Ka波段发射子系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种Ka波段发射子系统，包括金属盒体，盒体内有微波电路，盒体上设有LO和IF输入接口，RF输出接口，IF中频放大部分是HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心，所述微波电路包括发射部分、陶瓷滤波器和混频部分，具有增益高，线性度好，对微弱信号传输具有高精度的分辨率的Ka波段发射子系统，其结构紧凑，调试时间短。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于雷达器件与系统领域，具体涉及的是用于Ka波段的发射子系统。
技术介绍
雷达系统将低频信号转变成高频信号，主要依靠的就是发射子系统，它是雷达系统的重要组成部分。雷达系统一般要求发射子系统具有很大的输出功率和良好的线性度， 较好的功率平坦度等。传统Ka波段发射子系统体积较大，各部分电路构成分散，不容易调试，各项指标难于调试或指标调试好要花费较长时间。且整个子系统工作效率低，功率线性度和增益线性度差，灵敏度不高等诸多不足。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有产品的不足，提供一种具有增益高，线性度好，对微弱信号传输具有高精度的分辨率的Ka波段发射子系统，其结构紧凑，调试时间短。本技术的技术方案如下Ka波段发射子系统，包括金属盒体，盒体内有微波电路，盒体上设有LO和IF输入接口，RF输出接口。IF中频放大部分是HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心；所述微波电路包括发射部分、陶瓷滤波器和混频部分。所述Ka波段发射子系统，其盒体镀金属镍。所述Ka波段发射子系统，其IF中频放大部分是HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心；GaAs芯片用环氧胶粘接于盒体上，IF中频放大部分与混频的中频部分用金丝相连接。所述Ka波段发射子系统，混频部分是以HITTITE公司GaAs芯片设计的电路；GaAs 芯片用环氧胶粘接于盒体上；混频芯片RF输出与陶瓷滤波器一端用金丝相连接。所述Ka波段发射子系统，盒体内放置GaAs匪IC和高频PCB及其他电源部分。所述陶瓷滤波器连接在混频输出和发射输入之间。盒体盖板和腔底面构成陶瓷滤波器的屏蔽腔，有利于提高滤波器的带外抑制性能。所述Ka波段发射子系统，陶瓷滤波器是自行设计的微带类滤波器，该滤波器所用材料是氧化铝陶瓷，厚度为0. 254毫米，表面沉金厚度2微米，总长度12毫米，宽度3毫米。 正面由多节金属耦合微带线组成，背面为全金属部分，与传统能实现相同指标的波导结构的滤波器相比，有减小体积的优点。 所述Ka波段发射子系统，LO输入接口、中频放大输入接口是镀镍小型化SMA接头；所述输出接口是2. 9mm接头。 本技术有益效果，因本技术用的MMIC芯片是GaAs材料，其工艺水平已经比较成熟，性能稳定，电路设计简洁，不需要设计MMIC匹配方面的电路，易于调试。混频部分和发射部分之间用陶瓷滤波器连接，以滤除多余的杂散信号，具有增益高，线性度好，对微弱信号传输具有高精度的分辨率的优点。附图说明图1为实施例中本技术模块内部示意图；图2为实施例中本技术的原理框图；图3为实施例中本技术陶瓷滤波器示意图；图4为实施例中本技术模块整体示意图。具体实施方式下面是由系统的需求而设计的Ka波段发射子系统技术指标(1)、RF 发射频率34GHz 36GHz(2), IF 输入频率3GHz 5GHz(3)、LO 输入频率15. 5GHz (4)、LO 输入功率0 5dBm(5)、增益彡 60dB(6)、RF 输出功率彡 25dBm(7)、LO 输入接口 SMA 接口(8)、IF 输入接口 SMA 接口(9)、RF 输出接口 2. 9mm K 接头(10)、工作电压+6V。Ka波段发射子系统，包括金属盒体1，盒体内有微波电路2，盒体上设有L03和IF4 输入接口，RF5输出接口。IF中频放大部分4是HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心；其特征是所述微波电路包括发射部分6、陶瓷滤波器7和混频部分8。