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本发明提供一种沿着半导体主体的上方表面设置的绝缘栅场效应晶体管，其包含被沟道区带(244)横向分离的一对源极/漏极区带(240与242)。栅极电极(262)迭置在该沟道区带上方的栅极介电层(260)上方。每一个源极/漏极区带都包含主要部(2...
该专利属于国家半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家半导体公司授权不得商用。

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