与金属锗硅材料接合的衬底制造技术

在一个实施例中，一种用于将第一衬底（１０３）接合至第二衬底（３０３）的方法包括在第一衬底之上形成包括金属的层。在一个实施例中，包括金属的层包围半导体器件，其可为微电子机械系统（ＭＥＭＳ）器件。在第二衬底（３０３）上，形成包括硅（４０１）的第一层。在第一层上形成包括锗和硅的第二层（４０３）。在第二层上形成包括锗的第三层（４０５）。使得第三层与包括金属的层接触。向第三层和包括金属的层施加热量（一些实施例中还有压力），以在第一衬底和第二衬底之间形成机械接合材料，其中，机械接合材料是导电性的。在机械接合物包围诸如ＭＥＭＳ的半导体器件的情况下，机械接合物用作保护ＭＥＭＳ的气密性密封是特别有利的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
１．一种方法，包括：在第一衬底之上形成包括金属的层；提供第二衬底；形成由所述第二衬底支撑的包括硅的第一层；在所述第一层上形成包括锗和硅的第二层；在所述第二层上形成包括锗的第三层；使得所述第三层和所述包括金属的层接触；以及在使得所述第三层和所述包括金属的层接触之后，在所述第一衬底和所述第二衬底之间形成机械接合材料，其中，形成机械接合材料包括向所述第三层和所述包括金属的层施加热量，其中，所述接合材料包括所述包括金属的层的金属和所述第三层的材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁本·B·蒙特兹，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US