【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术的目的是提供一种可快速再生(regeneration)的低温泵，这种低温泵用于诸如半导体晶片制造过程中的溅镀。溅镀通常大约在一分钟内发生在流量为100～200scc/m的氩气流中，接着气流停止，同时压力降到低于2×10-7乇的基本压力。约一分钟内载入一个新的晶片并重复上述过程。低温泵前面的节流板在溅镀过程中保持腔体中的压力大约在1×10-2乇，而在低温泵进口的压力在1～2×10-3乇的范围。由于低温泵通过冷冻于第二级(冷)低温板(cryopanel)来除去气态氩，因此必须使泵定期变热(再生)来融化和除去氩气低温沉积物，然后再冷却到正常的操作温度。其它的气体，比如非常少量聚积的水和氢气，也必须定期地去除。两级GM式制冷器，现用于冷却低温泵，将第一级低温板冷却到50～100K，将第二级低温板冷却到大约15K。膨胀器通常被配置成阶梯式缸，其在较热的第一级末端具有气门组件，在从较大直径的第一级到较小直径的第二级的过渡处具有第一级冷却位置(50～100K)，在末端远处具有第二级的冷却位置(大约15K)。低温泵通常被制成为具有进口，其在膨胀器缸轴线上，有时被...
【技术保护点】
一种低温泵，由两级ＧＭ式制冷器冷却，包括限定出真空腔的壳体，位于壳体内的第一级低温板和至少一个第二级低温板，以及从制冷器的膨胀器缸通向真空腔的进口端口，该进口端口定位在一个平行于膨胀器缸轴线的平面内，其中，ａ）至少一个第二级低温板位 于一个平行于膨胀器缸轴线的平面内，ｂ）真空腔中的第一级膨胀空间的低温端位于靠近膨胀器缸进入容纳低温板的真空腔壳体的位置处，ｃ）设有排放系统，以使所有液态氩和水通过排放端口排出。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：R朗斯沃思，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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