【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法。更具体而言，本专利技术涉及具有减少的欧姆 损耗的太阳能电池的制造方法。
技术介绍
半导体太阳能电池为人所熟知用于将光转化成电流。太阳能电池的效率部分受限 于欧姆损耗，这受到用于制造太阳能电池的掺杂物扩散和接触丝网印刷的影响。图1示出了一种现有技术太阳能电池100。太阳能电池100将撞击其顶表面上的 受光区域135的光转换为电流，该电流可被传输到负载150。太阳能电池100包括覆盖于ρ 型衬底110上的η型射极层115，从而限定p-n结111。射极层115包含高掺杂的η-阱117， 其形成网格线并且可被覆盖以防反射涂层(ARC) 120。在η-阱117的顶部上形成有金属触 指125，用以将η-阱耦合到总线130。总线130耦合到负载150，其继而耦合到衬底110背 面上的金属接触140。射极层115通过将衬底110暴露于η-型离子源而形成，所述η-型离子随后扩散 到基底100的顶表面中。太阳能电池100的掺杂分布具有若干缺点。第一，随着掺杂物被驱入衬底100的主体中，产生该分布造成在顶表面附近有过 量的未激活掺杂物。这种效...
【技术保护点】
１．一种半导体器件，其包括：具有如下表面的衬底，所述表面包含以掺杂物掺杂至第一掺杂程度的绒面区域，以及形成网格线并且以掺杂物掺杂至比所述第一掺杂程度更大的第二掺杂程度的非绒面区域；以及耦合到所述网格线的导电触指。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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