Ka波段发射子系统，所述IF中频放大部分4是HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心；GaAs芯片用环氧胶粘接于盒体1上，IF中频放大部分4与混频的中频部分用金丝相连接。Ka波段发射子系统，所述混频部分8是以HITTITE公司GaAs芯片设计的电路； GaAs芯片用环氧胶粘接于盒体1上；混频芯片RF输出与陶瓷滤波器7 —端用金丝相连接。Ka波段发射子系统，所述盒体内放置GaAs MMIC和高频PCB及其他电源部分。所述陶瓷滤波器7连接在混频输出和发射输入之间。盒体盖板和盒体内底面构成陶瓷滤波器 7的屏蔽腔，有利于提高滤波器的带外抑制性能。Ka波段发射子系统，所述陶瓷滤波器7是自行设计的微带类滤波器，该滤波器所用材料是氧化铝陶瓷，厚度为0. 254毫米，表面沉金厚度2微米，总长度12毫米，宽度3毫米。正面由多节金属耦合微带线组成，背面为全金属部分，与传统能实现相同指标的波导结构的滤波器相比，有减小体积的优点。Ka波段发射子系统，所述LO输入接口、中频放大输入接口是镀镍小型化SMA接头； 所述输出接口是2. 9mm接头。本技术用的匪IC芯片是GaAs材料，其工艺水平已经比较成熟，性能稳定，电路设计方便，不需要设计MMIC匹配方面的电路，易于调试。混频部分和发射部分之间用陶瓷滤波器连接，有利于发射子系统实现良好的指标要求。权利要求1.一种Ka波段发射子系统，包括金属盒体，盒体内有微波电路，盒体上设有LO和IF输入接口，RF输出接口，IF中频放大部分是HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心；其特征是所述微波电路包括发射部分、陶瓷滤波器和混频部分。2.根据权利要求1所述的Ka波段发射子系统，其特征为盒体镀金属镍。3.根据权利要求1或2所述的Ka波段发射子系统，其特征是所述IF中频放大部分是 HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心；GaAs芯片用环氧胶粘接于盒体上，IF中频放大部分与混频的中频部分用金丝相连接。4.根据权利要求1或2所述的Ka波段发射子系统，其特征是所述混频部分是以 HITTITE公司GaAs芯片设计的电路；GaAs芯片用环氧胶粘接于盒体上；混频芯片RF输出与陶瓷滤波器一端用金丝相连接。5.根据权利要求1或2所述的Ka波段发射子系统，其特征是所述盒体内放置GaAs MMIC和高频PCB及其他电源部分，所述陶瓷滤波器连接在混频输出和发射输入之间，盒体盖板和腔底面构成陶瓷滤波器的屏蔽腔，有利于提高滤波器的带外抑制性能。6.根据权利要求1或2所述的Ka波段发射子系统，其特征是所述陶瓷滤波器是自行设计的微带类滤波器，该滤波器所用材料是氧化铝陶瓷，厚度为0. 254毫米，表面沉金厚度 2微米，总长度12毫米，宽度3毫米，正面由多节金属耦合微带线组成，背面为全金属部分。7.根据权利要求6所述的Ka波段发射子系统，其特征是所述LO输入接口、中频放大输入接口是镀镍小型化SMA接头；所述输出接口是2. 9mm接头。专利摘要本技术涉及一种Ka波段发射子系统，包括金属盒体，盒体内有微波电路，盒体上设有LO和IF输入接口，RF输出接口，IF中频放大部分是HITTITE公司GaAs芯片以及相应的ATC公司微波电容为核心，所述微波电路包括发射部分、陶瓷滤波器和混频部分，具有增益高，线性度好，对微弱信号传输具有高精度的分辨率的Ka波段发射子系统，其结构紧凑，调试时间短。文档编号G01S7/282GK202159136SQ201120251079公开日2012年3月7日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日专利技术者王合本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｋａ波段发射子系统，包括金属盒体，盒体内有微波电路，盒体上设有ＬＯ和ＩＦ输入接口，ＲＦ输出接口，ＩＦ中频放大部分是ＨＩＴＴＩＴＥ公司ＧａＡｓ芯片以及相应的ＡＴＣ公司微波电容为核心；其特征是所述微波电路包括发射部分、陶瓷滤波器和混频部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王合义，
申请(专利权)人：南京冠君科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：84