有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及包含式(1)化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件，涉及相应的化合物，并且涉及制备所述化合物的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电致发光器件
本专利技术涉及电子器件，特别是有机电致发光器件，涉及用于电子器件中，特别是有机电致发光器件中的材料，并且涉及制备这些材料的方法。专利技术背景例如在US4539507、US5151629、EP0676461 和 W098/27136 中描述了其中有机半导体用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。此处使用的发光材料越来越多地是显示磷光而不是荧光的有机金属络合物。出于量子力学原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可以达到最高达四倍的量子和功率效率。在OLED的情况下，特别是还在显示三重态发光(磷光)的OLED的情况下，通常仍需要改进，例如在效率、工作电压和寿命方面还需要进行改进。这特别适用于如下的0LED，其在相对短波长范围中发光，例如发绿光。磷光OLED的性能不仅由使用的三重态发光体决定。特别是，此处使用的其它材料，例如基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料，也是特别重要的。因此，这些材料的改进也可以导致OLED性能的显著改进。在这些材料用于荧光OLED的情况下，也仍然需要改进。根据现有技术，特别是使用酮(例如根据的W02004/093207或W02010/006680的)作为磷光发光体的基质材料。然而，和其它基质材料的情况相同，使用这些基质材料仍需要进行改进，特别是在器件的效率和寿命方面进行改进。 根据现有技术，此外，如下材料用作有机电致发光器件中的磷光发光体的基质材料:咔唑衍生物，例如根据 W02005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP1205527 或W02008/086851的，和吲哚并咔唑衍生物，例如根据W02007/063754或W02008/056746的。这些材料在一些情况下在电化学方面是不稳定的，这导致有机电致发光器件中的副反应。此处同样希望在材料的效率、寿命和热稳定性方面进一步地改进。本专利技术的目的是提供如下的化合物，该化合物适合用于荧光或磷光OLED中，特别是用于磷光OLED中，例如用作基质材料或用作空穴传输/电子阻挡材料或激子阻挡材料或用作电子传输或空穴阻挡材料。特别地，本专利技术的目的是提供如下的基质材料，其适用于绿色、红色以及任选地蓝色的磷光0LED。令人预料不到地，已经发现，在下文中更详细描述的化合物实现了这个目的，并且导致有机电致发光器件的改进，特别是寿命、效率和/或工作电压方面的改进。这特别适用于红色和绿色磷光的电致发光器件，尤其是在使用本专利技术化合物作为基质材料时，情况如此。此外，所述材料的突出之处在于溶液中的氧化稳定性高和温度稳定性高。因此，本专利技术涉及包含这种类型的化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。
技术实现思路
本专利技术涉及包含式(I)化合物的电子器件，本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子器件，其包含式(1)的化合物，其中以下限定适用于使用的符号和标记：Ar在每次出现时相同或不同地是具有5至13个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所述基团可以被一个或多个基团R取代；Ar1是具有5至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R取代并且不含如下的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团具有超过两个直接稠合至彼此上的芳族六元环；Y是‑C(＝O)‑N(Ar1)‑、‑C(＝O)‑O‑、‑CR1＝CR1‑、‑CR1＝N‑、C(R1)2、NR1、O、S、C(＝O)、C(＝S)、C(＝NR1)、C(＝C(R1)2)、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO或SO2；R、R1在每次出现时相同或不同地选自H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar2)2，N(R2)2，C(＝O)Ar2，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar2)2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个C原子的烯基或炔基基团，其中所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，并且其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，所述基团可以被一个或多个基团R2取代，或者这些体系的组合，其中两个或更多个相邻的取代基R或者两个或更多个相邻的取代基R1可以任选地形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R2取代并且不含如下的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团具有超过两个直接稠合至彼此上的芳族六元环；此外，在Ar1上的基团R还可以与Ar上的基团R形成脂族环系；其条件是，不通过所述基团R或R1的成环而形成如下的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团具有超过两个直接稠合至彼此上的芳基基团；Ar2在每次出现时相同或不同地是具有5‑30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个非芳族基团R2取代并且不含如下的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团具有超过两个直接稠合至彼此上的芳族六元环；键合至同一N原子或P原子上的两个基团Ar2此处还可以通过单键或如下的桥连基而彼此桥连，所述桥连基选自N(R2)、C(R2)2或O；R2选自H，D，F，CN，具有1至20个C原子的脂族烃基团，具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I或CN代替，其中两个或更多个相邻的取代基R2可以彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；n在每次出现时相同或不同地是0或1，其中n＝0是指，在式(1)中不存在基团Y，而是在Ar上其中键合Y的位置处，键合取代基R或存在所述基团Ar的杂原子；其条件是在Ar或Ar1上的基团不含内酰胺基团。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.01 EP 11008708.71.电子器件，其包含式⑴的化合物， 2.根据权利要求1所述的电子器件，其选自有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机染料敏化太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场粹熄器件、发光电化学电池、有机激光二极管(O-Laser)和“有机等离子体发射器件”。3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于Ar在每次出现时相同或不同地选自具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团或具有5个芳族环原子的杂芳基基团，其中的每个可以被一个或多个基团R取代，其中两个取代基R还可以彼此形成另外的环系。4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，对于η= 0，Ar选自下式⑵至(5)的基团，和对于η = 1，Ar选自下式(6)至⑶的基团，其条件是，对于η= 1，至少一个基团Ar代表式(6)的基团， 5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的电子器件，其选自式(11)至(21)的化合物，M 6.根据权利要求4或5的电子器件，其特征在于，所有的基团X在每次出现时相同或不同地代表CR。7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述式(I)的化合物选自式(11b)、(11c)、(lid)、(12b)、(12c)和(12d)的化合物， 8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，Ar1选自苯，邻_、间-或对-联苯，邻_、间_、对-或支链的三联苯，直链或支链的四联苯，芴，螺二芴，咔唑，二苯并噻吩，二苯并呋喃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃米尔·侯赛因·帕勒姆，克里斯托夫·普夫卢姆，安雅·雅提斯奇，托马斯·埃伯利，菲利普·斯托塞尔，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE