本发明专利技术关于制造具有气垫面(ABS)的换能器的方法和系统。所述方法和系统包括提供至少一个近场换能器(NFT)膜和提供与至少一个NFT膜的一部分大致共面的电子研磨引导(ELG)膜。所述方法和系统还包括从至少一个NFT膜的一部分限定NFT的盘片部分和从ELG膜限定至少一个ELG。盘片部分对应于NFT离ABS位置的临界尺寸。所述方法和系统还包括研磨至少一个换能器。研磨基于来自ELG的信号终止。
【技术实现步骤摘要】
提供对应于能量辅助磁记录换能器的近场换能器的电子研磨引导的系统和方法
技术介绍
图1示出常规的能量辅助磁记录(EAMR)换能器10的一部分。常规EAMR换能器 10用于对记录介质30写入。为此，常规EAMR换能器10从常规激光器(图1中未示出) 接收光或者能量。常规EAMR换能器10包括常规波导12、常规磁极14、和常规近场换能器 (NFT) 16、以及光栅20。常规NFT 16包括盘片部分16B和销钉部分16A。盘片部分16B在垂直于纸平面的方向上比销钉部分16A宽。尽管称为“盘片部分”，部分16B可以具有不同于圆形的形状。另外示出位于光栅20上的激光斑点22。可以是常规EAMR换能器10的一部分的其它部件未被示出。在工作中，来自光栅20上的斑点22的光被耦合到常规波导12。常规波导12将光引导到气垫面(ABS)附近的常规NFT 16。常规NFT 16将来自波导12的能量聚焦到介质 30上的光学斑点32。常规介质30的小区域被斑点32加热。该区域在磁性方便变得更软。 常规EAMR换能器10通过激励常规磁极14将数据磁性地写入记录介质的加热区域。尽管常规EAMR换能器10可以起作用，但是存在缺陷。常规NFT 16的尺寸设计希望被仔细控制。例如，可以期望控制常规NFT 16的销钉部分16A的长度。这可以通过控制盘片部分16B的直径和从ABS到盘片部分16B的距离实现。这种控制可能很难使用常规制造方法实现。因此，常规换能器10的制造可能具有挑战性。因此，需要一种改进EAMR换能器的制造的系统和方法。
技术实现思路
本专利技术描述制造具有气垫面(air-bearing surface, ABS)的换能器的方法和系统。所述方法和系统包括提供至少一个近场换能器(near-field transducer,NFT)膜和提供与至少一个NFT膜的一部分大致共面的电子研磨引导(ELG)膜。所述方法和系统还包括从至少一个NFT膜的一部分限定NFT的盘片部分和从ELG膜限定至少一个ELG。该盘片部分对应于NFT离ABS位置的临界尺寸。所述方法和系统还包括研磨至少一个换能器。基于来自ELG的信号研磨终止。附图说明图1示出常规EAMR换能器；图2是示出EAMR换能器的制造方法的示例实施方式的流程图；图3示出制造期间的磁记录换能器的示例实施方式的一部分；图4示出制造期间的磁记录换能器的另一示例实施方式的一部分；图5是示出磁记录换能器的制造方法的另一示例实施方式的流程图；图6-图16示出制造期间的EAMR换能器的示例实施方式的平面图、截面图、以及 ABS 图。具体实施例方式图2是提供包括近场换能器(NFT)的EAMR换能器的示例实施方式。为了简化，一些步骤可能被省略。方法100在提供单个EAMR换能器的上下文中描述。然而，方法100可以用于大致同时制造多个换能器。方法100还在特定结构的上下文中描述。结构或者层可以包括多个材料和/或多个子层并且可以使用多个子步骤形成。此外，方法在对应于一个换能器的一个电子研磨(lapping)引导(ELG)的上下文中描述。然而，在一些实施方式中， 一个ELG可以对应于多个换能器。或者，单个换能器可以对应于多个ELG。方法100还可以在形成EAMR换能器的其它部分之后开始。例如，方法100可以在形成EAMR头的读取换能器和光波导之后开始。另外，该方法可以与形成EAMR换能器的其它部分交叉。例如，可以在方法100的步骤106和108之间形成包括主磁极或柱(pole)、返回磁极、(若干)线圈和 (若干)屏蔽罩的写入器。通过步骤102，为换能器提供至少一个NFT膜。(若干)NFT膜可以毡状沉积在将形成NFT的区域中。在一些实施方式中，可以为单个NFT使用多个膜。例如，作为步骤102 的一部分可以沉积夹在两个金膜之间的Ru膜。