阻变层施加电压脉冲，其电阻值会发生从高到低的跳变；在此状态下再施加另一个电压脉冲，材料会重新恢复到高阻态，RRAM就是运用双阻层材料阻值高低的两种状态来储存数据的。目前，发现具有阻变性质的材料主要有过渡金属氧化物Cux0、NiO, ZrO, TaO、TiO、ZnO,钙钛矿结构三元化合物PCMO、SrTi03、SrZrO3等，而一些金属氮化物(如氮化铜)也有与其氧化物相似的电学性质，根据最新的研究成果表明，氮化铜材料在特定工艺条件下也具有阻变性质，但其电学均勻性与百纳米级尺寸下的工艺稳定性还有待进一步优化，目前还无法满足在高密度阻变存储器的要求。磁控溅射是微电子工业中常用的制备手段之一，其工艺成熟稳定、制备的薄膜均勻性好，采用磁控溅射工艺制备氮化铜材料的相关研究也由来已久。但因为氮化铜属于窄禁带半导体，且铜与氮化学反应活性很低，磁控溅射工艺制备的氮化铜薄膜往往导电能力较高，使其作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓京，朱玮，张昕，周永宁，付小牛，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：