【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．在硅片上复合ＶＯ２空心球结构的相变型材料，其特征在于，包括硅片衬底和生长在所述衬底表面的ＶＯ２晶体，所述的ＶＯ２晶体沿垂直于硅衬底方向生长。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪娟，郁可，蒋雯陶，黄雁君，朱自强，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31
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