有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件，包括：在第一像素区中的第一红子像素区、第一绿子像素区以及深蓝子像素区；以及在第二像素区中的第二红子像素区、第二绿子像素区以及天蓝子像素区，第二像素区与第一像素区相邻，其中第一红子像素区和第二红子像素区每一个都包括第一电极、红有机发光材料图案和第二电极，第一绿子像素区和第二绿子像素区每一个都包括第一电极、绿有机发光材料图案和第二电极；其中深蓝子像素区包括第一电极、深蓝有机发光材料图案和第二电极，天蓝子像素区包括第一电极、天蓝有机发光材料图案和第二电极；其中显示图像的单元像素包括深蓝子像素区和天蓝子像素区至少之一以及第二红子像素区和第二绿子像素区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光器件(OELD)，更特别地，涉及一种在孔径比、色彩再现和分辨率上具有优势的0ELD。
技术介绍
尽管阴极射线管被广泛应用于显示器件，然而，也开发和使用了诸如等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器件(IXD)和OELD的平板显示器。OELD是自发光型，不需要背光单元。因此，OELD重量轻且功耗低。另外，OELD具有出色的视角、对比度和响应时间等特性。特别地，OELD由较简单的工艺制造，因此OELD的生产成本低。近来，提出了柔性OELD。图1是示出现有技术OELD的发光原理的能带图。如图1所示，OELD的有机电致发光二极管10包括阳极21、阴极25、空穴传输层(HTL) 33、电子传输层(ETL) 35和发光材料层(EML) 40。HTL 33和ELT 35位于阳极21和阴极25之间，而发光材料层设置于HTL 33和ELT 35之间。另外，为提高发光效率，有机电致发光二极管10还包括在阳极21和HTL 33之间的空穴注入层(HIL) 37以及在阴极25和ETL 35之间的电子注入层(EIL) 39。当向阳极21和阴极25施加电压时，来自阳极21的空穴和来自阴极25的电子被传输到EML 40以形成激子。激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。结果，从EML 40发光。通常，HIL 37,HTL 33,EML 40,ETL ；35和EIL 39都是通过真空热沉积形成的。在真空热沉积中，在真空腔室中将基板设置于有机材料源的上方。加热该有机材料源，使得有机材料源沉积在基板上。结果，在基板上形成上述元件。在真空热沉积中，将包括多个开口的荫罩紧挨基板的上方设置，从而通过开口沉积有机材料。近来，全色彩OELD包括红、绿和蓝发光材料层，以提供全色彩图像。在这种情况下，为防止在相邻的发光材料层之间的阴影效应，应该在相邻的发光材料层之间有预定空间。预定空间不能用于发光，使得它们被称为死区。为了高分辨率和高色彩再现，优选的是减少死区的面积。然而存在技术限制。因此，为获得高分辨率和高色彩再现，发光材料层的面积被减小。遗憾的是，通过减少发光材料层的面积，OELD的孔径比也减小了。另一方面，近来，提出了四像素型OELD以提高OELD的效率。在四像素型OELD中，也需要提高孔径比。
技术实现思路
本专利技术涉及一种0ELD，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。本专利技术的其它特征和优点将在下面的描述中阐明，并且其中的一部分通过描述显而易见，或通过对本专利技术的实施获悉。本专利技术这些和其它优点可以通过书面描述、权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和获得。根据本专利技术，如在此具体和广泛描述的，提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括在第一像素区中的第一红子像素区、第一绿子像素区以及深蓝子像素区；以及在第二像素区中的第二红子像素区、第二绿子像素区以及天蓝子像素区，所述第二像素区与所述第一像素区相邻，其中所述第一红子像素区和所述第二红子像素区各包括第一电极、红有机发光材料图案和第二电极，所述第一绿子像素区和所述第二绿子像素区各包括所述第一电极、绿有机发光材料图案和所述第二电极，其中所述深蓝子像素区包括所述第一电极、深蓝有机发光材料图案和所述第二电极，所述天蓝子像素区包括所述第一电极、天蓝有机发光材料图案和所述第二电极；其中显示图像的单元像素包括所述深蓝子像素区和所述天蓝子像素区至少之一以及所述第二红子像素区和所述第二绿子像素区。