电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备制造技术

技术编号:7044681 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。使得电子照相感光构件的电荷产生层包含特定的胺化合物,以提供能够输出以下图像的电子照相感光构件,以及具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,所述图像在低温低湿环境下实际上没有归因于重影现象的图像缺陷或者具有很少的归因于重影现象的图像缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子照相感光构件,以及具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
技术介绍
目前用作图像曝光单元的半导体激光器的振荡波长是相对长的且在650nm至 820nm之间,因此进行努力以开发对如此长波长的光高度感光性的电子照相感光构件。此外,考虑到高分辨率,还进行努力以开发对振荡波长短的半导体激光器的光高度感光性的电子照相感光构件。已知偶氮颜料和酞菁颜料作为表示对于如此长的波长区域的光以及还对于短波长区域的光高度感光性的电荷产生物质。因此,通过使用偶氮颜料或酞菁颜料形成的电子照相感光构件具有优良的感光度特性。然而,另一方面,通过此类电子照相感光构件产生的光载流子易于残留在感光层中, 并由于该构件作为一种存储器(memory)运行而引起产生电位波动的问题例如重影现象。日本专利申请特开H02498951、H06-273953和H05_1^813公开了用于电子照相感光构件的二苯甲酮化合物的用途。使用二苯甲酮化合物的优点包括抑制由于紫外线导致的电荷输送物质的劣化(日本专利申请特开Η02498951),防止电荷产生物质的光氧化和抑制残余电位升高(日本专利申请特开Η06-273953),以及敏化(sensitization)吡咯并吡咯化合物(日本专利申请特开H05-1^813)。然而,这些专利申请中都未公开具有一种或多种氨基作为取代基的二苯甲酮化合物。作为使用具有一个或多个氨基作为取代基的二苯甲酮化合物的实例,日本专利申请特开S52-23351公开了一种电子照相感光构件,其包含具有咔唑环作为侧链的高分子化合物和碱性化合物作为主成分。所提及专利技术的目的在于改进低电荷输送能力和赋予电子照相感光构件以用于改进作为聚乙烯基咔唑的缺陷的不良膜成形性的塑性。因此,迄今为止已进行各种尝试以获得改进的电子照相感光构件。然而,从实现更高图像品质的观点,近年来存在并且仍然是对于改进由于在各种环境下能够发生的重影现象导致的图像品质劣化问题的强烈需求。
技术实现思路
因此,本专利技术的目的在于解决上述指出的问题和提供能够输出以下图像的电子照相感光构件,以及具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,所述图像不仅在常温常湿环境下而且还在低温低湿的苛刻环境下实际上没有归因于重影现象的图像缺陷或者具有很少的归因于重影现象的图像缺陷。 在本专利技术的一方面,提供一种电子照相感光构件,其包括支承体、和形成在所述支承体上的电荷产生层和电荷输送层,其中,所述电荷产生层包括电荷产生物质和由下式(1)4表示的胺化合物 权利要求1. 一种电子照相感光构件,其包括支承体、和形成在所述支承体上的电荷产生层和电荷输送层,其中,所述电荷产生层包括电荷产生物质和由下式(1)表示的胺化合物2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述R1-Rki中的至少之一表示所述由取代或未取代的烷基取代的氨基。3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件,其中所述由取代或未取代的烷基取代的氨基中的取代或未取代的烷基为由烷氧基取代的烷基、由芳基取代的烷基或者未取代的烷基。4.根据权利要求2所述的电子照相感光构件,其中所述由取代或未取代的烷基取代的氨基为二烷氨基。5.根据权利要求4所述的电子照相感光构件,其中所述二烷氨基为二甲氨基或二乙氨基。6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述R1-Rki中的至少之一表示所述取代或未取代的环氨基。7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件,其中所述取代或未取代的环氨基为吗啉基或哌啶基。8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件,其中所述胺化合物为由下式(2)或(3) 表示的胺化合物9.根据权利要求8所述的电子照相感光构件,其中各所述R11-R16表示由烷氧基取代的烷基、由芳基取代的烷基或者未取代的烷基。10.根据权利要求8所述的电子照相感光构件,其中各所述R11-R16表示甲基或乙基。11.根据权利要求8所述的电子照相感光构件,其中所述由R11和R12、R13和R14、以及R15 和R16彼此键合而形成的取代或未取代的环氨基为吗啉基或哌啶基。12.根据权利要求1-11中任一项所述的电子照相感光构件,其中所述电荷产生物质为酞菁颜料。13.根据权利要求12所述的电子照相感光构件,其中所述酞菁颜料为镓酞菁。14.根据权利要求13所述的电子照相感光构件,其中所述镓酞菁为在CuKaX-射线衍射的布拉格角2Θ为7.4° 士 0.3°和28. 2° 士 0. 3°处具有强峰的晶体形式的羟基镓酞菁晶体。15.根据权利要求1-11中任一项所述的电子照相感光构件,其中在所述电荷产生层中所述胺化合物的含量比为不小于0. 1质量%且不大于20质量%,相对于所述电荷产生物质。16.一种处理盒,其一体化支承根据权利要求1-11中任一项所述的电子照相感光构件和选自由以下组成的组中的至少一种单元充电单元,其用于使所述电子照相感光构件的表面充电;显影单元,其用于通过调色剂使在所述电子照相感光构件表面上形成的静电潜像显影,从而形成调色剂图像;和清洁单元,其用于在所述调色剂图像转印至转印材料上后除去在所述电子照相感光构件表面上的调色剂;以及所述处理盒可拆卸地安装在电子照相设备的主体上。17.一种电子照相设备,其包括根据权利要求1-11中任一项所述的电子照相感光构件; 充电单元,其用于使所述电子照相感光构件表面充电;图像曝光单元,其用于照射图像曝光光至所述充电的电子照相感光构件表面,从而形成静电潜像;显影单元,其用于通过调色剂使在所述电子照相感光构件表面上形成的静电潜像显影,从而形成调色剂图像;和转印单元,其用于将在所述电子照相感光构件表面上形成的所述调色剂图像转印至转印材料上。全文摘要本专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。使得电子照相感光构件的电荷产生层包含特定的胺化合物,以提供能够输出以下图像的电子照相感光构件,以及具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,所述图像在低温低湿环境下实际上没有归因于重影现象的图像缺陷或者具有很少的归因于重影现象的图像缺陷。文档编号G03G21/18GK102314103SQ20111018449公开日2012年1月11日 申请日期2011年6月29日 优先权日2010年6月30日专利技术者田中正人, 野中正树 申请人:佳能株式会社本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种电子照相感光构件,其包括支承体、和形成在所述支承体上的电荷产生层和电荷输送层,其中,所述电荷产生层包括电荷产生物质和由下式(1)表示的胺化合物:其中,在式(1)中,各R1-R10独立地表示氢原子、卤素原子、羟基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的氨基或者取代或未取代的环氨基,R1-R10中的至少之一表示由取代或未取代的芳基取代的氨基、由取代或未取代的烷基取代的氨基或者取代或未取代的环氨基,X1表示羰基或二羰基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:田中正人野中正树
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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