【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及静电电容传感器。另外，对于将参考文献视为引入的指定国，参照于平成20年12月4日在日本国专 利申请的日本特愿2008-309408号申请文件所记载的内容，并引入本申请，作为本申请记 载的一部分。
技术介绍
在具备于薄膜的正面形成有天线电极和接地电极的薄膜状电极部的静电电容传 感器中，公知有如下的技术，为了防止误检测也在薄膜的反面形成接地电极(专利文献1)。 在这样的静电电容传感器中，形成在薄膜上的天线电极和接地电极，经由连接器与位于其 他基板上的传感器电路连接，通过该传感器电路的控制，对接地电极施加规定的电位，或者 检测在天线电极和对象物之间的静电电容值。专利文献1 日本特开2007-139555号公报但是，由于如果在薄膜的反面增设了电极，就需要增设用于将该增设的电极连接 到位于其他基板上的传感器电路的端子连接部，随着该端子连接部的增设，产生连接部 (安装连接器的部分)宽度尺寸变大的问题。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种即使在基板反面形成有电极，连接部的宽度尺寸也较小 的静电电容传感器。本专利技术具备基板；传感器电极，其被形成于上述基板的一方...
【技术保护点】
１．一种静电电容传感器，其特征在于，具备：基板；传感器电极，其被形成于上述基板的一方主面，检测该传感器电极与物体之间的静电电容，第一屏蔽电极，其被形成于上述基板的一方主面的上述传感器电极的附近；和第二屏蔽电极，其被形成于上述基板的另一方主面，上述第一屏蔽电极的第一端子连接部和上述第二屏蔽电极的第二端子连接部被设置于相对置的位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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