太阳能级单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种用于制备太阳能电池的单晶硅片，一种太阳能级单晶硅片，截面为正多边形，其边数大于等于4，正多边形的最长对角线为150mm～455mm，所述的正多边形的各个角处设置有倒角或圆弧，与传统的准方形硅片相比，正多边形的边数越多，硅料的利用率越高，硅单晶的圆棒的圆弧倒角尺寸越大，则硅料的利用率越高。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池
，尤其是一种用于制备太阳能电池的单晶硅片。
技术介绍
目前单晶太阳能级硅片主要采用CZ法生长<100>晶向的圆棒，经过开方，将圆棒切割成横截面为四角带圆弧的准方形柱体，然后经过滚圆机砂轮滚圆，是原来生长势不均勻的圆棒毛胚获得均一的尺寸，一般磨削量为2-5mm，用这种准方棒进行线切割，即可获用于生产电池的单晶硅片。行业内普遍生产的为6英寸(直径约151mm)和8英寸(直径约 196mm)的圆棒，经过上述加工过程形成125mmX125mm和156mmX 156mm四角带圆弧的准方形硅片；125mmX125mm准方形硅片圆弧直径为150mm，156mmX 156mm准方形硅片圆弧直径为195mm。这种截面形状的太阳能及单晶硅片存在的缺点为硅棒的利用率不高，6英寸的利用率约83. 6%，8英寸的利用率约77%，主要损失在开方产生的边皮，边皮部分虽然可循环投炉使用，但回用越多生产成本越大。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有技术中之不足，提供一种最大限度利用硅料的太阳能级单晶硅片。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种太阳能级单晶硅片，截面为正本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能级单晶硅片，截面为正多边形，其边数大于等于４，其特征在于：正多边形的最长对角线为１５０ｍｍ～４５５ｍｍ，所述的正多边形的各个角处设置有倒角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雪，黄振飞，刘振淮，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32