本发明专利技术提供曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。曝光装置(EX)通过投影光学系(PL)和液体(1)将图形像投影到基板(P)上，从而对基板(P)进行曝光。曝光装置(EX)具有将液体(1)供给到投影光学系统(PL)与基板(P)间的液体供给机构(10)。液体供给机构(10)在检测到异常时停止液体(1)的供给。可抑制由于形成液浸区域的液体的泄漏使基板周边装置·构件受到的影响，良好地进行曝光处理。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过投影光学系和液体对基板进行曝光的曝光装置、使用该曝光装置的器件制造方法、及曝光装置的控制方法。
技术介绍
半导体器件或液晶显示器件通过将形成于掩模上的图形转印到感光性基板上的所谓的光刻方法制造。该光刻工序使用的曝光装置具有支承掩模的掩模台和支承基板的基板台，一边依次移动掩模台和基板台，一边通过投影光学系将掩模的图形转印到基板。近年来，为了应对器件图形的更进一步的高集成化，希望获得投影光学系的更高的析像度。使用的曝光波长越短、投影光学系的数值孔径越大时，投影光学系的析像度越高。为此，曝光装置使用的曝光波长逐年变短，投影光学系的数值孔径也增大。现在主流的曝光波长为KrF 受激准分子激光的248nm，但更短波长的ArF受激准分子激光的193nm也正得到实用化。另外，当进行曝光时，与析像度同样，焦深(DOF)也变得重要。析像度R和焦深δ分别用下式表不。R = Ic1 · λ /NA... (1)δ = 士 1 · λ /NA2 — (2)其中，λ为曝光波长，NA为投影光学系的数值孔径，Ili2为过程系数。从⑴式、 (2)式可知，当为了提高析像度R而减小曝光波长λ、增大数值孔径NA时，焦深δ变窄。当焦深δ变得过窄时，难以使基板表面与投影光学系的像面一致，存在曝光动作时的余量不足的危险。因此，作为实质上减小曝光波长而且扩大焦深的方法，例如提出有公开于国际公开第99/49504号公报的液浸法。该液浸法用水或有机溶剂等液体充满投影光学系的下面与基板表面之间，形成液浸区域，利用液体中的曝光用光的波长为空气中的1/ η (η为液体的折射率，通常为1.2 1.6左右)这一点，提高析像度，同时，将焦深扩大为约 η倍。可是，在液浸曝光装置中，如曝光用的液体泄漏或浸入，则存在由该液体引起装置·构件的故障、漏电或生锈等问题的可能性。另外，不能良好地进行曝光处理。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于提供一种在使用液浸法的场合也可良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。另外，可提供能够减小曝光用的液体的泄漏或浸入产生的影响、良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。为了解决上述问题，本专利技术采用与实施形式所示图1 图22对应的以下构成。但是，各部分采用的带括弧的符号不过用于例示该部分，不限定各部分。本专利技术的第1形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板 (P)，对基板(P)进行曝光；其中具有投影光学系(PL)和液体供给机构(10)；该投影光学系(PL)将图形像投影到基板(P)上；该液体供给机构(10)将液体⑴供给到投影光学系(PL)与基板⑵之间；液体供给机构(10)在检测到异常或故障时停止液体(1)的供给。按照本专利技术，当检测到异常时，停止由液体供给机构进行的液体供给，所以，可防止液体的泄漏或浸入或其损失的扩大。因此，可防止液体造成的周边装置 构件的故障、生锈或基板所处环境的变动的问题的发生，或降低这样的问题的影响。本专利技术的第2形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板 (P)，对基板(P)进行曝光；其中具有通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL)和电气设备07、48)；为了防止液体⑴的附着引起的漏电，当检测到异常时，停止向电气设备(47、48){共 ο按照本专利技术，检测到异常时，停止向电气设备供电，防止液体的附着导致的漏电， 所以，可防止漏电对周边装置的影响和电气设备自身的故障等问题的发生，或降低由此造成的损失。本专利技术的第3形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板 (P)，对基板(P)进行曝光；其中具有通过液体⑴将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL)和流通到吸引系(25)的吸气口 (42A、66)；为了防止液体(1)的流入，当检测到异常时，停止从吸气口 G2A、66)的吸气。