应该理解的是，前面的概括描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，意在提供对要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明附图提供对本专利技术的进一步理解，附图并入到本说明书并构成本说明书的一部分，所述附示本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1是示出现有技术OELD的发光原理的能带图。图2是示出根据本专利技术的OELD的电路图。图3是根据本专利技术的OELD的示意截面图。图4是示出根据本专利技术实施例的OELD的像素排列的示意平面图。图5是示出根据本专利技术实施例的OELD的像素排列的示意平面图。图6A和图6B分别是示出呈现方法和传统方法的示意平面图。图7是示出在根据本专利技术的OELD中的呈现方法的示意平面图。图8至图10分别是示出根据本专利技术实施例的OELD的像素排列的示意平面图。具体实施例方式现在将详细描述优选实施例，所述优选实施例的实例在附图中示出。图2是示出根据本专利技术的OELD的电路图。如图2所示，OELD包括栅线“GL”、数据线“DL”、电源线“PL”、开关薄膜晶体管(TFT) “STr”、存储电容器“MgC”、驱动TFT “DTr”和有机电致发光二极管“E”。栅线“GL”和数据线“DL”彼此交叉，电源线“PL”形成为平行于数据线“DL”。开关TFT “STr”形成在栅线“GL”和数据线“DL”的交叉部分。驱动TFT "DTr"与开关TFT "STr"电连接。驱动TFT “DTr”与有机电致发光二极管“E”电连接。更具体地，有机电致发光二极管“E”的第一电极与驱动TFT "DTr"的漏极连接，而有机电致发光二极管“E”的第二电极与电源线“PL”连接。电源线“PL”向有机电致发光二极管“E”提供源电压。存储电容器“Cst”设置在驱动TFT "DTr"的栅极和源极之间。当通过栅线“GL”向开关TFT “STr”施加信号以导通开关TFT “STr”时，将来自数据线“DL”的信号施加于驱动TFT "DTr"的栅极，以导通驱动TFT “DTr”。结果，从有机电致发光二极管“E”发光。在这种情况下，当驱动TFT “DTr”导通时，确定从电源线“PL”施加于有机电致发光二极管“E”的电流电平，以便有机电致发光二极管“E”能够产生灰度级。 存储电容器“StgC”用于当开关TFT “STr”截止时保持所述驱动TFT “DTr”的栅极的电压。 因此，即使所述开关TFT “STr”截止，从电源线“PL”施加于有机电致发光二极管“E”的电流电平仍保持到下一帧。图3是根据本专利技术的OELD的示意截面图。根据来自有机发光层的光的传播方向， OELD分类为顶发光型和底发光型。以底发光型来说明0ELD。在图3中，OELD 100包括第一基板101、第二基板103和密封图案120。第二基板 103面对第一基板101。密封图案120设置在第一基板101和第二基板103的边缘，以密封在第一基板101和第二基板103之间的空间。在第一基板101上，驱动TFT “DTr”和开关TFT(未示出)形成在每个子像素区 “SP”中。另外，有机电致发光二极管“E”形成在第一基板101的上方，与驱动TFT "DTr" 电连接。有机电致发光二极管“E”包括与驱动TFT “DTr”连接的第一电极111、设置在第一电极111上的有机发光层113以及设置在有机发光层113上的第二电极115。尽管未示出，但驱动TFT “DTr”和开关TFT各包括栅极、半导体层、源极和漏极。例如，顶栅型的驱动 TFT “DTr”可包括多晶硅的半导体层。替代地，底栅型的驱动TFT “DTr”可包括非晶硅和掺杂非晶硅的半导体层。例如，顶栅型驱动TFT “DTr”包括多晶硅的半导体层、在半导体层上的栅绝缘层、 在栅绝缘层上的栅极以及在栅极上方的源极和漏极。半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳俊锡，金龙哲，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：