一种单片机IO口的状态选择电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单片机IO口的状态选择电路，包括单片机的IO口、IO检测端、电阻R1和单刀双掷开关S1，IO检测端与单片机的IO口和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与单刀双掷开关S1的可动端连接，单刀双掷开关S1的两个不动端分别与高电平和地连接，其特征在于，该电路还包括用于充放电的储能单元，储能单元连接在单刀双掷开关S1的可动端和地之间。本实用新型专利技术通过增加储能单元可以实现IO检测端的三种状态，单片机根据这三种状态可以控制不同的控制端执行相应的程序，而不需要增加单片机的IO口，从而节约了成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及选择电路领域，尤其涉及一种单片机IO 口的状态选择电路。
技术介绍
在产品设计中，我们常会用到单片机的输入输出(IO) 口来做状态选择判断，从而执行不同的程序内容。目前现有技术中都是利用单片机的IO 口来识别高低电平两种状态， 如果要识别大于2种状态，就必须增加IO 口。如图1所示，将与单片机的IO 口连接的10_ TEST脚设置为输入高阻态，如果Sl的2、3导通，那么I0_TEST检测的为高电平，如果Sl的 1、2导通，那么I0_TEST检测的为低电平，这样就可以识别两种不同的状态，但是在实际设计应用中，我们往往不只有两种状态，如果有三种状态选择的话，按照目前的方法，那么就只能增加一个单片机IO 口来实现，而增加一个IO 口的成本较高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于针对现有技术中通过增加单片机IO 口来增加检测状态个数，成本较高的缺陷，提供一种不增加单片机IO 口就可以提供三种状态选择的单片机IO 口的状态选择电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种单片机IO 口的状态选择电路，包括IO检测端、电阻和单刀双掷开关，所述IO检测端与单片机的IO 口和电阻的一端连接，所述电阻的另一端与所述单刀双掷开关的可动端连接，所述单刀双掷开关的两个不动端分别与高电平和地连接，该电路还包括用于充放电的储能单元，所述储能单元连接在所述单刀双掷开关的可动端和地之间。本技术所述的单片机IO 口的状态选择电路中，所述储能单元为电容。本技术所述的单片机IO 口的状态选择电路中，所述电阻为1千欧姆，所述电容的电容值为0.1微法。使用本技术具有以下有益效果通过在单刀双掷开关的可动端和地之间连接一储能单元，当单刀双掷开关的可动端与高电平连接时，为储能单元充电，储能单元的电平为高电平；当单刀双掷开关的可动端与地连接时，为储能单元放电，储能单元的电平为低电平；当单刀双掷开关的可动端悬空时，储能单元的电平取决于通过电阻为其充放电的IO检测端；本技术通过增加储能单元实现了单片机IO 口的三种状态选择。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中图1是现有技术单片机IO 口的状态选择电路的结构示意图；图2是本技术较佳实施例单片机IO 口的状态选择电路的结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。在本技术的较佳实施例中，如图2所示，单片机IO 口的状态选择电路包括IO 检测端I0_TEST、电阻Rl和单刀双掷开关Si，IO检测端I0_TEST与单片机的IO 口和电阻 Rl的一端连接，电阻Rl的另一端与单刀双掷开关Sl的可动端2连接，单刀双掷开关Sl的两个不动端，分别与高电平和地连接，图2中，单刀双掷开关Sl的两个不动端分别为不动端 1和不动端3，本技术较佳实施例中不动端3与高电平连接，不动端1与地连接；当然在其他实施例中不动端3也可以与地连接，相应地不动端1与高电平连接。如图2所示，该电路还包括用于充放电的储能单元，储能单元连接在单刀双掷开关Sl的可动端2和地之间，储能单元可选用电容C3。当单刀双掷开关Sl的可动端2与不动端3连接时，即可动端2与高电平连接，充电一段时间后，电容C3电平为高电平；当单刀双掷开关Sl的可动端2与不动端1连接时，即可动端2与地连接，电容C3放电，电容C3的电平为低电平；当单刀双掷开关Sl的可动端2悬空时，电容C3的电平取决于通过电阻为其充放电的IO检测端；这样IO检测端I0_TEST就可以有三种状态，实现了单片机IO 口的三种状态选择。