本发明专利技术揭示了一种手机充电保护电路，该电路由于具有过流保护器件和过压保护器件，其过流保护器件为熔断器，过压保护器件为SiBar半导体浪涌抑制器，这就是本发明专利技术所述的保护电路具有很强的过压和过流保护功能。当手机充电器出现故障产生了很高的电压和电流时，本发明专利技术可以较好的防止其对手机芯片的损坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及手机电路领域，特别涉及一种手机充电保护电路。
技术介绍
目前的手机充电电路通常有专用的充电芯片，或者是将充电芯片集成在手机基带芯片之内。参见图1，图1显示了传统的手机充电电路100，充电输入管脚10、充电芯片20、 电池30依次连接，基带芯片40与上述器件连接以进行充电控制。因为手机充电时可能遇到电压过高的情况，所以有的手机充电电路增加了过压保护功能，一般是在前级加过压保护芯片。这些过压保护功能的电路能够实现在充电器输入电压达到某一上限时自动关闭充电输入，但是这个过压上限一般最高只能达到30V左右。目前市面上充电器的品种很多，存在大小不等数量众多的充电器生产厂商，如果充电器的可靠性能不是很理想，用一段时间后会出现一些故障，比如充电器内部结构变形短路导致的大电流，或者内部变压器短路输出了很高的电压和电流，这些电压或电流已经超过了常规的过压保护功能的范围，极有可能会将充电电路损坏，导致芯片击穿损毁，严重时充电器会爆炸，冒烟。专利申请号为200710177859，名称为“充电保护方法及装置”的专利公开了一种充电保护方案，该方案虽然也涉及过压保护，但是其依靠电压检测单元对电压进行检测，检测到电压异常时将信号传送给充电控制单元以对电压进行控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种手机充电保护电路，实现手机充电时的过压和过流保护。本专利技术提供一种手机充电保护电路，该电路的充电输入管脚连接充电芯片，充电芯片输出端连接所述手机电池，手机的基带芯片分别与所述充电输入管脚、充电芯片以及电池连接以进行充电控制，所述充电输入管脚还与一过压保护器件的一端连接，所述过压保护器件的另一端接地。所述充电输入管脚通过一过流保护器件连接所述充电芯片。所述过压保护器件的最大截止电压Vdm大于所述手机充电时的输入电压，其击穿电压Vbo小于所述手机充电时所述充电芯片和基带芯片充电输入脚的电压上限。所述过流保护器件为熔断器。所述过压保护器件为半导体浪涌抑制器。采用本专利技术所述的一种手机充电保护电路，该电路由于具有过流保护器件和过压保护器件，其过流保护器件为熔断器，过压保护器件为半导体浪涌抑制器，这就是本专利技术所述的保护电路具有很强的过压和过流保护功能。当手机充电器出现故障产生了很高的电压和电流时，本专利技术可以较好的防止其对手机的损坏。附图说明图1是传统的手机充电电路原理框图；图2是本专利技术所述的手机充电电路原理框图；图3是本专利技术所述的过流保护器件的时间电流曲线图；图4是本专利技术所述的过压保护器件的电压电流特性示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例进一步说明本专利技术的技术方案。参见图2，图2显示了本专利技术提供的一种手机充电保护电路200，该电路的充电输入管脚10通过过流保护器件60连接充电芯片20，充电芯片20输出端连接电池30，过压保护器件50连接在充电芯片20的输入端，过压保护器件50的另一端接地。手机的基带芯片 40分别与所述充电输入管脚10、充电芯片20以及电池30连接以进行充电控制。作为一个实施例，所述过压保护器件50为SiBar半导体浪涌抑制器，过压保护器件50的最大截止电压Vdm(在截止状态下，允许加在元件上的最大直流电压)大于所述手机正常充电时的输入电压，其击穿电压Vbo (击穿电压)小于所述手机充电时所述充电芯片 20和基带芯片40的充电输入脚的电压上限。所述过流保护器件60为0402的薄膜表面粘着型特快熔断的熔断器。这样一来，充电器输入电压正常时，过压保护器件50截止，充电正常工作；充电器输入电压超过预定电压时，SiBar半导体浪涌抑制器被击穿，从而将高压引向地下，使输入到手机芯片的电压大大降低，保护芯片不被损坏。参见图3，图3显示了所述0402的薄膜表面粘着型特快熔断的熔断器的时间电流曲线图，下表也显示了其电气特性电气特性权利要求1.一种手机充电保护电路，该电路的充电输入管脚连接充电芯片，充电芯片输出端连接所述手机电池，手机的基带芯片分别与所述充电输入管脚、充电芯片以及电池连接以进行充电控制，其特征在于，所述充电输入管脚还与一过压保护器件的一端连接，所述过压保护器件的另一端接地。2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述充电输入管脚通过一过流保护器件连接所述充电芯片。3.如权利要求1或2所述的保护电路，其特征在于，所述过压保护器件的最大截止电压Vdm大于所述手机充电时的输入电压，其击穿电压Vbo小于所述手机充电时所述充电芯片和基带芯片充电输入脚的电压上限。4.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述过流保护器件为熔断器。5.如权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述过压保护器件为半导体浪涌抑制器。全文摘要本专利技术揭示了一种手机充电保护电路，该电路由于具有过流保护器件和过压保护器件，其过流保护器件为熔断器，过压保护器件为SiBar半导体浪涌抑制器，这就是本专利技术所述的保护电路具有很强的过压和过流保护功能。当手机充电器出现故障产生了很高的电压和电流时，本专利技术可以较好的防止其对手机芯片的损坏。文档编号H02J7/00GK102340154SQ201010238008公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月27日 优先权日2010年7月27日专利技术者黄亮 申请人:上海闻泰电子科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种手机充电保护电路，该电路的充电输入管脚连接充电芯片，充电芯片输出端连接所述手机电池，手机的基带芯片分别与所述充电输入管脚、充电芯片以及电池连接以进行充电控制，其特征在于，所述充电输入管脚还与一过压保护器件的一端连接，所述过压保护器件的另一端接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄亮，
申请(专利权)人：上海闻泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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