【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米透明半导体无机材料领域，涉及无机薄膜及其制备方法，具体涉及一种屏蔽紫外光、近红外光和可见光透过性强的铈-铝共掺杂氧化锌薄膜及其制备方法。
技术介绍
透明半导体薄膜具有较高的可见光透过率和导电性，具有紫外截止、红外高反射、 微波强衰减等特性，已被广泛应用于各种光电器件中。氧化锌(化学式ZnO)是一种纤锌矿结构的II -VI族化合物，常温下其禁带宽度为3. 37 eV，激子束缚能60meV，易实现高效受激发射，是制作量子效率高、激发阈值低的光电子器件的理想材料；氧化锌薄膜在可见光区具有高的透光率，具有良好的光电特性。通过掺杂其它元素引起ZnO能带结构和载流子浓度的改变，使掺杂ZnO具有不同于本征ZnO的新光电特性。可以只掺杂一种元素得到单掺杂的ZnO，如镓掺杂ZnO、钛掺杂 ZnO等，中国专利CN101696492A公开了一种Al掺杂ZnO薄膜、CN 101575207A公开了 Ge掺杂AZO靶材、CN 101580384A公开了 Ce掺杂AZO靶材，但是研究发现，随着单元素掺杂量的增加，薄膜的紫外截止边蓝移，使得这类单掺杂的ZnO薄膜在应用于制作...
【技术保护点】
１．一种铈－铝共掺杂氧化锌薄膜，其特征在于，含有氧化铈、氧化铝和氧化锌，所述氧化铈：氧化铝：氧化锌的物质的量之比为（１～１０）：（１～６）：１００。
【技术特征摘要】
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