在其它实施方式中，可以使用单个膜，诸如单个金膜。在其它实施方式中可以为NFT膜使用其它材料。步骤102可以包括在将驻留在波导的核与NFT之间的光学透明材料的薄层上沉积(若干)NFT膜。例如，(若干)NFT膜可以沉积在将组成顶部包层的一部分的氧化铝层上。通过步骤104提供与(若干)NFT膜的一部分大致共面的(若干)ELG膜。在一些实施方式中，步骤104包括在将形成ELG的区域中毡状沉积Cr层。在其它实施方式中，可以沉积多个膜或者层和/或可以使用其它材料。步骤104可以包括在将驻留在波导的核与 ELG之间的光学透明材料的薄层上提供(若干)ELG膜。例如，(若干)ELG膜可以沉积在将组成顶部包层的一部分的氧化铝层上。在一些实施方式中，因此，在步骤102和104中可以在相同表面上沉积(若干)NFT膜和(若干)ELG膜。通过步骤106，限定(若干)NFT的至少盘片部分和(若干)ELG的至少一部分。步骤106包括使用单个掩模来限定(若干)NFT的盘片部分和(若干)ELG。NFT的盘片部分从(若干)NFT膜限定，而(若干)ELG从(若干)ELG膜限定。NFT的盘片部分对应于NFT 的临界尺寸。该临界尺寸是从ABS位置到最接近ABS位置的盘片的外径。ABS位置是换能器的将形成ABS的一部分。在一些实施方式中，ELG条带的后边缘对应于盘片的最接近ABS 位置的部分。在一些实施方式中，步骤106包括仅仅限定盘片部分以及(若干)ELG的至少一部分。因此，可以分开限定NFT的盘片部分和销钉部分。在其它实施方式中，步骤106包括限定NFT的盘片和销钉部分两者。在一些实施方式中，盘片和销钉部分(pin portion)从相同膜形成。在这些实施方式中，诸如离子研磨的单个去除步骤可以限定(若干)NFT的盘片和销钉部分。离子研磨还可以限定ELG的至少一部分。在其它实施方式中，盘片和销钉部分可以从多个层形成。在这些实施方式中，可以进行多个去除步骤。例如，假设将从夹着Ru层的两个金层形成NFT。可以从单个掩模层提供盘片部分和ELG掩模。接着可以使用第一离子研磨限定顶部金层的盘片部分和ELG的至少一部分。接着可以提供用于NFT的销钉部分的掩模。可以限定用于底部金层和ELG的底部的销钉和盘片部分。因此，可以使用多个离子研磨步骤以限定NFT和ELG的各个部分。然而，至少(若干)NFT的盘片部分和(若干)ELG使用相同掩模限定。该掩模可以在整个形成中保留在(若干)ELG上。结果，可以用单个掩模确定ELG的几何形状和相对于(若干) NFT的盘片部分的位置。当换能器的期望部件的制造完成时，通过步骤108，换能器被研磨以露出ABS。基于来自(若干)ELG的(若干)信号终止研磨。更具体地，当来自ELG的信号指示ABS处于离(若干)NFT的盘片部分的前端的期望距离(临界尺寸)时，研磨可以终止。例如，可以基于取决于所使用的材料的电阻率以及ELG的几何形状确定ELG的电阻。更具体地，在确定ELG的电阻中使用ELG条带高度。因此，可以使用ELG的电阻确定ELG的期望条带高度， 并且因此确定期望的NFT的临界尺寸。当换能器已经被研磨到期望的ELG电阻时，研磨终止。图3示出可以使用方法100形成的磁记录换能器110的示例实施方式的平面/俯视图、侧视图和截面图。为了简化，没有示出EAMR换能器110的全部部分。图3没有按比例大小绘制。另外，尽管换能器1本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种提供具有气垫面ＡＢＳ的至少一个换能器的方法，所述方法包括：提供至少一个近场换能器ＮＦＴ膜；提供与所述至少一个ＮＦＴ膜的一部分大致共面的电子研磨引导ＥＬＧ膜；从所述至少一个ＮＦＴ膜的所述部分限定盘片部分和从所述ＥＬＧ膜限定至少一个ＥＬＧ，所述盘片部分对应于离ＡＢＳ位置的ＮＦＴ的临界尺寸；以及研磨所述至少一个换能器，所述研磨基于来自所述ＥＬＧ的信号终止。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·胡，Z·王，J·李，
申请(专利权)人：西部数据弗里蒙特公司，
类型：发明
国别省市：US
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