单面薄膜云母带绕包铜扁线制造技术

技术编号:7068966 阅读:291 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供了一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体和包覆铜扁导体的绝缘层,绝缘层由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体上形成;本实用新型专利技术还提供了上述单面薄膜云母带绕包铜扁线的制作方法,其将云母带包饶在铜扁导体上而形成本实用新型专利技术的铜扁线。本实用新型专利技术的铜扁线不仅具有耐高温、耐电晕、绝缘性能好等优点,而且机械强度更高,其制作方法中不需要涂绝缘漆,节约了成本,减少了制作过程中的污染。本实用新型专利技术的铜扁线可广泛地应用于高压电机、升降电机及其他电器的绕组中。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电磁线,更特别涉及一种可用于高压电机、特种电机等的单面薄膜云母带绕包铜扁线
技术介绍
电磁线主要用于变压器、电动机以及各种电气设备的绕组中,现有技术中的电磁线是在导体上包覆绝缘层,绝缘层一般为玻璃纤维丝层和/或其他薄膜层等,产品通常需要涂绝缘漆、烘干等步骤,成本较高,且制作过程中污染较大;也存在着单面聚酯薄膜补强少胶粉云母带进行绕包导体形成的电磁线,但该种产品存在耐受温度不够高、机械强度不尚等缺点ο
技术实现思路
为克服现有技术中的上述问题,本技术提供了一种可耐受高温、耐电晕的适用于高压电机、特种电机及电器绕组线圈的单面薄膜云母带绕包铜扁线。本技术采用的技术方案是本技术提供了一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体和包覆该铜扁导体的绝缘层,其中绝缘层由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体上而形成。进一步地,铜扁导体纵截面的宽度a为1.00 5. 60 mm,长度b为3. 55 16. 0 mm。进一步地,绝缘层的厚度A-a为0.5Cf6 mm,优选为0. 50 mm。更进一步地,绝缘层的厚度A-a为0. 40 士0. 02 mm,优选为0. 40 mm。再进一步地,绝缘层的厚度A-a为0. 43 士0. 02 mm,优选为0. 43 mm。其中,绝缘层的厚度A-a为绝缘层在高度方向上的厚度。更进一步地,该铜扁线可耐受的温度为180 200°C。与现有技术相比,本技术具有下列优点本技术所提供的铜扁线采用聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体上而形成,该种铜扁线具有耐高温、耐电晕及机械强度高等优点,本技术所提供的该种铜扁线不需要在铜导体上涂绝缘漆,可节约成本,减少制作过程中的污染,本技术的单面薄膜云母带绕包铜扁线可适用于高压电机、特种电机及其他电器等的绕组中。附图说明图1为本技术的铜扁线的铜扁导体的纵截面示意图;图2为本技术的铜扁线的纵截面示意图;图中1、铜扁导体;2、绝缘层。具体实施方式以下结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述,以使本技术的优点和特征更易于被本领域技术人员理解,从而对本技术的保护范围作出更为清除明确的界定。参阅图1至图2,本技术的一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体1 和包覆铜扁导体1的绝缘层2,绝缘层2由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体1上形成。铜扁导体1纵截面的宽度a为2. M mm,长度b为7. 10 mm,绝缘层2的高度方向上的厚度A-a为0.43 mm。本技术的单面薄膜云母带绕包铜扁线可耐受的温度为 180 200°C,而以往的单面聚酯薄膜补强少胶粉云母带绕包铜导体可耐受的温度在150°C 左右,显然本技术的铜扁线可耐受更高的温度,同时也具有更高的机械强度,更适用于高压电机、升降机及电器绕组线圈等。以上对本技术的特定实施例进行了说明,但本技术的保护内容不仅仅限定于以上实施例,在本技术的所属
中,只要掌握通常知识,就可以在其技术要旨范围内进行多种多样的变更。权利要求1.一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体(1)和包覆所述铜扁导体(1)的绝缘层(2),其特征在于所述绝缘层(2)由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在所述铜扁导体(1)上形成。2.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线,其特征在于所述铜扁导体(1) 纵截面的宽度a为1. 00 5. 60 mm,长度b为3. 55 16. 00 mm。3.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线,其特征在于所述绝缘层(2)的厚度A-a为O.SOf05讓。4.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线,其特征在于所述绝缘层(2)的厚度 A-a 为 0. 40 士0. 02 mm。5.根据权利要求1所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线,其特征在于所述绝缘层(2)的厚度 A-a 为 0. 43 士0. 02 mm。6.根据权利要求1至5之一所述的单面薄膜云母带绕包铜扁线,其特征在于所述铜扁线可耐受的温度为180 200°C。专利摘要本技术提供了一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体和包覆铜扁导体的绝缘层,绝缘层由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在铜扁导体上形成;本技术还提供了上述,其将云母带包饶在铜扁导体上而形成本技术的铜扁线。本技术的铜扁线不仅具有耐高温、耐电晕、绝缘性能好等优点,而且机械强度更高,其制作方法中不需要涂绝缘漆,节约了成本,减少了制作过程中的污染。本技术的铜扁线可广泛地应用于高压电机、升降电机及其他电器的绕组中。文档编号H01B3/04GK202120650SQ20112022448公开日2012年1月18日 申请日期2011年6月29日 优先权日2011年6月29日专利技术者郑一帆 申请人:太仓市贯龙电磁线有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种单面薄膜云母带绕包铜扁线,包括铜扁导体(1)和包覆所述铜扁导体(1)的绝缘层(2),其特征在于:所述绝缘层(2)由聚酰亚胺薄膜补强少胶粉云母带绕包在所述铜扁导体(1)上形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑一帆
申请(专利权)人:太仓市贯龙电磁线有限公司
类型:实用新型
国别省市:32

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