【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳能电池片减反射膜制备工艺方法
本专利技术属于晶体硅太阳能电池领域，涉及一种晶体硅太阳能电池片减反射膜制备工艺。
技术介绍
抛光硅表面的反射率约为35%，为了减少表面反射，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜，PECVD即等离子增强型化学气相沉积，它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，硅片置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使硅片升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和 NH3，气体经系列化学反应和等离子体反应后，在硅片表面形成固态薄膜，即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种PECVD的方法沉积的薄膜厚度在SOnm左右，这种厚度的薄膜具有光学功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。其主要的工艺流程为1、化学清洗及表面织构(制绒)通过化学反应使原始硅片表面形成陷光结构以增强光的吸收。2、扩散这是太阳能电池制造过程的核心步骤之一，PN结是晶体硅太阳能电池片的心脏。扩散的浓度，深度以及均勻性直接影响电池的电性能。3、周边刻蚀该步...
【技术保护点】
１．一种晶体硅太阳能电池片减反射膜制备工艺，包括化学清洗及表面织构、扩散、周边刻蚀、沉积减反射膜、丝网印刷电极和烧结几个步骤，其特征是：所述沉积减反射膜步骤具有三步工序，１、表面氢钝化，工艺时间为１８０秒；２、制作附氮膜：同时通入氨气硅烷，硅烷氨气比控制在１：８到１：１２之间，形成２２－２８纳米附氮的氮化硅薄膜，工艺时间为３００－５００秒；３、制作附硅膜：同时通入氨气硅烷，硅烷氨气比控制在１：４到１：７之间，形成５２－５８纳米附硅的氮化硅膜，工艺时间为４００－７００秒；ＰＥＣＶＤ采用管式，射频发生器采用脉冲方式，频率为４０ＫＨｚ，温度为４００－４６０℃，压强为１６０Ｐａ－２００Ｐａ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：段慰，方为仁，蒋冬，田杰成，余俊浒，
申请(专利权)人：浙江嘉毅能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33
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