组态及制造其中以不同掺杂物定义场效应晶体管的源极和漏极延伸区的半导体结构制造技术

本发明专利技术提供一种沿着半导体主体的上方表面设置的绝缘栅场效应晶体管，其包含被沟道区带(244)横向分离的一对源极/漏极区带(240与242)。栅极电极(262)迭置在该沟道区带上方的栅极介电层(260)上方。每一个源极/漏极区带都包含主要部(240M或242M)及较轻度掺杂的横向延伸区(240E或242E)，该较轻度掺杂的横向延伸区横向接续该主要部且横向延伸在该栅极电极的下方。该横向延伸区沿着该上方半导体表面来终止该沟道区带，且其分别大部分由具有不同原子重量的一对半导体掺杂物来定义。如果该晶体管为非对称装置，该源极/漏极区带便会构成源极与漏极。因此，该源极的横向延伸区的掺杂程度轻于该漏极的横向延伸区，且该源极的横向延伸区相比该漏极的横向延伸区利用较高原子重量的掺杂物来定义。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体技术，特别是绝缘栅类型的场效应晶体管(FET)。除非另外提及，否则，下文所述之所有绝缘栅场效应晶体管(IGFET)都为表面-沟道增强型IGFET。
技术介绍
IGFET是一种半导体装置，其中栅极介电层电气绝缘栅极电极以及延伸在源极区带和漏极区带之间的沟道区带。增强型IGFET中的沟道区带是主体区(其通常被称为基板或是基板区)的一部分，其和源极及漏极形成各自的Pn结。在增强型IGFET中，该沟道区带由源极和漏极之间的所有半导体材料组成。在IGFET操作期间，电荷载子沿着上方半导体表面经由该沟道区带所诱发的沟道从源极移动至漏极。临界电压为在给定的临界(最小) 导通电流定义下该IGFET开始导通电流时的栅极至源极电压的数值。沟道长度为沿着该上方半导体表面介于源极和漏极之间的距离。IGFET应用于集成电路(IC)中以执行各种数字和模拟功能。因为IC操作功能已经发展许多年，所以IGFET已经变得越来越小，从而导致最小沟道长度逐渐减小。以IGFET 的标准型所规定的方式来操作的IGFET通常具有“长沟道”装置的特征。当IGFET的沟道长度缩减到让该IGFET的性能严重偏离标本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种结构，其包括沿着具有第一导电类型的主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，该晶体管包括：该主体材料的沟道区带；第一与第二源极／漏极（Ｓ／Ｄ）区带，其沿着该半导体主体的上方表面位于该半导体主体中、被该沟道区带横向分离、且为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便与该主体材料形成各自的ｐｎ结；栅极介电层，其迭置在该沟道区带上方；以及栅极电极，其迭置在该沟道区带上方的栅极介电层上方，每一个Ｓ／Ｄ区带都包括主要Ｓ／Ｄ部及较轻度掺杂的横向Ｓ／Ｄ延伸区，该较轻度掺杂的横向Ｓ／Ｄ延伸区横向接续该主要Ｓ／Ｄ部且横向延伸在该栅极电极的下方，使得该沟道区带沿着该主体的上方表面终止在该等Ｓ／Ｄ延伸区...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑迪普·R·巴尔，威廉·D·弗伦奇，康斯坦丁·布卢恰，
申请(专利权)人：国家半导体公司，
类型：发明
国别省市：US