IO检测口 I0_TEST给C3充放电，如果单刀双掷开关Sl的可动端2与VCC连接，那么不管IO检测口 I0_TEST如何给电容C3充放电，电容C3的电永远都放不掉，因为VCC给电容C3充电的速度要远远大于IO检测口 I0_TEST的放电速度，所以电容C3不会被放电。 同理，如果单刀双掷开关Sl的可动端2和GND连接，那么不管IO检测口 I0_TEST如何给电容C3充放电，电容C3的电永远都充不上去，因为GND给电容C3放电的速度要远远大于IO 检测口 I0_TEST的充电速度。如果单刀双掷开关Sl的可动端2悬空，电容C3的电平就完全取决于IO检测口 I0_TEST的充放电了，这样就很巧妙的实现了三种状态检测。充放电时间可以根据单片机的输出电流、电阻Rl以及电容C3决定。如图2所示，本技术较佳实施例电阻Rl选用1千欧姆，电容C3的电容值选用 0. 1微法。具体实现中，通过单片机的程序进行相应设置(1)设定单片机IO 口为输出口，并输出高电平，与单片机IO 口连接的IO检测端 I0_TESTI0_TEST通过电阻Rl给电容C3电容充电，充电时间为200us ；(2)设置单片机IO 口为输入口，延时50us后，检测到I0_TEST的状态为Al ；(3)设定单片机IO 口为输出口，并输出低电平，IO检测端I0_TEST通过Rl给C3 电容放电，放电时间延续200us ；(4)设置单片机IO 口为输入口，延时50us后，检测到I0_TEST的状态为A2。若单刀双掷开关Sl的可动端2与不动端1相连，则A1A2 = 00 ；若单刀双掷开关Sl的可动端2与不动端3相连，则A1A2 = 11 ；若单刀双掷开关Sl的可动端2悬空，则A1A2 = 10。由以上分析可知，通过增加储能单元电容C3可以实现IO检测端的三种状态，单片机根据这三种状态可以控制不同的控制端执行相应的程序，而不需要增加单片机的IO 口来增加单片机的IO 口状态，从而节约了成本。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，4而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。权利要求1.一种单片机IO 口的状态选择电路，包括IO检测端、电阻Rl和单刀双掷开关Si，所述IO检测端与单片机的IO 口和电阻Rl的一端连接，所述电阻Rl的另一端与所述单刀双掷开关Sl的可动端连接，所述单刀双掷开关Sl的两个不动端分别与高电平和地连接，其特征在于，该电路还包括用于充放电的储能单元，所述储能单元连接在所述单刀双掷开关Sl 的可动端和地之间。2.根据权利要求1所述的单片机IO口的状态选择电路，其特征在于，所述储能单元为电容C3。3.根据权利要求2所述的单片机IO口的状态选择电路，其特征在于，所述电阻Rl为1 千欧姆，所述电容C3的电容值为0. 1微法。专利摘要本技术公开了一种单片机IO口的状态选择电路，包括单片机的IO口、IO检测端、电阻R1和单刀双掷开关S1，IO检测端与单片机的IO口和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与单刀双掷开关S1的可动端连接，单刀双掷开关S1的两个不动端分别与高电平和地连接，其特征在于，该电路还包括用于充放电的储能单元，储能单元连接在单刀双掷开关S1的可动端和地之间。本技术通过增加储能单元可以实现IO检测端的三种状态，单片机根据这三种状态可以控制不同的控制端执行相应的程序，而不需要增加单片机的IO口，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种单片机ＩＯ口的状态选择电路，包括ＩＯ检测端、电阻Ｒ１和单刀双掷开关Ｓ１，所述ＩＯ检测端与单片机的ＩＯ口和电阻Ｒ１的一端连接，所述电阻Ｒ１的另一端与所述单刀双掷开关Ｓ１的可动端连接，所述单刀双掷开关Ｓ１的两个不动端分别与高电平和地连接，其特征在于，该电路还包括用于充放电的储能单元，所述储能单元连接在所述单刀双掷开关Ｓ１的可动端和地之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：涂柏生，朱梓铧，
申请(专利权)人：深圳市博巨兴实业发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94