曝光装置例如具有用于相对导向面非接触地支承台装置的空气轴承(气体轴承) 的吸气口以及吸附保持掩模和基板的保持装置的吸气口等各种吸气口，但是，当液体流入到这些吸气口时，引起与这些吸气口流通的真空泵等真空系(吸引系)的故障。按照本专利技术，当检测到异常时，停止从吸气口吸气，所以，可防止液体通过吸气口流入到真空系的问题。在本专利技术的第1 第3形式中，“检测出异常”意味着检测到对通过液体的基板曝光即液浸曝光产生不良影响的状况，不仅包含检测到与液体的流通相关的异常，而且包含检测到关于保持着基板进行移动的台的动作的异常等，另外，也包含检测到与曝光装置连接的相关装置的异常。例如，也包含检测到作为相关装置的液体制造装置中的异常信号(警报) 的场合，该液体制造装置制造供给到曝光装置的液体。本专利技术的第4形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板 (P)，对基板(P)进行曝光；其中具有通过液体⑴将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL)，流通到吸引系(25、70、74)的吸气口(21、61、66)，分离从吸引口 Ql、61、66)吸入的液体(1)与气体的分离器(22、71、75)，及使由分离器02、71、75)分离的气体干燥的干燥器Q3、72、76)。例如当从液体回收机构的液体吸引口(回收口)使用真空系吸引液体时，如回收的液体成分流入到真空系(吸引系)，则引起该真空系的故障等。按照本专利技术，用分离器对从吸引口吸入的液体和气体进行气液分离，然后用干燥器对由分离器分离了的气体进行干燥，从而可防止液体成分(包含湿的气体)流入到真空系的问题。因此，可防止真空系(吸引系)的故障等问题的发生，同时，可长期间良好地维持由液体回收机构进行的液体回收动作，可防止液体回收机构的回收动作不能进行而导致的液体的泄漏。本专利技术的第5形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板 (P)，对基板(P)进行曝光；其中具有基板台(PST)、投影光学系(PL)、及控制装置(CONT)；该基板台(PST)可保持着基板(P)移动，在其上具有第1区域(LAl)；该投影光学系(PL)将图形像投影到基板(P)，具有第2区域(LA2)，该第2区域 (LA2)包含像面侧前端部分( )，与第1区域(LAl)相对，在与第1区域(LAl)的至少一部分间保持液体⑴；该控制装置(CONT)相应于第1区域(LAl)与第2区域(LA2)的位置关系，限制基板台(PST)的移动。按照本专利技术，在将液体保持于第1区域与第2区域之间的构成的场合，例如不成为在第1区域与第2区域之间保持液体的位置关系地限制基板台的移动，从而可防止液体的泄漏等问题。本专利技术的第6形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板 (P)，对基板(P)进行曝光；其中具有投影光学系(PL)、基板台(PST)、底座构件(41)、第1 检测器(80C)、第2检测器(80D)、及控制装置(CONT)；该投影光学系(PL)通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上；该基板台(PST)可保持着基板⑵移动；该底座构件可移动地支承基板台(PST)；该第1检测器(80C)设于基板台(PST)，检测液体(1)；该第2检测器(80D)设于底座构件(41)，检测液体本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种液浸曝光装置，通过投影光学系统与液体进行曝光，其特征在于，包含：物体，可相对该投影光学系统移动；液浸系统，通过供给流路将该液体供给至该投影光学系统下且将供给后的该液体从回收流路回收，介此在该投影光学系统与该物体上的一部分之间维持液浸区域；以及控制装置，与未从该回收流路回收而引起该液体从该液浸区域流出的状态的异常对应，控制该液浸系统以限制对该液浸区域的该液体的供给。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：马込伸贵，小林直行，榊原康之，高岩宏明，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP
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